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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制作方法-CN201910634906.1有效
发明人：王慧琳;翁宸毅;谢晋阳;李怡慧;刘盈成;施易安;张境尹;曾奕铭;王裕平;林建廷;何坤展;邹宜勋;李昌珉;曾译苇;赖育聪;谢军 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
磁阻随机存取存储器及其制作方法

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN202310327743.9在审
发明人：周逸豪;傅子豪;谢宗殷;张志圣;蔡世群;何坤展;林泱佐 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，该制作金属内连线结构的方法为，首先形成一第一金属内连线于一基底上的一第一金属间介电层内，然后形成一遮盖层于第一金属内连线上，形成一第二金属间介电层于遮盖层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第二金属间介电层以形成一开口，进行一等离子体处理制作工艺，再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分遮盖层。
金属连线结构及其制作方法

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN201810933058.X有效
发明人：周逸豪;傅子豪;谢宗殷;张志圣;蔡世群;何坤展;林泱佐 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，该制作金属内连线结构的方法为，首先形成一第一金属内连线于一基底上的一第一金属间介电层内，然后形成一遮盖层于第一金属内连线上，形成一第二金属间介电层于遮盖层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第二金属间介电层以形成一开口，进行一等离子体处理制作工艺，再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分遮盖层。
金属连线结构及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法-CN202110291982.4在审
发明人：王慧琳;黃柏允;张温文;何坤展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包括多个磁阻式随机存取存储器单元，一原子层沉积介电层位于该些磁阻式随机存取存储器单元的外侧以及该些磁阻式随机存取存储器单元之间，其中该磁阻式随机存取存储器单元的上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中的氮成分比例大于钛成分比例复又大于氧成分比例，该氮成分比例从该上电极层的顶面往内部递增直到达至一深度后开始递减至一第一水平后持平，该钛成分比例从该上电极层的顶面往内部递减至该深度后开始递增至一第二水平后持平。
磁阻随机存取存储器结构及其制作方法

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN202011082669.1在审
发明人：周逸豪;傅子豪;谢宗殷;张志圣;蔡世群;何坤展;林泱佐 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，其中该金属内连线结构主要包含第一金属内连线设于一基底上的一金属间介电层内且第一金属内连线上表面切齐金属间介电层上表面、一第二金属内连线设于第一金属内连线上以及一遮盖层设于第一金属内连线以及第二金属内连线之间，其中遮盖层包含一导电层以及U形接触该第一金属内连线以及该第二金属内连线。
金属连线结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201910609150.5在审
发明人：李珮瑈;何坤展;陈炫旭;陈俊隆 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上以及一上电极于该MTJ上，然后形成一第一金属间介电层环绕该MTJ以及该上电极，形成一停止层于该第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于该停止层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除该第二金属间介电层以及该停止层，进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该上电极，再形成一金属内连线连接该上电极。
半导体元件及其制作方法

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