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[发明专利]抑菌方法-CN202180007337.3在审
发明人：内藤敬祐 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：提供一种抑菌方法，既抑制对人体的影响，又抑制菌类的增殖。一种抑菌方法，抑制对象区域内的菌类的增殖，其中，包含以由下述(1)式规定的DMax(μW/cm2)以下的平均照度对对象区域照射主峰值波长为200nm以上且230nm以下的紫外线的工序(a)：DMax＝9391.1×exp(－0.043λ)…(1)，其中，在(1)式中，λ是主峰值波长(nm)。
方法

[发明专利]不活化装置及不活化方法-CN202210009387.1在审
发明人：五十岚龙志;奥村善彦 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明能够在有效率地对有害的微生物或病毒进行不活化的同时，对人眼的不良影响小，确保眼睛的安全性。不活化装置在人存在的空间内放射光、对存在于该空间内的微生物及/或病毒进行不活化。不活化装置具备具有放射对微生物及/或病毒进行不活化的波长范围的光的光源的光照射单元；和控制由光源进行的光的照射的控制部。上述光是位于200nm～235nm波长范围的紫外线。控制部按照存在于空间内的人眼中的紫外线的实效入射照度达到一定照度范围内的方式控制光源。
活化装置方法

[发明专利]菌或病毒的灭活装置-CN202180002557.7在审
发明人：奥村善彦 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： A61L9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种菌或病毒的灭活装置，其能够在考虑对人体的影响的同时，高效地进行人可能存在的空间内的灭活。菌或病毒的灭活装置具备：光源，射出在属于190nm～235nm的范围内的特定波长区域示出光输出的紫外线；控制部，进行光源的点亮控制；以及感测部，感测作为紫外线的照射区域的一部分或与照射区域邻接的区域的感测对象区域内是否存在人。当感测部感测到人的不存在时，控制部对光源进行使单位时间内的紫外线的累计照射量增加的控制。
病毒装置

[发明专利]紫外线照射装置-CN202080085770.4在审
发明人：柳生英昭 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J65/00 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外线照射装置，抑制了对人体造成的影响的程度。紫外线照射装置具备：灯罩，至少在一个面形成有光取出面；准分子灯，在灯罩内被收容于相对于所述光取出面在第一方向上分离的位置，并发出主要的发光波长属于190nm以上且225nm以下的第一波段的紫外线；一对电极，用于向准分子灯的发光管施加电压；光学滤波器，配置于光取出面，实质上透射第一波段的紫外线，另一方面，实质上不透射波长为240nm以上且300nm以下的紫外线；及光扩散体，在灯罩内，至少一部分在第一方向上配置于比光学滤波器靠准分子灯侧，并使所入射的光扩散反射。
紫外线照射装置

[发明专利]电介质阻挡式等离子体产生装置以及电介质阻挡式等离子体产生装置的等离子体放电开始方法-CN202180007023.3在审
发明人：平冈尊宏;中村谦介;鲛岛贵纪 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种电介质阻挡式等离子体产生装置，具备：电介质基板；高电压侧电极，其设于电介质基板的第一面侧；低电压侧电极，其设于电介质基板的第二面侧；以及电导入部，其设于高电压侧电极的一端；在电介质基板与低电压侧电极之间，形成有用于使气体从一端侧流向另一端侧的气体流路，在气体流路的另一端侧，形成有用于将流过气体流路的气体以及在气体流路中产生的等离子体吹出的吹出口，电介质基板具有厚度随着靠近吹出口而变薄的部分。
电介质阻挡等离子体产生装置以及放电开始方法

[发明专利]真空紫外光偏振元件、真空紫外光偏振装置、真空紫外光偏振方法及取向方法-CN201980034821.8有效
发明人：那胁洋平;鹤冈和之 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明的课题在于提出能够用于光取向等处理的真空紫外光偏振元件的更适当的构成，并且提供利用真空紫外光进行光取向的适当的技术构成。上述课题通过下述手段得以解决：设置在透明基板(1)上的栅(2)由平行延伸的多个线状部(3)构成。各线状部(3)的材料是氧化铪之类的第3族或第4族元素的氧化物，且是在由式PE＝T2×log10(ER)(其中，T为栅的透射率，ER为栅的消光比)得到的PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中PE达到0.2以上的材料。各线状部(3)之间为空间而无填充物，配置有真空紫外光偏振元件(6)的空间用不活泼性气体替换。进行光取向时，工件(10)配置在距真空紫外光偏振元件(6)1～20mm以下的位置，真空紫外光的照射量为40～4000mJ/mm2以下。
真空紫外光偏振元件装置方法取向

[发明专利]光照射装置-CN201810436629.9有效
发明人：松岛竹夫 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： F21V29/503 文献下载
摘要：提供不会使装置规模扩大、冷却能力优异的光照射装置。光照射装置有壳体、配置于作为构成上述壳体的面之一的第一面的附近的光源部、包含与光源部邻接地配置的翅片的散热器、及设于在与第一面正交的第一方向上离开第一面的位置的进气口。翅片具备：多个板状部件，通过将板面沿与第一面平行的方向分离地配置而成，该板面具有第一区域和第一方向的长度比第一区域短的第二区域；流入部，设于在第一方向上与第一面对置的位置，由第一区域彼此的分离部形成；及流出部，在与第一面平行的方向上设于与流入部不同的位置，由板面彼此的分离部形成。光照射装置具备以将第一区域彼此的分离部中的由与第一方向平行的面构成的分离部覆盖的方式设置的导风部件。
照射装置

