“余晨辉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法-CN202310555610.7在审
发明人： 余晨辉;王鑫;祖源泽;孟雨欣;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法，包括增强型InAs HEMT和耗尽型GaN HEMT，所述增强型InAs HEMT的漏极与耗尽型GaN HEMT的源极电连接；所述增强型InAs HEMT的源极与耗尽型GaN HEMT的栅极电连接，且与外接电路连接；所述耗尽型GaN HEMT的漏极与外接电路连接；所述增强型InAs HEMT的栅极与外加栅压电路连接；其中，所述增强型InAs HEMT的阈值电压高于2.0 V。本发明将改进的增强型InAs HEMT应用于氮化镓共源共栅开关器件，通过提高增强型InAs HEMT阈值电压，从而可提高氮化镓共源共栅开关器件的开关效率。
一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法

[发明专利]一种纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构的制备方法-CN202310476095.3在审
发明人：孟雨欣;余晨辉;成田恬;王奕锦;罗向东;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构的制备方法，制备砷化铟衬底层；采用金刚石纳米颗粒制备所需尺寸的石墨烯纳米管，将制得的石墨烯纳米管纵向放置在衬底层上，并在衬底层上沉积银作为催化剂；将石墨烯纳米管和衬底层快速转移到MBE反应器的加载室中，开始催化制备砷化铟纳米线；砷化铟分子沿着石墨烯纳米管内壁径向生长，控制砷化铟分子的生长时间，即可制得含有砷化铟纳米线或二维层状结构的石墨烯纳米管；将处理后的石墨烯纳米管经过热处理，得到沿纵轴打开的石墨烯纳米管，分离获得纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构。本发明的制备方法可高效制备性能更佳的砷化铟纳米线或二维层状结构，降低生产成本。
一种锌矿砷化铟纳米二维层状结构制备方法

[发明专利]一种极化电场调控的碳化硅功率二极管结构及制备方法-CN202310194315.3在审
发明人： 余晨辉;祖源泽;王鑫;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K10/20 文献下载
摘要：本发明公开一种极化电场调控的碳化硅功率二极管结构及其制备方法。该方法引入热释电材料聚偏二氟乙烯(PVDF)，通过给该材料提供一定强度的电场，使材料发生极化效应，在器件内部产生超强电场，利用极化电场实现对器件内部电场分布的调控，延伸器件的耗尽区，提高碳化硅功率二极管的击穿电压。该材料产生的极化电场方向根据外加电场的方向改变，通过为该材料提供不同方向的电场使该材料产生方向不同的超强极化电场，且极化后产生的电场可长时间保持，可以同时分别实现场板、沟槽以及场浮环功能，实现对功率二极管内部的电场调控，调节器件内部电场的不均匀分布。本发明不仅拥有大击穿电压，而且制备工艺简单，难度低，大大提高了功率二极管的工作性能。
一种极化电场调控碳化硅功率二极管结构制备方法

[发明专利]一种多结端扩展的碳化硅功率二极管及其制备方法-CN202310123710.2在审
发明人：孙昊;余晨辉;刘可怡;华珈;葛子怡;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结端扩展的碳化硅功率二极管，功率二极管为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n+型SiC衬底层、i型SiC外延层；i型SiC外延层顶面中心设有p+型SiC层，在p+型SiC层的外周呈同心圆状设有p型JTE层，p型JTE层顶面覆盖有纳米永磁性颗粒层；沿着p型JTE层径向刻蚀若干个同心圆环状的沟槽结构，且沟槽结构内填充SiO2填充层，相邻沟槽结构之间形成p型SiC掺杂区。本发明在JTE终端结构基础上引入纳米永磁颗粒组成的外磁场和p型SiC掺杂区形成的内磁场有机结合，在p型JTE层引入沟槽结构可以使得p型SiC掺杂区形成规律排列，有效提高功率二极管器件的耐压值。
一种多结端扩展碳化硅功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件-CN202310066043.9在审
发明人： 余晨辉;王鑫;祖源泽;成田恬;王奕锦;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件，包括高压低频耗尽型的SiC JFET器件、低压高频增强型的GaN HEMT器件以及连接SiC JFET器件和GaN HEMT器件并集成封装在同一基板上的热释电器件；其中，所述热释电器件包括自发极化的热释电复合材料层。本发明利用热释电器件对温度变化敏感的热释电效应和共源共栅开关器件工作在高频、高压、大电流的环境中自身产生的热量，避免共源共栅器件中SiC JFET器件发生热失控或者GaN/SiC共源共栅开关器件发生短路时GaN HEMT器件被击穿，保护电路中的共源共栅开关中的SiC JFET器件和GaN HEMT器件。
一种高温保护 gan sic 共源共栅开关器件

