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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110202244.8在审
发明人：矢幡将二郎;佐藤徹治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。所述方法用于在等离子体处理装置中通过等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置具备：腔室；上部电极构造，其构成腔室的上部，该上部电极构造具有被进行温度控制的板、配置于板的下方的电极板以及夹设于电极板与板之间的静电吸附部，静电吸附部包括与板的下表面接触的接触面、吸附电极板的上表面的吸附面、第一电极以及第二电极；电源，其向第一电极和第二电极施加电压；以及温度获取部，其获取电极板的温度分布，所述方法包括：或获取工序，获取电极板的温度分布；施加工序，根据温度分布向第一电极施加第一电压并向第二电极施加第二电压；以及处理工序，通过等离子体对基板进行处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201911220416.3在审
发明人：塚原利也;山边周平;谷地晃汰;佐藤徹治;内田阳平;铃木步太;田村洋典;花冈秀敏;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910860702.X在审
发明人：内田阳平;佐藤徹治;矢幡将二郎;高瀬均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01J37/24 文献下载
摘要：本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法-CN200510092299.9有效
发明人：宫田浩二;佐藤徹治 -专利权人：信越化学工业株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子处理装置和等离子处理方法。要被处理的衬底容纳在内部设有等离子发生器的真空室中，以便产生等离子，用于在衬底上进行等离子处理。在真空室外提供用于在衬底周围产生多极磁场的磁场发生器。磁场发生器包括内环形状的磁场发生部分和外环形状的磁场发生部分，两者都与真空室以同心关系设置在真空室外面，并可彼此独立旋转。
等离子处理装置方法