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[发明专利]PCR模块、具有其的PCR系统和使用其的检测方法-CN201610209959.5有效
发明人：李道永;全寅均;崔安植;崔庚鹤 -专利权人：光行科技株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：聚合酶链式反应(PCR)模块与读取器系统可拆卸地组合。所述读取器系统包括中央处理单元(CPU)，所述CPU接收光感测信号以实时计算基因扩增量，并且基于温度信号和温度控制信息生成温度控制信号。所述PCR模块包括光传感器组件、隔离壁以及接口模块。所述光传感器组件包括温度传感器和多个光传感器。光传感器布置成阵列形式以感测从样本生成的发射光，从而生成光感测信号。隔离壁从光传感器组件突出以界定其中容纳样本的反应空间。接口模块电连接到光传感器组件以把光感测信号和温度信号传输到读取器系统。
pcr 模块具有系统使用检测方法

[发明专利]一种包括侧面发光型发光器件的生物芯片及其制造方法-CN201510498490.7有效
发明人：李道永;全寅均 -专利权人：光行科技株式会社
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括侧面发光型发光器件的生物芯片，所述生物芯片包括：发光器件，其从荧光物质发光；反射层，其设置在发光器件的上方和下方从而从发光器件的侧面发光；和反应区，其通过蚀刻发光器件的侧面区域而形成。在上述生物芯片中，从发光器件的侧面发出的光在反应区引发生物化学反应。根据本发明，从发光器件发出的光仅在侧面移动，而不会传输至生物膜层的顶部或底部，而是传输至通过蚀刻发光器件的侧面区域而形成的反应区，因此反应区中的生物化学反应可以更加有效的完成。
一种包括侧面发光器件生物芯片及其制造方法

[发明专利]电连接晶圆的方法和用该方法制造的半导体设备-CN201310573253.3有效
发明人： 全寅均 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及用于电连接晶圆的方法，该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆，并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合，并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此，由于可以简化制造工艺，故可以减少工艺错误，并且可以改善产品产量。
连接方法制造半导体设备

[发明专利]在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法-CN201110044161.7有效
发明人：安熙均;吴世仲;全寅均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法，包括：(a)第一工艺，结合器件晶片与加工晶片；(b)第二工艺，在第一工艺之后使形成于器件晶片上的Si衬底的背面变薄；(c)第三工艺，在第二工艺之后形成抗反射层和PMD(优选金属沉积)介电层；(d)第四工艺，在第三工艺之后在形成于Si衬底上的超接触体的背面形成通孔；以及(e)第五工艺，在第四工艺之后形成焊盘。
具有三维堆叠结构晶片形成方法

