“倪荣萍”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种铌酸锂晶体的生长方法及装置-CN202310889329.7有效
发明人：吴剑波;李胜雨;张虞;倪荣萍 -专利权人：苏州南智芯材科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂晶体的生长方法及装置，所述方法可以控制坩埚旋转。其中，坩埚内设置有铌酸锂的晶料熔融液。将晶种悬停于晶料熔融液的液面上方，并通过加热件烘烤晶种。将晶种浸入晶料熔融液，并快速地将晶种提拉至晶料熔融液的液面上方。再次将晶种浸入晶料熔融液，提拉晶种，并调整晶种的提拉速度对晶种执行缩颈、放肩，以生成铌酸锂晶体。在铌酸锂晶体生长到等径直径时，控制坩埚上升，以使铌酸锂晶体与晶料熔融液的接触界面保持不变。再将铌酸锂晶体提拉至晶料熔融液的液面上方。所述方法可以通过坩埚的旋转，改善晶料熔融液的对流情况，并将固液的接触界面保持在同一位置，可改善晶体生长过程中温度梯度的稳定性。
一种铌酸锂晶体生长方法装置

[发明专利]一种薄膜光学超晶格波导及其制备方法-CN202110961570.7有效
发明人：尹志军;叶志霖;吴剑波;倪荣萍;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜光学超晶格波导及其制备方法，所述薄膜光学超晶格波导包括衬底层、二氧化硅层和压电薄膜层，其中，所述压电薄膜层与二氧化硅层相邻的一侧形成脊型波导，所述脊型波导具有超晶格结构，在所述压电薄膜层上还可以进一步刻蚀，在所述脊型波导相对的位置形成波导凹槽，从而降低波导损耗，本申请提供的制备所述薄膜光学超晶格波导的方法，可以压电晶圆为基础，首先制备脊型波导，再将所述脊型波导进入二氧化硅层，再利用二氧化硅层的平坦表面制备超晶格结构，从而解决了在相同条件下由于超晶格结构的正负畴刻蚀速度不同而造成的波导畴壁不平整的问题。
一种薄膜光学晶格波导及其制备方法

[发明专利]一种薄膜电光调制器及其制备方法-CN202110961560.3有效
发明人：尹志军;倪荣萍;吴剑波;叶志霖;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜电光调制器，所述薄膜电光调制器包括衬底层(1)、压电薄膜层(3)和格栅电极层(4)，其中，所述压电薄膜层(3)的一侧形成脊型波导(6)，并且，所述脊型波导(6)与所述格栅电极层(4)分居所述压电薄膜层(3)的两侧，从而能够在所述压电薄膜层(3)上进行二次刻蚀，使得所述脊型波导(6)对光波具有更强的束缚能力，从而减少信号损耗。本申请还提供一种制备所述薄膜电光调制器的方法，所述方法基于价格低廉的无衬底的压电晶圆进行制备，使用主要成分为二氧化硅的釉料作为粘结剂连接压电薄膜层(3)与衬底层(1)，从而突破传统工艺和成本的限制。
一种薄膜电光调制器及其制备方法

[发明专利]一种基于光声光谱法的气体浓度测量系统及方法-CN202011285473.2有效
发明人：尹志军;崔国新;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于光声光谱法的气体浓度测量系统及方法，该系统中，脉冲光调制器对光源发射器发出的强度相等的第一光束及第二光束进行调制，形成第一脉冲光及第二脉冲光，分别经过标准气室和待测气室后，形成第一声波源及第二声波源。拾音器的位置处于预设标准圆上，当第一声波源与第二声波源在拾音器上产生干涉场时，拾音器将干涉场信号发送至信号处理器。信号处理器计算第一声波源及第二声波源在拾音器上形成的干涉场强度值，并根据干涉场强度值，获取标准气体与待测气体的浓度差，进而获取待测气体的浓度值。上述系统采用一个拾音器和信号处理器进行信号的采集处理，避免了两路信号出现误差，提高了测量结果的准确性。
一种基于声光气体浓度测量系统方法

[发明专利]一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法-CN202210322732.7在审
发明人：吴剑波;倪荣萍;张虞;李胜雨;吴冰 -专利权人：苏州南智芯材科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，通过将还原性单质材料、碳酸锂粉、植物纤维或植物淀粉与水进行机械球磨混合，得复合还原剂，将复合还原剂以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片正反两面，烘干处理后，将晶片交替层叠放置于容器中，将容器转入热处理炉中，对热处理炉进行抽真空处理，调节热处理炉内温度，在氮气氛围下，调节热处炉内压强，对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理，通过前述技术方案，可控制备出还原程度不同的黄黑片/灰片，有效避免晶片破裂，并提高晶片的还原均匀性，同时避免晶片黑化处理过程中产生副产物，提高晶片质量、生产效率及导电性能。
一种增加铌酸锂钽酸锂晶片导电性能处理办法

