专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磷酸溶液中的硅浓度测定装置和测定方法-CN200610110871.4有效
  • 渡津春留;伊豆田信彦;矢田秀雄 - 爱普睿思科技株式会社
  • 2006-05-17 - 2012-06-20 - G01N31/00
  • 本发明的目的在于提供一种测定装置和测定方法,其能够在不进行任何前处理的条件下,对蚀刻处理中循环使用的高温高浓度的磷酸溶液中的硅浓度连续地、简便且低成本地进行测定,将蚀刻装置管理在经常能够进行良好处理的状态下。上述目的是通过一件磷酸溶液中的硅浓度测定装置实现的,所述的装置用于测定在半导体基板处理装置的运行中用作蚀刻液的磷酸溶液中的硅浓度,其特征在至少具有反应槽和浓度测定槽,上述反应槽具有通过在从半导体基板处理装置中使用的磷酸溶液取出的一定量的磷酸溶液中加入氢氟酸,生成氟化硅化合物,再将该氟化硅化合物蒸发的机构,且上述浓度测定槽具有通过将来自反应槽的蒸发的氟化硅化合物通入去离子水中使其水解的机构、以及测定通气后去离子水中硅浓度变化率的机构。
  • 磷酸溶液中的浓度测定装置方法
  • [发明专利]蚀刻液的再生方法,蚀刻方法及蚀刻装置-CN200710169160.9无效
  • 伊豆田信彦;渡津春留 - M·FSI株式会社
  • 2007-10-12 - 2008-11-12 - H01L21/311
  • 以使用磷酸水溶液的氮化硅膜蚀刻液为对象,且能够以极高的效率除去该蚀刻液中生成的硅化合物,更适合工业生产,够减少蚀刻液的再生处理经费。在再生所述蚀刻液的方法中,在从蚀刻槽中取出的蚀刻液流经的管线流路中,多个过滤器以并联、串联形式交互切换地连接,在所述多个过滤器以并联或串联的任一种方式连接时,通过将所述取出的蚀刻液供给至具有已蓄积了硅化合物的硅化合物的硅除去速度高的过滤材料的过滤器,通常能够将硅化合物的硅除去速度维持在高的状态。
  • 蚀刻再生方法装置
  • [发明专利]蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统-CN03125565.5有效
  • 伊豆田信彦;村田贡 - M.FSI株式会社
  • 2003-09-17 - 2004-05-12 - H01L21/311
  • 公开了一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法。因为蚀刻,使蚀刻液含有硅化合物。根据该再生方法,从蚀刻槽中抽出其中含有硅化合物的蚀刻液。然后向抽出的蚀刻液中加入水以降低蚀刻液中磷酸的浓度到80-50wt%。由于磷酸浓度降低,导致硅化合物沉淀。从蚀刻液中除去这样沉淀的硅化合物。还公开了一种使用该再生方法的蚀刻方法以及适于实施该再生方法和蚀刻方法的蚀刻系统。
  • 蚀刻再生方法系统

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