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[发明专利]半导体集成电路装置-CN201780094261.6有效
发明人： 伊藤千夏;祖父江功弥;田中英俊 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：ESD保护电路(101)具有包括第一导电型鳍片(16)的第一鳍片构造部(11)和包括第二导电型鳍片(17)且与第一鳍片构造部(11)对置的第二鳍片构造部(12)。在第一布线层(M1)形成有与第一鳍片构造部(11)相连接的第一电源布线(81)和与第二鳍片构造部(12)相连接的信号布线(82)，在第二布线层(M2)形成有与第一电源布线(81)相连接的第二电源布线(6)。第二鳍片构造部(12)占据的宽度比第一鳍片构造部(11)占据的宽度大，信号布线(82)的宽度比第一电源布线(81)的宽度大。
半导体集成电路装置

[发明专利]半导体集成电路装置-CN201880015876.X有效
发明人： 伊藤千夏;祖父江功弥 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种配置有IO单元的半导体集成电路装置，能够利用多层布线来抑制电源电压下降。形成于多个布线层的电源布线(41a、41b、41c)沿与IO单元(10)的排列方向相同的X方向延伸。在电源IO单元(21)的区域，在未形成有电源布线(41b)的布线层，配置有沿Y方向延伸的电源布线(51)，并且，在X方向上的两端且在Y方向上与形成于信号IO单元(11)的区域的电源布线(41b)相同的位置，配置有布线片(61a、61b)。
半导体集成电路装置