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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202080097888.9有效
发明人： 冈部达;郡司辽佑;斋田信介;市川伸治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：在有机EL显示装置(1)的显示区域(D)的背面侧配置有照相机(3)。显示区域具有第一显示区域(D1)和在第一显示区域的内侧使照相机所利用的光透过的第二显示区域(D2)。第一显示区域的第一电极具有第一反射导电层(62)和设置在第一反射导电层上的第一上侧透明导电层(63)。第二显示区域的第一电极具有第二透明导电层(65)。第二透明导电层被结晶化，比第一上侧透明导电层厚。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示设备-CN201880091929.6有效
发明人：郡司辽佑;冈部达;斋田信介;市川伸治;有贺广司;谷山博己;仲田芳浩;谷村康治;小原义博;神村浩治;井上彬 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10K59/179 文献下载
摘要：在显示设备中，第二配线(SH)延伸显示区域，向第二配线(SH)的延伸方向，从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交，第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。
显示设备

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201780089175.6有效
发明人： 冈部达;田中哲宪;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS‑TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202080097781.4有效
发明人： 冈部达;郡司辽佑;斋田信介;市川伸治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：显示区域(D)具有在第一显示区域(D1)的内侧使照相机(3)所利用的光透过的第二显示区域(D2)。第一显示区域的第一电极(51)具有第一下侧透明导电层(61)、第一反射导电层(62)和第一上侧透明导电层(65)依次层叠的构造。第二显示区域的第一电极具有第二下侧透明导电层(71)、第二反射导电层(72)以及第二上侧透明导电层(75)依次层叠的构造。第二反射导电层在边缘罩(52)的开口(68)的内侧比第一反射导电层更薄。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201880097978.0有效
发明人： 冈部达;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：具备:包括驱动晶体管(T1)和与驱动晶体管的控制端子电连接的电容器(Cp)的像素电路；发光元件(ES)；与数据信号线(SL(m))交叉的第一电源电压线(PF(n))；以及经由电容器与所述控制端子电连接的第二电源电压线(PS(m))，在扫描信号线(GL(n))激活的写入期间，第一电源电压线与驱动晶体管的第二导通端子不导通，在发光元件的发光期间内，第一电源电压线与驱动晶体管的第二导通端子导通。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201980100665.0有效
发明人：郡司辽佑;斋田信介;市川伸治;冈部达;井上彬;仲田芳浩;神村浩治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：与电连接到穿过显示区域(DA)的上述拐角部(SP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量比与电连接到穿过上述显示区域(DA)的上述中央部(CP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量多。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202080106817.0在审
发明人： 冈部达;冈崎庄治;斋田信介;市川伸治;谷山博己 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：在折弯部(B)的外侧的两侧部，以填埋狭缝(S)的宽度方向的两端部并且在其两端部之间的中间部使树脂基板层(10)的表面露出的方式设置有第一平坦化膜(19a)，在第一平坦化膜(19a)和树脂基板层(10)上，在折弯部(B)及其外侧的两侧部设置有多条引绕布线(20c)，其在与折弯部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸，在显示区域侧与多条显示布线电分别连接，在端子部侧分别与多个端子电连接，并与布线层由同一材料形成在同一层上。
显示装置

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN201880098066.5有效
发明人： 冈部达;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请公开了即使在进行中止驱动时也能够进行不发生闪烁的良好的显示的电流驱动型的显示装置。在像素电路(15)中，在基于第一初始化晶体管(T4)的栅极电压(Vg)的初始化后，数据信号线(Di)的电压经由写入控制晶体管(T2)和驱动晶体管(T1)被写入保持电容器(Cst)。之后，发光控制晶体管(T5)、(T6)导通，有机EL元件(OL)通过来自驱动晶体管(T1)的驱动电流(I1)而发光。在该发光期间，即使栅极电压(Vg)由于截止状态的第一初始化晶体管(T4)的漏电流而降低，也能够通过增大提供给驱动晶体管(T1)的阈值控制端子(TG)的阈值控制电压来补偿该降低。其结果是，即使因中止驱动而刷新周期变长，也能抑制由上述栅极电压(Vg)的降低而引起的亮度的增大，能够防止闪烁的发生。
显示装置及其驱动方法

[发明专利]显示装置-CN201880091987.9有效
发明人： 冈部达;斋田信介;市川伸治;谷山博己;郡司辽佑;有贺广司;仲田芳浩;谷村康治;小原义博;井上彬;神村浩治;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K59/00 文献下载
摘要：与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接，与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层(CM1/CM2)。
显示装置

[发明专利]显示设备-CN201880091493.0有效
发明人： 冈部达;斋田信介;市川伸治;谷山博己;郡司辽佑;家根田刚士;仲田芳浩;神村浩治;井上彬 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：显示设备(2)在非显示区域(NA)的边缘盖上设置有缝隙(H)，在狭缝(H)中，在阳极(22)上连接同层的第一导电层(22M)、和阴极(25)，以使在电容电极(CE)上同层的第二金属层(CM)与狭缝(H)重叠方式设置。
显示设备

[发明专利]显示装置-CN202080105624.3在审
发明人： 冈部达;冈崎庄治;斋田信介;市川伸治;谷山博己 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：多个引绕布线(L)的至少一个具备：显示侧布线部(18nd)，其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的显示区域侧的一方的缘部上，通过与布线层相同的材料形成在同一层；端子侧布线部(18nt)，其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的端子部侧的另一方的缘部上，通过与布线层相同的材料形成在同一层；中间布线部(C)，其经由形成在平坦化膜(19a)的第一接触孔(Ha)及第二接触孔(Hb)与显示侧布线部(18nd)及端子侧布线部(18nt)分别电连接。
显示装置

[发明专利]有源矩阵基板、其制造方法和显示装置-CN201780023732.4有效
发明人： 冈部达;锦博彦;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。
有源矩阵制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201780080973.2有效
发明人：中岛伸二;锦博彦;见村浩英;齐藤裕一;武田悠二郎;村重正悟;石田和泉;冈部达 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN201880096349.6有效
发明人： 冈部达;郡司辽佑;市川伸治;斋田信介;冈崎庄治;吉田德生;谷山博己;有贺广司;神村浩治;井上彬;仲田芳浩;小原义博;谷村康治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：在显示区域中，分别设置由第二金属膜形成的多条第一显示用配线、覆盖各条第一显示用配线的第一平坦化膜以及在第一平坦化膜上由第三金属膜形成的多条第二显示用配线，在折弯部(B)设置有第一树脂膜(19b)，该第一树脂膜(19b)以填埋第一无机绝缘膜(15)的狭缝(S)的方式由与第一平坦化膜相同的材料形成在同一层，在第一树脂膜(19b)的上表面，由第三金属膜形成的多条第一连接配线(20c)以在与折弯部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置。
显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201980092859.0有效
发明人： 冈部达;家根田刚士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：在TFT层形成工序中，首先，在通过进行半导体层形成工序来形成树脂基板(10)上的半导体层之后，通过进行栅极绝缘膜形成工序来形成栅极绝缘膜(13)以覆盖半导体层，接着，通过进行第一金属膜成膜工序、第一光刻工序以及第一蚀刻工序来形成第一金属层(14a)，进而，通过进行第二金属膜成膜工序、第二光刻工序以及第二蚀刻工序来形成第二金属层(15a)，从而形成层叠有第一金属层(14a)及第二金属层(15a)的栅极层(16a)。
显示装置及其制造方法

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