[发明专利]一种碳化硅功率二极管的自供电场板结构及其制备方法-CN202211723198.7在审
发明人： 余晨辉;祖源泽;王鑫;成田恬;王奕锦;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率二极管的自供电场板结构及其制备方法，其中自供电场板结构由二氧化硅及热电材料聚偏二氟乙烯组成。利用场板结构中聚偏二氟乙烯的热释电效应，实现对温度变化的感应，释放电荷并产生方向随温度变化改变的强电场，使二极管耗尽区延伸，提高击穿电压，实现自供电的场板功能，并且极化后产生的电场可长时间保持。场板结构中主体材料聚偏二氟乙烯的两个电极为石墨烯和铝，利用串联和并联方式之间的组合将多个供电模块连接在一起，以解决单个模块输出的电压和电流不足的问题。本发明所提出的场板结构无需外加电源即可改善器件内部电场的空间分布、提高器件的击穿电压，此外该结构的制备难度与成本较低，而且稳定易于控制。
一种碳化硅功率二极管自供电场板结及其制备方法

[发明专利]一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法-CN202211645868.8在审
发明人： 余晨辉;祖源泽;王鑫;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法，包括自下而上依次层叠的碳化硅衬底层、氮化铝成核层、弛豫层A、弛豫层B、铝镓氮缓冲层、氮化镓沟道、铝镓氮势垒层；铝镓氮势垒层表面两端设有源极和漏极，铝镓氮势垒层表面设有隔离的绝缘层A和绝缘层B；绝缘层B表面设有栅极层A，且绝缘层A和栅极层A表面设有石墨烯薄膜电极；石墨烯薄膜电极表面左侧设有绝缘层C，绝缘层C表面设有栅极层B、铝电极层；绝缘层A、绝缘层C以及栅极层B组成主栅极和绝缘层B、栅极层A组成副栅极形成串并联混合的双HEMT集成结构。本发明的常闭型氮化镓集成器件的阈值电压可提高至3.7V。
一种阈值电压常闭型氮化集成器件及其制备方法

[发明专利]一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法-CN202211366861.2在审
发明人：孟雨欣;罗曼;成田恬;罗向东;余晨辉 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法，其中该类费米函数由结个数参量与结中心位置参量控制。本发明通过改变结个数参量的大小实现对单结、双结、三结SiC功率二极管JTE结构的变换，通过改变结中心位置参量的大小实现JTE结中心位置的移动和JTE长度的变化，可改进器件JTE结构传统设计方法中所存在的变量多和计算量大的缺点，用于提高具有理想击穿电压的SiC功率二极管结构的设计效率。在类费米函数的作用下，对不同长度和不同掺杂浓度的单、双、三结JTE结构进行扫描式仿真，得到器件击穿电压以结个数参量、结中心位置参量为坐标的二维图，即可找到最大理想击穿电压点所对应二极管作为设计最优解。
一种基于费米函数 sic 功率二极管设计优化方法

[发明专利]一种异质金属仿生构件一体化增材制造方法-CN202210644201.X在审
发明人：张志辉;李星燃;孔德印;余晨辉;蹤雪梅;周倜;陈志凯 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B22F10/38 文献下载
摘要：本发明公开一种异质金属仿生构件一体化增材制造方法，包括：根据服役环境需求选择适合的异质金属构件，异质金属构件用于表示由至少两种不同种类的金属相互沉积而成的，具有一种或多种仿生结构组合的金属构件；根据异质金属构件的物理化学性能的相容匹配性，选取用于制备异质金属构件的连接策略、仿生界面结构和工艺参数，并生成异质金属构件的不同材料分布特征；根据不同材料分布特征，生成异质金属构件的分层轮廓数据和沉积工作路径，并通过送料装置实时混合和/或切换改变沉积异质金属材料，逐层进行定向能量沉积成形，获得异质金属构件；本发明在不损失每种金属的卓越性能的情况下，充分发挥材料的性能优势，实现多功能组合的集成优化。
一种金属仿生构件一体化制造方法

[发明专利]一种异质仿生结构设计及其定向能量沉积增材制造方法-CN202210649539.4在审
发明人：张志辉;李星燃;康忠雄;刘高峰;陈志凯;蔡晶;余晨辉;姜鹏飞 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质仿生结构设计及其定向能量沉积增材制造方法，包括：获取自然结构的结构特征和微观截面特征，生成异质仿生构件三维模型；根据异质仿生构件的工况特征、功能需求和性能约束条件，选择异质仿生结构模型及异质金属材料；异质仿生结构由具有仿生结构的梯度结构和/或分层结构和/或互锁结构组成；对异质仿生构件三维模型进行有限元分析，生成分层轮廓数据和沉积工作路径；根据分层轮廓数据和沉积工作路径，通过送料装置实时混合和/或切换改变沉积金属材料，逐层进行定向能量沉积成形，制备具有仿生结构的异质仿生构件；本发明具有一体化、可定制、自由度高等特点，可有效控制异质金属之间的连接强度、成形特征、功能特性。
一种仿生结构设计及其定向能量沉积制造方法

