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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]化学机械抛光装置-CN201511021045.8有效
发明人：金钟千;任桦爀;金旻成;赵玟技 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中，从上述厚度传感器接收第二输出信号，从而从上述第二输出信号减去上述第一输出信号的信号来获得上述晶片的厚度分布。
化学机械抛光装置

[发明专利]化学机械抛光装置及方法-CN201511023760.5有效
发明人：金钟千;金旻成;任桦爀;金志郁 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：涉及化学机械抛光装置及方法，化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，具有挡圈，在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压，挡圈包括第一、第二部件，第一部件由导电材料形成，并在晶片周围形成具有不同高度的第一、第二台阶面，第二部件在第一部件的下侧由非导电性部件层叠而成，在化学机械抛光工序中与抛光垫接触；厚度传感器，向晶片施加涡流信号，来获得晶片厚度信息，控制部，从厚度传感器所接收的来自第一、第二台阶面的第二输出信号获得抛光垫的厚度信息，通过厚度传感器获得来自晶片的抛光层的第三输出信号，从第三输出信号中反映抛光垫的厚度信息，来获得晶片抛光层的厚度。
化学机械抛光装置方法

[实用新型]化学机械抛光装置-CN201520776912.8有效
发明人：金旻成;任桦爀;董慜摄 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：涉及一种化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上部面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，向抛光垫加压晶片，并进行旋转；第一传感器，设置在抛光平板上，与抛光平板一同旋转，当经过晶片的下侧时，接收包含晶片抛光层厚度信息的输出信号；传感器旋转位置检测部，检测与抛光平板一同旋转的第一传感器的旋转位置；晶片旋转位置检测部，检测晶片的旋转位置；控制部，计算出与第一传感器通过晶片下侧的轨迹对应的晶片的抛光层厚度，第一传感器通过晶片下侧的轨迹是由传感器旋转位置检测部和晶片旋转位置检测部来检测的。
化学机械抛光装置

[实用新型]化学机械研磨装置-CN201520606208.8有效
发明人：金旻成;任桦爀 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，包括：研磨盘，其上面覆盖有研磨垫并进行自转；研磨头，其将晶元加压至研磨垫并旋转；调质器，其以用旋转的调质盘与研磨垫的表面接触的状态，对研磨垫的表面进行改质；传感器，其对接收信号进行接收，接收信号包括厚度和距离中任意一个以上的信号成分；控制部，其将根据从第一接收信号的研磨垫的垫厚度变化的信号成分反映至第二接收信号，从而对晶元的研磨层厚度进行感知，传感器在调质盘的下侧接收第一接收信号，在晶元的下侧接收第二接收信号。从而可反映研磨垫厚度变动，并对最终得到的研磨层厚度或研磨层厚度变动量进行更为正确地测定。
化学机械研磨装置

[实用新型]化学机械抛光装置-CN201520776913.2有效
发明人：金旻成;任桦爀 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械抛光装置，包括：抛光平板，抛光平板的上表面被抛光垫覆盖并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，一边向抛光垫加压晶片，一边进行旋转，并向抛光垫的具有半径方向成分的方向进行往复移动；传感器，固定在抛光平板，与抛光平板一同旋转，并接收具有晶片的抛光层的厚度信息的接收信号；传感器位置检测单元，检测固定在抛光平板的传感器的旋转位置；控制部，在从传感器位于晶片的底面起接收的第一接收信号的发生位置，检测抛光垫上的晶片的位置，并从所述晶片的检测位置，检测对于晶片的检测轨迹，测定检测轨迹中的晶片的抛光层的厚度，其中，对于晶片的检测轨迹与从传感器接收的第一接收信号对应。
化学机械抛光装置

[实用新型]化学机械式磨光装置-CN201520771841.2有效
发明人： 任桦爀;金旻成 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械式磨光装置，包括：磨光平台，上面覆盖有磨光垫片且自转；导轮头部，将晶片加压至磨光垫片并旋转；驱动单元，连接到磨光平台并使磨光平台旋转；涡电流传感器，固定于磨光平台，与磨光平台一起旋转并产生涡电流且接收第一接收信号；旋转位置感知单元，连接到驱动单元并感知固定在磨光平台的涡电流传感器的旋转位置；和控制单元，连接到旋转位置感知单元，并且当涡电流传感器通过晶片的下侧，从接收的第一接收信号感知到晶片导电层厚度，以及经旋转位置感知单元，感知到涡电流传感器通过晶片的边缘时，控制单元将涡电流传感器位于晶片的边缘期间接收的第一接收信号进行修正以修正所述导电层的厚度。
化学机械式磨光装置

[实用新型]化学机械抛光装置-CN201520508997.1有效
发明人： 任桦爀;金旻成;董慜攝;金钟千 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学机械抛光装置，上述化学机械抛光装置包括：抛光板，以与晶片的抛光面相接触的方式进行旋转，以对上述抛光面进行抛光；浆液供给部，在上述晶片以与上述抛光板相接触的方式进行抛光的工序中，供给浆液；以及温度调节单元，在向上述抛光板供给晶片之前，对上述晶片进行加热，由此，能够缩短每单位时间的抛光量保持较低状态的初始阶段所需的时间，因此，能够通过缩短化学机械抛光工序所需的整个时间来提高生产率，能够提供有利于使晶片抛光面的抛光量偏差较小的进行控制的环境。
化学机械抛光装置

[实用新型]化学机械抛光装置-CN201520770916.5有效
发明人：金旻成;任桦爀;董慜摄 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种化学机械抛光装置，为了制作多个元件，对隔着间隔配置上述元件的晶片的抛光层进行抛光，包括：抛光平板，上述抛光平板的上表面覆盖有抛光垫并进行自转，上述抛光垫与上述晶片的上述抛光层相接触；以及光传感器，向上述晶片的抛光面照射光，从而检测上述晶片的抛光层的厚度，上述光的斑点大小的直径大于上述元件的宽度和长度中的至少一个，由此，从以扩大的面积向抛光层入射而反射的受光信号准确地检测抛光层的厚度。
化学机械抛光装置

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