专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种风电叶片成型用尼龙共挤膜及其生产工艺-CN202210572648.0在审
  • 何平安 - 何平安
  • 2022-05-25 - 2022-07-29 - C08L77/00
  • 本发明公开了一种风电叶片成型用尼龙共挤膜,具体包括以下步骤:S1、将尼龙原料从原包装拿出来,尼龙原料材料的含水率控制在0.06%以下,用真空、旋转桶加热方法去除水分,每次干燥量不得超过干燥器容积的五分之三,抽真空的真空度应达到0.05‑0.4MPa,旋转桶加热时采用水蒸汽加热,以水蒸汽量来控制加热温度,温度控制在30‑80℃,干燥好之后将尼龙原料取出放置备用;本发明涉及风电叶片技术领域。该风电叶片成型用尼龙共挤膜及其生产工艺,整体工艺流程简单,制得的风电叶片具有很好的抗紫外线效果,增加了整体的使用寿命,且整体的耐热性、抗拉强度和耐磨性较好,适用于外界的恶劣环境,保证了整体的使用效果,安全可靠。
  • 一种叶片成型尼龙共挤膜及其生产工艺
  • [发明专利]miR159在改变植物根系形态中的应用-CN201810420340.8有效
  • 王金祥;何平安;李波娣;徐锋;陶平;许志豪 - 华南农业大学
  • 2018-05-04 - 2021-07-09 - C12N15/82
  • 本发明公开了miR159在改变植物根系形态中的应用,并公开了基于miR159的改变植物根系形态的方法。本发明利用大豆转基因技术过量表达miR159基因家族的miR159e,研究发现miR159e能够改变大豆根系形态,与野生型大豆相比,过表达miR159e的转基因大豆植株,主根长都有明显下降,根鲜重都有明显上升,高磷条件下作用更加明显,即过表达miR159e的转基因大豆植株的根系更加发达,具有更强的吸收养分能力和抵御干旱的能力,尤其是高磷条件下更加明显,在培育具有更强的吸收养分能力和抵御干旱能力的转基因大豆方面,具有更广泛的潜在应用前景。
  • mir159改变植物根系形态中的应用
  • [发明专利]GmLPRF1调控植物根发育及其应用-CN201910028643.X有效
  • 王金祥;何平安;许志豪;欧斯艳 - 华南农业大学
  • 2019-01-11 - 2021-03-12 - C12N15/29
  • 本发明公开了一个促进植物根系生长的基因,其核苷酸序列如SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2或SEQ ID NO:3所示。其编码了一个促进植物根系生长的蛋白,其氨基酸序列如SEQ ID NO:4所示。本发明的GmLPRF1基因能够显著促进植物根系生长。本发明为包括大豆在内的各种植物,参与低磷胁迫应答机制和根的形态发育提供理论基础;同时为植物通过改变根系形态及构型,来适应低磷胁迫,提供了一个实用典范;本发明通过过表达GmLPRF1基因促进植物根系生长,进一步对植物适应低磷胁迫和揭示磷对植物根的生长发育具有重要的理论和实践意义。
  • gmlprf1调控植物发育及其应用
  • [发明专利]GmLPRF1调控植物开花和株高的应用-CN201910028638.9有效
  • 王金祥;何平安;许志豪;欧斯艳 - 华南农业大学
  • 2019-01-11 - 2020-08-07 - C12N15/29
  • 本发明公开了GmLPRF1调控植物开花和株高的应用,GmLPRF1基因核苷酸序列如SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2或SEQ ID NO:3所示;GmLPRF1蛋白氨基酸序列如SEQ ID NO:4。本发明的GmLPRF1基因能够显著推迟植物开花时间,增加株高,在开花功能上具有重要作用。在正常的营养条件下,过表达GmLPRF1基因能够显著延迟植物的开第一朵花时间,导致植物营养生长期延长,进一步使地上部生物量增加,对农作物增产具很大的利用价值和商业价值,值得推广和应用。
  • gmlprf1调控植物开花应用
  • [发明专利]基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法-CN201711185924.3有效
  • 邓联贵;郑国兴;李子乐;戴琦;邓娟;付娆;陶金;杨奇;刘勇;毛庆洲;何平安;李松 - 武汉大学
  • 2017-11-23 - 2019-05-10 - G02B5/30
  • 本发明公开了基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法,该圆偏振起偏器包括一基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列;基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列,与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列;反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的反射式纳米砖阵列单元构成;反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干方向角不同的电介质纳米砖构成;透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的电介质纳米砖构成。本发明可将一束随机偏振态的入射光,高效转换为两束旋向相同且传播方向不变的圆偏光;同时,本发明还具有低损耗、易制造、结构紧凑、宽带适用等优点。
  • 基于纳米材料偏振起偏器制备方法
  • [发明专利]一种硅纳米砖阵列偏振分光器-CN201510223192.7有效
  • 李子乐;郑国兴;何平安;李松;田昕;周辉;赵江南;高俊玲;杨晋陵;张霜 - 武汉大学
  • 2015-05-05 - 2018-05-01 - G02B5/30
  • 本发明公开了一种硅纳米砖偏振分光器,属于微纳光学及偏振光学领域。一种硅纳米砖阵列偏振分光器,包括透明衬底和透明衬底上均匀分布的硅纳米砖阵列,所述硅纳米砖为长方体,且纳米砖的排列方向相同;当入射光垂直入射时,偏振方向沿纳米砖长边和短边的光分别发生反射和透射。该硅纳米砖阵列偏振分光器能够使偏振方向互相垂直的两种线偏振光一种近乎全透、一种近乎全反,从而将这两种偏振态的光完全分离,同时不改变系统光轴方向;硅纳米砖偏振分光器可采用二元光学器件的制备方法,且容易对其进行大规模复制生产;具有分光效果好,体积小,重量轻,结构紧凑,易于集成,符合光学器件发展趋势。
  • 一种纳米阵列偏振分光

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