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[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法-CN201510969103.3有效
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明是一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法。其特征在于进入还原炉的H2/SiHCl3摩尔比值在3‑8的范围内提高氢气与三氯氢硅之摩尔配比值，多晶硅一次沉积率将按公式η=(1+0.06)nη0得到提高。式中，η0原始沉积率；η改变摩尔配比后的一次沉积率；n较原始摩尔配比提高值，n=0、1、2、3、...。
改良西门子还原提高多晶一次沉积方法

[发明专利]提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法-CN201510969137.2有效
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法揭示了在多晶硅生长、沉积表面温度、供料中氢气与三氯氢硅的配比、还原炉系统运行压力均已确定的条件下，供料量与多晶硅生长、沉积速率2.比，还原过程中多晶硅棒的直径将与供料量等比变化的规律，并指出，当氢气与三氯氢硅的摩尔比在3‑8的范围内变化时，提高H2/SiHCl3的摩尔配比，副产中三氯氢硅与四氯化硅量的比值将得到提高。
提高多晶沉积速率硅副产 sihcl sub sicl 方法

[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法-CN201510969159.9在审
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法，是当还原炉运行压力控制在表压0.2-0.6MPa的范围内变化时，降低还原炉系统运行压力，多晶硅一次沉积率将按下式提高：η=₀p₀/（p₀-_△p），式中：η₀_：原始一次沉积率，η：降低运行压力后的一次沉积率，P₀_：原始运行压力，P₀=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...；_△p：压力降低值，_△p=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...。在现有改良西门子法还原炉基础上不增加其他资金、设备的投入，仅从降低还原炉的运行压力着手，利用现有技术设备，改变运行操作参数，即可明显提高多晶硅一次沉积率，达到大幅节能降耗的目的。
改良西门子还原提高多晶一次沉积方法

[实用新型]气液直接接触全混自控装置-CN201521075915.5有效
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G05D11/16 文献下载
摘要：本气液直接接触全混自控装置，包括智能控制器和气液热交换器，气液热交换器与各通道之间分别设置了液位计和液位监控装置，流量监控装置和气流量计，温度传感器和液相温度监控装置，压力传感器和气相压力监控装置，智能控制器分别与各路传感器和监控装置连接。氮、氢、氧、空气等其中任一种生产用合格气体按设定量进入气液热交换器，使其在流通状态下实现气、液直接接触，气体通过氯硅烷液体层后即可获得按工艺条件所设定的流量、配比、压力值的混合气体，连续、稳定地进入生产系统，实现生产线的全自控，从而获得生产高品质的光纤、白炭黑、硅外延、硅材料产品等所需要的符合生产要求的混合原料气。
直接接触自控装置