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[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及电子器件-CN201280066709.0有效
发明人： 冈铁也;江原幸治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。
单晶硅晶片制造方法电子器件

[发明专利]硅基板的制造方法及硅基板-CN201280010057.9有效
发明人： 冈铁也;江原幸治;高桥修治 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明是一种硅基板的制造方法，其自根据切克劳斯基法培育而成的单晶硅晶棒切出硅基板，使用快速加热和快速冷却装置，对所述硅基板，以高于1300℃且硅熔点以下的温度，保持1～60秒来施行快速热处理后，以5～150℃/sec的降温速度，降温至600～800℃的范围的温度为止，来实行第一段的降温工序，之后，冷却时间X秒与降温速度Y℃/sec，以当X<100的情况满足Y≤0.15X-4.5的关系而当X≥100的情况满足Y≤10的关系的方式，来实行第二段的降温工序。由此，能提供一种硅基板的制造方法及硅基板，所述硅基板的表层没有RIE缺陷且寿命充分长。
硅基板制造方法

[发明专利]晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置-CN201180039907.3有效
发明人：江原幸治;冈铁也;高桥修治 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明是一种晶片的热处理方法，其在利用支撑部件来支撑晶片的主表面即第一主表面的状态下，以加热源进行加热，从而进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，一边控制前述加热源一边进行热处理，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。由此，本发明提供一种晶片的热处理方法，其能在对硅晶片进行热处理时，确实地抑制自晶片支撑位置发生的滑动位错。
晶片热处理方法制造装置

[发明专利]硅基板的制造方法及硅基板-CN201180034596.1在审
发明人： 冈铁也;江原幸治;高桥修治 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种硅基板的制造方法，其具备以下工序：第1热处理工序，其使用快速加热和快速冷却装置，在包含氮化膜形成环境气体、稀有气体及氧化性气体中的至少一种气体的第1环境中，在高于1300℃且为硅的熔点以下的第1温度保持1～60秒，来对硅基板实施快速热处理；以及第2热处理工序，其接续该第1热处理工序，控制在第2温度及第2环境，并在经前述控制的第2温度及第2环境中，对前述硅基板实施快速热处理，该第2温度及第2环境是用以抑制前述硅基板内部因空孔而产生缺陷。由此，提供一种硅基板的制造方法、及通过该方法所制得的硅基板，该硅基板，在距离表面至少1μm的深度，此深度成为组件制作区域，不存在氧析出物、COP、OSF等的会被RIE法所检测到的缺陷(RIE缺陷)，并且生命周期是500μsec以上。
硅基板制造方法

[发明专利]计费管理系统、图像处理设备、计费控制方法和记录介质-CN200910005661.2无效
发明人： 冈铁也 -专利权人：柯尼卡美能达商用科技株式会社
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03G21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种计费管理系统、图像处理设备、计费控制方法和记录介质，其中，在执行作业前，打印机使用简化的计费表执行对计费额的估计，并且如果估计的计费额超过余额，则取消执行作业，而如果估计的计费额在余额内，则执行作业。在完成作业之后，打印机根据详细的作业信息和详细的计费表判断所估计的计费额是否正确。如果存在误差，则打印机校正该误差并且执行正确的计费。
计费管理系统图像处理设备控制方法记录介质