[发明专利]一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法-CN202210363840.9在审
发明人：吴剑波;吴冰;张虞;倪荣萍;李胜雨 -专利权人：苏州南智芯材科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，通过将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，构成层叠结构，在特定的退火炉工艺条件下，对晶片进行还原黑化处理，通过调节纯棉纸张或纤维布厚度与晶片厚度比值，能够可控制备还原程度不同的铌酸锂或钽酸锂黄黑片/灰片，有效解决了晶片黑化速度过快，晶片还原程度难以控制以及晶片完全黑化等问题，同时有效降低晶片电阻率及光穿透率，提升晶片性能，提高晶片质量并降低生产成本，整个工艺制备过程环保、无污染，还原黑化处理工艺精简，能耗低生产效率低，具有优异的实际生产价值。
一种降低铌酸锂钽酸锂晶片透明度电阻率方法

[发明专利]一种光学晶体吸收损耗的测量方法及装置-CN202011034655.2有效
发明人：尹志军;崔国新;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种光学晶体吸收损耗的测量方法及装置。所述方法包括：根据待测晶体和吸收损耗已知的标准晶体构建测量系统，其中，待测晶体与标准晶体关于预设基准线轴对称，拾音器位于基准线的预设位置上，两束初始参数相同的脉冲激光分别照射在待测晶体的目标测点以及标准晶体的对称测点上；利用构建好的测量系统进行测量时，在预设范围内调节两束脉冲激光的相位差，利用拾音器获取不同相位差下的声波干涉强度，再结合标准晶体的吸收损耗、脉冲激光的光强和标准晶体的尺寸，确定待测晶体的吸收损耗。整个过程中，拾音器无需设置在待测晶体表面，位置较为灵活，使得最终的测量结果不受待测晶体的形状和拾音器摆放位置的影响，准确度较高。
一种光学晶体吸收损耗测量方法装置

[发明专利]一种用于水泥搅拌桩加固软土地基的监测系统及方法-CN202011058020.6有效
发明人：尹志军;崔国新;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： E02D33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于水泥搅拌桩加固软土地基的监测系统及方法，该系统包括安装于水泥搅拌桩顶部的桩监测装置、安装于水泥浆输送管上泵监测装置、数据处理装置以及根据数据处理装置发送的数据，获取水泥搅拌桩上升速度及总水泥浆喷浆量的后台服务器；桩监测装置包括气压传感器、气压数据采集装置、倾角传感器、倾角数据采集装置、姿态传感器以及速度数据采集装置，泵监测装置包括电磁流量计、流量数据采集装置、第一超声密度计以及第一密度数据采集装置。在利用上述系统监测水泥搅拌桩加固软土地基时，通过安装多个不同的传感器采集到的数据相互校正，能够精确判断水泥搅拌桩加固软土地基是否达到预设地基强度要求。
一种用于水泥搅拌加固土地监测系统方法

[发明专利]一种基于密闭伺服腔的激光测风雷达传热方法与装置-CN202111520147.X在审
发明人：赵世军;张虞;单雨龙;倪荣萍;田树银;尹志军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：基于密闭伺服腔的激光测风雷达传热方法，激光测风雷达伺服系统内的激光光源与放大器、线性电源、高速采集卡、探测器电路中的发热电子元件工作时的热量采用三重散热结构设计，组合实现散热功能；在发热电子元件的伺服系统壳后壁设有散热器，散热器紧贴壳后壁，且为环绕翅片结构，增大与空气接触面积，增加散热效率，壳后壁制作材料为铝合金；利用均热板与壳后壁(盖)相紧贴，连接将内部各发热源紧贴均热板，将内部热量能及时的通过壳后壁盖传出；服系统壳为一体式的铝合金铸件，铸件腔内所有元器件支架与具有散热结构的后壳一体化成型，发热元器件内嵌其中。
一种基于密闭伺服激光风雷传热方法装置

[实用新型]一种软管系留的流体喷射推进系统-CN202122335675.X有效
发明人：吕新杰;尹志军;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本申请提供了一种软管系留的流体喷射推进系统。该流体喷射推进系统利用本地装置为流体喷射推进器提供待分配流体，利用系留软管进行待分配流体的传递，流体喷射推进器包括至少一个流体喷射单元以及支撑装置，流体喷射单元包括依次连接的连接管和喷嘴，用于将喷射流体喷出，以使得流体喷射推进器在所有喷射流体所提供的推力的共同作用下进行飞行，控制器根据流体喷射推进器的实时飞行姿态，调整流体喷射单元的喷射流体的喷射量，进而控制流体喷射推进器的飞行轨迹。系统中的流体喷射推进器可以自动飞行并喷射流体，从而在对绿化带进行灌溉时无需环卫人员付出较多的体力劳动，进而可以减少环卫人员的工作量，减轻劳动强度。
一种软管流体喷射推进系统