[发明专利]尺寸减小的背面照射图像传感器及其制造方法-CN201010609277.6有效
发明人： 全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器具有设置在该背面照射图像传感器中的像素区域的垂直上部的电容器，在该背面照射图像传感器中，光从用户的背面照射，从而减小了芯片尺寸，以及一种制造该背面照射图像传感器的方法。该芯片尺寸减小的背面照射图像传感器的电容器形成在像素区域的垂直上部，而不在像素区域外部，因此不再需要形成该电容器的像素区域的外部面积，从而减小了芯片尺寸。
尺寸减小背面照射图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有波导的图像传感器及其制造方法-CN201010152199.1有效
发明人： 全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有波导的图像传感器及其制造方法。具有波导的图像传感器包括：半导体衬底，形成有光电二极管和外围电路区域；抗反射层，形成于半导体衬底上；绝缘层，形成于抗反射层上；布线层，形成于绝缘层上并连接至半导体衬底；至少一个层间介电层，堆叠在布线层上；以及波导，通过穿过在光电二极管上形成的层间介电层和布线层连接至绝缘层。
具有波导图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610163598.1无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，可以防止光电二极管的损伤并提高象素的设计余量以降低象素尺寸。该CMOS图像传感器包括：形成于半导体衬底的绝缘区上的绝缘层；延伸并穿过绝缘区和有源区的一部分的栅极；形成于半导体衬底有源区上的光电二极管区；形成于栅极的两侧的绝缘侧壁；形成于栅极的顶层和邻接栅极的光电二级管区的部分表面上的金属硅化物层；电连接栅极到光电二极管区的金属层；以及形成于半导体衬底的整个表面上的电介质层。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610163597.7无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了CMOS图像传感器及其制造方法，该传感器能够通过增加浮动扩散区的结电容改善图像传感器的性能。CMOS图像传感器具有一个光电二极管，和转移、复位、驱动和选择晶体管，CMOS图像传感器包括第一导电型半导体衬底，在其上限定了一个包括光电二极管区、浮动扩散区和电压输入/输出区的有源区，通过在插入栅极绝缘层在半导体衬底的有源区上形成每个晶体管的栅电极，在对应于电压输入/输出区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第一阱区，在对应于浮动扩散区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第二阱区，在每个栅电极两侧的半导体衬底的表面上形成的第二导电型扩散区。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200610137342.3无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS图像传感器。在本发明实施例中，CMOS图像传感器包括具有有源区的半导体衬底。光电二极管和多个晶体管可以在所述有源区上形成。所述有源区在复位晶体管下方具有可变宽度的部分。本发明的COMS图像传感器能够防止从光电二极管到复位晶体管的电位泄漏。
cmos 图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610127890.8无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所公开的是一种CMOS图像传感器。器件隔离膜形成在半导体衬底的器件隔离区中，以限定有源区和器件隔离区。栅绝缘膜形成在半导体衬底上。栅绝缘膜在器件隔离膜的界面区域处和在器件隔离膜之间的有源区处具有不同厚度。栅电极形成在栅绝缘膜上。浮动扩散区形成在栅电极一侧的半导体衬底中。光电二极管区形成在栅电极另一侧的半导体衬底中。还公开了一种制造该CMOS图像传感器的方法。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610127093.X无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供了CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：在具有光电二极管区和器件隔离区的半导体衬底上形成器件隔离层；在具有器件隔离层的半导体衬底的光电二极管区上形成光电二极管；在半导体衬底的整个表面上依次形成自对准多晶硅化物金属层和屏蔽金属层；通过选择性地去除金属层和不与半导体衬底反应的屏蔽金属层，在光电二极管之间形成挡光层，以阻挡光入射到相邻的光电二极管；以及在具有挡光层的半导体衬底的整个表面上形成电介质层。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610152394.8无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括光电二极管、转移晶体管、复位晶体管、激励晶体管、和选择晶体管。器件隔离层形成在第一导电型衬底上。转移晶体管、复位晶体管、激励晶体管、和选择晶体管的栅电极形成在衬底的有源区上，在这些栅电极之间设有栅极绝缘层。第一扩散区在有源区的第一区中由第二导电型形成，其中，第一区不包括转移晶体管和复位晶体管之间的浮动扩散区和光电二极管区。第二扩散区以低于第二导电型第一扩散区浓度的浓度在浮动扩散区中由第二导电型形成。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法-CN200610091222.4无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种制造CMOS图像传感器的方法。该方法包括：在具有由光电二极管和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区上形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极另一侧的光电二极管区形成第一导电类型的第二杂质区；在栅电极两侧形成包括第一绝缘层和第二绝缘层的侧壁；在栅电极形成有第一杂质区的一侧形成第一导电类型的第三杂质区；以及通过在半导体衬底的整个表面上注入第二导电杂质离子，在栅电极、光电二极管区和晶体管区形成第二导电类型的第四杂质区。
制造 cmos 图像传感器方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610083371.6无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。本CMOS图像传感器包括：包括有源区的半导体基片，其中光电二极管区和晶体管区限定于所述有源区中；形成于有源区上的栅电极，栅绝缘层插入栅电极和有源区；形成于在栅电极一侧的晶体管区中的第一扩散区，所述第一扩散区用作晶体管的源或漏区，并包括第一导电型的掺杂剂；形成于在栅电极另一侧的光电二极管区中的第二扩散区，所述第二扩散区包括第一导电型的掺杂剂；形成于栅电极两侧上的一对绝缘侧壁；以及形成于光电二极管区中的第二扩散区之上的第三扩散区，所述第三扩散区延伸到接近光电二极管区的绝缘侧壁之一以下的区，并包括第二导电型的掺杂剂。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法-CN200610091223.9无效
发明人： 全寅均 -专利权人：东部电子有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造CMOS图像传感器的方法，该制造方法包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。
制造 cmos 图像传感器方法

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