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN202111430169.7在审
发明人：井上裕隆;萩元将人;奥村忠嗣 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制因芯片内的高度的差异而产生的实用上的问题的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有基板(1)；层叠于所述基板的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域。从所述多个发光区域的每一个放射的激光的光谱中的峰值波长(λ)的值根据所述发光层(EL)距所述第一面的厚度EH而不同。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置以及光学设备装置-CN202111428627.3在审
发明人：萩元将人;奥村忠嗣;井上裕隆 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种有助于提高可见度和画质的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有：基板(1)；层叠于所述基板(1)的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域，在从所述多个发光区域放射的激光中，至少一个激光的光谱中的峰值波长与其他激光的光谱中的峰值波长之差为1.5nm以上。
半导体激光装置以及光学设备

[发明专利]紫外光照射装置、紫外光照射装置的使用方法及紫外光的照射方法-CN202180002568.5在审
发明人：内藤敬祐;柳生英昭;久野彰裕;藤泽繁树 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明提供能够有效地将微生物灭活的紫外光照射装置及该紫外光照射装置的使用方法。紫外光照射装置具备：放射190nm～235nm的紫外光的光源；收容所述光源的壳体；将由所述光源放射的所述紫外光取出至所述壳体外的取出部；以及使所述紫外光扩散的扩散构件。
紫外光照射装置使用方法方法

[发明专利]放电灯、放电灯的电极及放电灯的电极的制造方法-CN202111360981.7在审
发明人：幸贵史 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01J61/52 文献下载
摘要：本发明提供一种放电灯、放电灯的电极及放电灯的电极的制造方法，旨在实现放电灯的高输出化及长寿命化。在内部具有沿轴向相对配置的一对电极的放电灯中的所述电极的至少一个电极在所述电极的主体的内部具备：传热体，与构成所述主体的材料相比熔点较低；及限制体，由与所述传热体相比熔点较高的材料构成，且包括在所述轴向及与所述轴向正交的径向上延伸的叶片，并对所述传热体的对流进行限制。所述主体的内壁面中与所述限制体接触的区域及所述限制体的表面中与所述内壁面接触的区域中的至少一方的表面粗糙度Rz为1.52μm以下。
电灯电极制造方法

[发明专利]灭活装置以及灭活方法-CN202111078356.3在审
发明人：内藤敬祐;寺田庄一;佐畠健一 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： A61L2/24 文献下载
摘要：能够有效并且更适当地进行使用了抑制对人体的不良影响的波长范围的紫外线的微生物和/或病毒的灭活。灭活装置具备：光源部，放射在190nm～235nm的波长频带具有中心波长的紫外线；感测部，对于对象空间内是否存在人进行感测；以及控制部，对光源部的点亮状态进行控制。控制部以如下方式进行控制：具备在感测部感测到人的存在的期间执行的第一点亮动作和在感测部未感测到人的存在的期间执行的第二点亮动作，对从光源部放射的紫外线量进行变更，第一点亮动作中的紫外线的平均照度被控制为比第二点亮动作中的紫外线的平均照度低。
装置以及方法

[发明专利]LED元件及其制造方法-CN202111448950.7在审
发明人：石原邦亮 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：在与生长基板不同的支承基板上形成外延层而成的LED元件中，抑制支承基板的背面侧的碎屑的出现。LED元件具备：由Si构成的支承基板；形成于支承基板的上层、且由金属材料构成的接合层；形成于接合层的上层的n型或p型的第一半导体层；形成于第一半导体层的上层的活性层；以及形成于活性层的上层、且与第一半导体层的导电型不同的第二半导体层。支承基板以(001)面为一个主面，呈具有与[110]方向实质上平行的边和与[1‑10]方向实质上平行的边的矩形板状。第二半导体层以(001)面为一个主面，该第二半导体层的[110]方向或[1‑10]方向相对于支承基板的[110]方向实质上平行。
led 元件及其制造方法

[发明专利]LED元件及其制造方法-CN202111449923.1在审
发明人：石原邦亮 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：在与生长基板不同的支承基板上形成外延层而成的LED元件中，提高芯片化后的芯片剪切强度。LED元件具备：由Si构成的支承基板；形成于支承基板的上层、且由金属材料构成的接合层；形成于接合层的上层的n型或p型的第一半导体层；形成于第一半导体层的上层的活性层；以及形成于活性层的上层、且与第一半导体层的导电型不同的第二半导体层。支承基板以(001)面为一个主面，呈具有与[110]方向实质上平行的边和与[1‑10]方向实质上平行的边的矩形板状。第二半导体层以(001)面为一个主面，该第二半导体层的[100]方向或[010]方向相对于支承基板的[110]方向实质上平行。
led 元件及其制造方法

[发明专利]紫外线照射装置-CN202111267699.4有效
发明人：柳生英昭;今村笃史;森学 -专利权人： 优志旺电机株式会社
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：提供一种紫外线照射装置，搭载有放射在波长200nm～230nm具有中心波长的光的准分子灯，具备通用性更高的装置构造。紫外线照射装置(100)具备：准分子灯(12)，具有被封入发光气体的放电容器(13)、和与放电容器(13)抵接而配置且使放电容器(13)的内部产生介质阻挡放电的一对第一电极(14)及第二电极(15)；以及箱体(11)，在内部收容准分子灯(12)，具有放射从准分子灯(12)发出的在波长200～230nm具有中心波长的光的光射出窗，上述箱体由绝缘性的耐热树脂材料构成，上述箱体形成收容上述准分子灯的封闭空间。
紫外线照射装置