[发明专利]一种软管系留的流体喷射推进系统-CN202111130567.7在审
发明人：吕新杰;尹志军;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本申请提供了一种软管系留的流体喷射推进系统。该流体喷射推进系统利用本地装置为流体喷射推进器提供待分配流体，利用系留软管进行待分配流体的传递，流体喷射推进器包括至少一个流体喷射单元以及支撑装置，流体喷射单元包括依次连接的连接管和喷嘴，用于将喷射流体喷出，以使得流体喷射推进器在所有喷射流体所提供的推力的共同作用下进行飞行，控制器根据流体喷射推进器的实时飞行姿态，调整流体喷射单元的喷射流体的喷射量，进而控制流体喷射推进器的飞行轨迹。系统中的流体喷射推进器可以自动飞行并喷射流体，从而在对绿化带进行灌溉时无需环卫人员付出较多的体力劳动，进而可以减少环卫人员的工作量，减轻劳动强度。
一种软管流体喷射推进系统

[发明专利]微型立体全息成像装置-CN201911342289.4有效
发明人：尹志军;吴冰;倪荣萍;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G03H1/02 文献下载
摘要：本申请提供的微型立体全息成像装置，包括壳体、底板和像源；所述壳体和所述底板为非透明结构，所述底板连接在所述壳体的底部，所述壳体顶部为开口结构；所述壳体的内壁上设置有纳米光栅膜，所述纳米光栅膜构成环形成像腔；所述底板上设置有高度可调的像源台，以放置所述像源；在所述底板上设置有光源，以便为所述像源提供全角度光照。通过在所述壳体的底部设置所述底板，在所述底板的中部设置有所述像源台，通过设置在所述壳体内壁上的所述纳米光栅膜，将放置在所述像源台上的所述像源，投影到所述壳体顶部的上方，通过设置在所述壳体底部的所述光源，增强对所述像源的光照强度。从而提供一种结构简单、体积小巧的微型立体全息成像装置。
微型立体全息成像装置

[发明专利]一种复合压电基体及其制备方法-CN202110963337.2在审
发明人：吴剑波;尹志军;叶志霖;倪荣萍;张虞;李胜雨;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本申请提供一种复合压电基体及其制备方法，所述复合压电基体包括釉料层(1)以及压电薄膜层(2)，所述方法选用主要成分为二氧化硅的釉料充当复合压电基体的基底，通过涂覆与压电薄膜层(2)熔接为一体，所述方法最高工艺温度不超过550℃，对键合面表面粗糙度要求低，并且，所述釉料对压电薄膜层(2)无损伤，所述复合压电基体还可以包括基底层(3)，所述釉料则作为粘结剂，将所述基底层(3)与所述压电薄膜层(2)粘结于一体形成所述复合压电基体，所述釉料对所述基底层(3)也无损伤，所用熔接设备成本低，能够提高生产效率，降低生产材料成本，准接层与压电晶体层的晶格常数无需接近。
一种复合压电基体及其制备方法

[发明专利]一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法-CN202110963333.4在审
发明人：尹志军;叶志霖;吴剑波;倪荣萍;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法，所述小周期Z切压电晶体晶片，以及基于所述晶片制备的薄膜和波导均具有超晶格结构，并且，所述超晶格结构的周期可以达到6μm以下，甚至可达2μm，并且，所述超晶格结构均具有较为平整的电畴壁，所述超晶格结构通过在晶片上下表面设置具有套刻差的电极对制备，所述方法简便，易于操作，工艺条件易于控制。
一种周期压电晶片薄膜波导及其制备方法

[发明专利]一种片上集成铌酸锂多波复合处理器件及其制备方法-CN202110963336.8在审
发明人：尹志军;倪荣萍;吴剑波;叶志霖;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请提供一种片上集成铌酸锂多波复合处理器件，所述多波复合处理器件能够实现多波产生、调制以及复用等功能，所述片上集成铌酸锂多波复合处理器件基于铌酸锂材料，将频率梳产生器、滤波器、调制器以及复用器等多个功能器件有机地集成于芯片上，所述复合处理器件应用于光模块能够大幅度缩小光模块的体积，提高工作效率及运行稳定性。
一种集成铌酸锂多波复合处理器件及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条