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[发明专利]透明导电膜的制造方法-CN201910038774.6有效
发明人：拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
透明导电制造方法

[发明专利]透明导电性膜及其制造方法-CN201580001716.6有效
发明人：藤野望;梨木智刚;加藤大贵;待永广宣;佐佐和明;上田惠梨;松田知也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×10²⁰原子/cm³以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10^‑4Ω·cm以上且2.8×10^‑4Ω·cm以下。
透明导电性及其制造方法

[发明专利]电磁波吸收体以及具备该电磁波吸收体的带有电磁波吸收体的成形体-CN201680062050.X有效
发明人：山形一斗;待永广宣;宇井丈裕;请井博一;北川祐矢;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
电磁波吸收体电介质层氧化铟锡电阻层高分子薄膜薄层电阻成形体导电层氧化锡

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201910322990.3在审
发明人：川上梨恵;梨木智刚;藤野望;佐佐和明;待永广宣;黑濑爱美;松田知也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10^‑4Ω·cm～3.0×10^‑4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
透明导电性薄膜透明导电层高分子薄膜电阻率基材铟锡复合氧化物残余应力耐裂纹性长条状成卷状结晶质主表面制造

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201580001616.3有效
发明人：宫本幸大;佐佐和明;待永广宣;上田恵梨;黑瀬爱美;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度n_a×10¹⁹为(10～60)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_a为10～25cm²/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度n_c×10¹⁹为(80～150)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_c为20～40cm²/V·s，由{(n_c‑n_a)²+(μ_c‑μ_a)²}^1/2定义的移动距离L为50～150。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电性膜及其制造方法-CN201580022929.7有效
发明人：藤野望;梨木智刚;加藤大贵;待永广宣;佐佐和明;上田惠梨;松田知也;川上梨惠 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×10²⁰原子/cm³以下。
透明导电性及其制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201580001267.5有效
发明人：川上梨恵;加藤大贵;佐佐和明;待永广宣;宫崎司;上田恵梨 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201480005116.2有效
发明人： 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜，且前述底涂层的至少1层通过干法而形成。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
透明导电薄膜及其制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201480005117.7有效
发明人： 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
透明导电薄膜及其制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201480005113.9有效
发明人： 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10‑4～2.0×10‑4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
透明导电性薄膜及其制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法-CN201480005118.1有效
发明人： 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
透明导电薄膜制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201580002175.9在审
发明人：川上梨恵;梨木智刚;藤野望;佐佐和明;待永广宣;黑濑爱美;松田知也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
透明导电性薄膜及其制造方法

[发明专利]透明导电膜的制造方法-CN201280068061.0在审
发明人：拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
透明导电制造方法

[发明专利]透明导电性膜-CN201310597960.6有效
发明人：竹安智宏;山本祐辅;金谷实;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
透明导电性

[发明专利]染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料-CN201210105777.5无效
发明人：五十岚一雅;长谷川由纪;吉田直子;山田泰美;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01G9/004 文献下载
摘要：本发明提供染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料。其中带透明导电电极层(5)的对电极侧基板(1)与具有透明导电电极层(5′)的工作电极侧基板(1′)在使两电极层(5，5′)为内侧的状态下对向配置，一对基板(1，1′)间的空隙被配置于这些基板内侧面周缘部的密封材料(4)密封，在密封的空隙内封入电解质溶液(6)。两基板(1，1′)由高分子树脂材料形成，在基板(1，1′)和电极层(5，5′)之间分别配置无机层(2，2′)，(3，3′)，密封材料4由以特定氢化弹性体衍生物为必要成分的光聚合性组合物(A)的固化物形成，与密封材料(4)接触的无机层(3，3′)的部分被(甲基)丙烯酰氧基烷基硅烷类硅烷偶联剂被覆。
染料敏化型太阳能电池用于密封材料

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