[发明专利]集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202210216015.6在审
发明人： 余晨辉;秦嘉怡;成田恬;沈倪明;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法，该方法使用p‑GaN/n‑GaN/p‑GaN三层结构替代传统的p‑GaN覆盖层，从而这三层结构可与其下方n‑AlGaN势垒层形成GaN基晶闸管结构。由于GaN基晶闸管的开启电压大，集成GaN晶闸管的常闭型HEMT器件可以拥有更大的正阈值电压。当外加偏压达到阈值电压后，HEMT器件导通，此时GaN基晶闸管所需的维持电压低且可产生大电流，HEMTs将拥有大的工作漏电流。切断HEMTs的栅极电压后，在正向漏电压作用下，GaN基晶闸管将处于反向阻断状态，HEMTs会被瞬间关闭。同时，器件制备过程为纯氮化镓工艺，工艺简单。
集成氮化晶闸管常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法-CN202210186426.5在审
发明人： 余晨辉;沈倪明;陈红富;秦嘉怡;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，其中该功率二极管是由碳化硅与氧化铝组成。本发明首先利用FP和Al2O3在SiC半导体工艺中实现横向渐变掺杂，然后将这种渐变掺杂应用到JTE结构中，用来解决传统双区JTE终端结构中击穿电压小、JTE区掺杂浓度窗口窄等问题。在Al2O3的高介电常数特性和FP技术的共同作用下会在JTE区上方产生强度合适的电场，用来调控JTE内部空穴在纵向空间当中的不均匀分布，避免空穴过于集中在Al2O3与JTE区的界面处。所以，本发明中的SiC功率二极管不仅拥有大击穿电压、宽JTE区掺杂浓度窗口，而且制备难度低、易操作，这大大提高了PiN功率二极管的工作性能。
一种板结碳化硅功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法-CN202210132759.X在审
发明人： 余晨辉;陈红富;沈倪明;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法。此器件主要结构为圆柱结构，自下至上依次为N+型SiC衬底层、N‑型SiC漂移层、P+型SiC层；此器件的三个JTE结构，环绕P+型SiC层呈同心圆状自内向外扩展，同为P型杂质掺杂，但掺杂大小和均匀度各不相同；上下电极分别自P+型SiC层与N+型SiC衬底层处引出。其中G‑JTE2层的渐变杂质掺杂，是通过引入石墨烯作为掩膜层的离子注入技术及掩膜层的垂直位移控制技术来实现的。本发明创造性地改进了SiC渐变杂质掺杂的工艺和器件JTE结构，能够降低JTE技术中设计杂质浓度的难度，增大器件的击穿电压与JTE层掺杂剂量窗口。
一种终端扩展结构碳化硅功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种防火报警装置用探测器及其制作方法-CN202010934937.1有效
发明人： 余晨辉;陈红富;徐腾飞;沈倪明;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种防火报警装置用探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN缓冲层、n型Al0.4Ga0.6N层、i型Al0.4Ga0.6N势垒层、p型Al0.4Ga0.6N层和p型GaN层；所述p型GaN层上还生长有具有周期性的多量子阱相耦合而成的i‑GaN/i‑Al0.3Ga0.7N超晶格结构层；所述i‑GaN/i‑Al0.3Ga0.7N超晶格结构层的顶部生长有GaN纳米线阵列；所述GaN纳米线阵列顶部设有交叉指状电极。本发明集成了GaN纳米线阵列，不仅使得防火报警装置用探测器具有了多功能性的特点，即同时实现了红外光，紫外光和烟雾探测，还有效地降低了误报率。同时能够检测烟雾中的一氧化碳，二氧化硫，二氧化碳，实现了防火报警装置用探测器的多功能性，高可靠性，高准确性，高安全性以及高实用性，使烟雾报警器的运用更加广泛。
一种防火报警装置探测器及其制作方法

[发明专利]一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法-CN202111648809.1在审
发明人： 余晨辉;沈倪明;秦嘉怡;成田恬;王鑫 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法，该微波二极管是由硒化铟(InSe)与黑磷(BP)组成的垂直异质结结构。本发明创造性地将制备碰撞离化雪崩渡越时间(IMPATT)微波二极管的传统材料替换成二维材料BP，并利用BP所独有的弹道雪崩机制，一种无散射的量子相干输运雪崩模式，使得该发明中IMPATT微波二极管在雪崩噪声方面明显低于传统雪崩器件，雪崩阈值电压也比传统器件降低2至3个数量级。除此之外，本发明还利用BP的双极性特征使得在制备IMPATT二极管时不需要对材料进行化学掺杂，降低器件的制备难度。与传统材料制备而成的IMPATT二极管相比，本发明中的IMPATT二极管不仅拥有较低的雪崩噪声与雪崩击穿电压，而且制备简单，从而大大提高了器件的工作性能。
一种噪声工作电压微波二极管及其制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条