专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]羰基化合物的制造方法-CN200480007533.7无效
  • 高野尚之;萩谷弘寿 - 住友化学株式会社
  • 2004-03-24 - 2006-04-19 - C07C67/313
  • 本发明提供了用式(2)表示的羰基化合物和用式(3)表示的羰基化合物的制造方法,其特征在于在三价铋化合物和碱的存在下,使式(1)(式中,R1、R2、R3和R4分别相同或者不同,表示取代或者未取代的烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的芳烷基、取代或者未取代的酰基、取代或者未取代的烷氧基羰基、取代或者未取代的芳氧基羰基、取代或者未取代的芳烷基氧基羰基、羧基或者氢原子,或者R1和R2、或者R3和R4也可以通过相结合而与其键合碳原子一起形成环。其中,R1、R2、R3和R4不全部同时是氢原子)所示的二醇类和溴或者无机溴化合物反应,其中式(2)的结构式为:如式(2)(式中,R1和R3表示与上述相同的含义),式(3)的结构式为:如式(3)(式中,R2和R4表示与上述相同的含义)。
  • 羰基化合物制造方法
  • [发明专利]吡唑化合物-CN200480007681.9无效
  • 桥爪雅也;坂本典保;田京隼人 - 住友化学株式会社
  • 2004-02-03 - 2006-04-19 - C07D231/20
  • 一种由式(a)表示的吡唑化合物:其中R1表示C1-4烷基或三氟甲基,R2表示C1-4烷基,R3表示氢或C1-6烷基;R4表示卤素等,m表示0-4的整数;R5表示卤素等,n表示0-4的整数;R6和R7相同或者不同,并且各自表示氢、卤素或甲基;X表示氧或由R8O-N表示的基团;R8表示氢、C1-6烷基等。该化合物在防治有害节肢动物方面有高活性。
  • 吡唑化合物
  • [发明专利]光学层压材料-CN200510116557.2有效
  • 竹厚流;河村晃;肥后笃 - 住友化学株式会社
  • 2005-09-15 - 2006-04-12 - C08J5/12
  • 一种光学层压材料,包含依序层压的抗反射膜1、偏振膜2、粘合层3、用于液晶显示器的玻璃元件4、粘合层5和偏振膜6,其中粘合层3的最大损耗因数A与粘合层5的最大损耗因数B的比值(A/B)是1.1或更高。最大损耗因数是指损耗模量(E″)/储能模量(E′)(=tanδ)的最大值,各自通过在-70℃至200℃的温度范围中加热粘合层测定。升温速率为4℃/min,频率为1Hz。
  • 光学层压材料
  • [发明专利]切割机以及标准尺寸片的制造装置-CN200510107562.7无效
  • 樫本尊久;绵贯旨彦 - 住友化学株式会社
  • 2005-09-29 - 2006-04-12 - B26D1/56
  • 本发明提供一种切割机,可以对硬质合成树脂片、尤其是宽的、板厚薄的、橡胶成分的添加量少的丙烯酸树脂等的硬质合成树脂片以高质量的切割面进行切割。并且,提供从连续流动的硬质合成树脂片中不产生切屑地切割出标准尺寸片的切割机。切割机(10)具有上下相对设置的上刀刃(12A)和下刀刃(12B),在刀刃的两侧面上件比刀刃更突出地设置弹性部件(19A、19B),上述弹性部件在切割时夹持硬质合成树脂片(7),被设置在上刀刃和下刀刃的任何一方的刀刃的两侧面上的弹性部件由离刀刃近的部分的弹性部件和离刀刃远的部分的弹性部件形成,上述离刀刃近的部分的弹性部件的硬度与离刀刃远的部分的弹性部件的硬度不同。
  • 切割机以及标准尺寸制造装置
  • [发明专利]热成型品的制造方法-CN200510116531.8无效
  • 小仓公司 - 住友化学株式会社
  • 2005-09-30 - 2006-04-12 - C23C14/24
  • 在附加了保护膜的热塑性树脂板的热成型中,防止保护膜的剥离,便利地制造贴附保护膜的热成型品。用具有支持体以及夹持构件的装置夹持两面贴附树脂膜的热塑性树脂板并热成型。在此,上述夹持构件至少在与上述树脂膜接触的部位上具有含有选自碳化钛、氮化钛、碳化氮化钛和碳化钨的至少一种的表面。
  • 成型制造方法
  • [发明专利]氮化镓单晶基板及其制造方法-CN200480006280.1无效
  • 平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;小野善伸 - 住友化学株式会社
  • 2004-03-04 - 2006-04-12 - H01L21/20
  • 本发明涉及一种具有降低了位错密度的III-V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法,其特征在于,在制造具有作为由通式InxGayAlzN(式中x+y+z=1,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)表示的III-V族化合物半导体单晶,降低了位错密度的III-V族化合物半导体单晶的外延基板时,具有第一工序和第二工序,其中所述第一工序,使用具有多个突起状形状的该III-V族化合物半导体单晶,用由与该III-V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分;所述第二工序,以该开口部分的III-V族化合物半导体单晶作为种晶,使该III-V族化合物半导体单晶沿着横向生长;能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III-V族化合物半导体单晶的自立基板。
  • 氮化镓单晶基板及其制造方法
  • [发明专利]化学放大型光刻胶组合物-CN200510106482.X无效
  • 山本敏;花元幸夫;桑名耕治 - 住友化学株式会社
  • 2005-09-26 - 2006-04-05 - G03F7/004
  • 本发明提供一种化学放大型光刻胶组合物,其包含处理过的树脂(1)、酸生成剂和溶剂,其中树脂(1)是:(a)(甲基)丙烯酸类树脂,其不溶于或难溶于碱性水溶液,并且通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液,并且其包含在它的侧链中含有脂环族烃基的重复单元;或(b)苯乙烯类树脂,其不溶于或难溶于碱性水溶液,并且通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液,并且其包含衍生自羟基苯乙烯的重复单元,并且其中处理过的树脂(1)是通过下面的方法得到的:(A)在40至90℃下粗树脂(1)与活性碳接触,得到半处理的粗树脂(1),和半处理的粗树脂(1)与选自硅藻土和硅胶中的至少一个成员接触,或(B)在40至90℃下粗树脂(1)与活性碳和选自硅藻土和硅胶中的至少一个成员接触。
  • 化学大型光刻组合
  • [发明专利]六氢呋喃并呋喃醇衍生物的制备方法、其中间体及其制备方法-CN200380109926.4无效
  • 池本哲哉;朴东国 - 住友化学株式会社
  • 2003-10-27 - 2006-03-29 - C07D493/04
  • 本发明提供不使用臭氧氧化或毒性强的试剂,可高效且工业化低成本地制备可用作药物中间体的化合物(XIV)的方法、以及该方法中使用的中间体。特别是提供无须使用光学离析等方法即可制备具有式(XV)所示绝对立体构型的化合物及其对映异构体的方法,以及该方法中使用的中间体。(1)以化合物(XIII)为起始原料,转换成化合物(I),导入保护基,然后后还原,环化,制备化合物(XIV)。特别是以化合物(XIII)为原料,经由化合物(XX),转换成化合物(I),制备化合物(XIV)。以旋光体化合物(XIII)为起始原料,高立体选择性地制备具有式(XV)所示绝对立体构型的化合物等。(2)以化合物(XXI)为起始原料,立体选择性还原,转换成化合物(XXII),再导入保护基,还原,环化,得到化合物(XXVI),使羟基反转,制备化合物(XV)。各式中,各记号与说明书中含义相同。
  • 呋喃衍生物制备方法中间体及其

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