“任丘市永基光电太阳能有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池-CN201210054329.7无效
发明人：孙玉娣;张建柱;彭博;马格林 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性CIGS薄膜太阳电池，其包括：柔性衬底；阻挡层；背电极层；CIGS吸收层；缓冲层；窗口层；减反膜；上电极。该柔性CIGS薄膜太阳电池的CIGS吸收层采用一步多源共蒸发工艺制备，此法不仅工艺控制简单，而且适合大规模大面积生产。
柔性 cigs 薄膜太阳电池

[发明专利]柔性CIGS太阳电池背电极层的制备工艺-CN201210054330.X无效
发明人：张建柱;孙玉娣;马格林;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池背电极层的制备工艺，利用卷对卷(ROLL-TO-ROLL)的生产工艺，在柔性不锈钢衬底上依次沉积铬隔离层、钼层，做为CIGS吸收层的预制层及电池的背电极层。铬隔离层与钼层的制备均采用卷对卷(Roll-To-Roll)的镀膜方式，并且都利用直流磁控溅射的方法，在同一溅射室不同溅射源分步进行制备，整个过程简单可行，易于控制，制备的薄膜质量高。
柔性 cigs 太阳电池电极制备工艺

[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池窗口层制备工艺-CN201210054328.2无效
发明人：张建柱;孙玉娣;马格林;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备工艺，其特征在于：利用卷对卷的生产工艺，依次在不锈钢为衬底上沉积背电极层/CIGS吸收层/CdS缓冲层/窗口层/减反膜/栅电极。窗口层氧化锌利用磁控溅射的方法制备，分本证氧化锌i-ZnO与掺铝氧化锌ZnO:Al的制备。在同一溅射室，先通过卷对卷工艺进行本证氧化锌i-ZnO的溅射，本证氧化锌i-ZnO的溅射镀膜完成后，进行回卷，实现掺铝氧化锌ZnO:Al的制备。整个窗口层镀膜过程简单可行，制备的膜层质量高。
柔性 cigs 薄膜太阳电池窗口制备工艺

[发明专利]一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层的Na掺杂方法-CN201210054339.0无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的Na掺杂方法，该种Na掺杂方法是三步共蒸发法沉积吸收层CIGS的第三步沉积结束后，在CIGS表面沉积Na预制层薄层，再对其进行高温快速退火。该种Na掺杂方法既保证了沉积生长垂直于界面的柱状CIGS大晶粒，又使边界缺陷被钠钝化，这样既保证了开路电压和填充因子的增大，又保证了短路电流的增大，从而使CIGS薄膜太阳电池的高光电转换效率。
一种柔性不锈钢衬底 cigs 吸收 na 掺杂方法

[发明专利]一种新的Cu(InGa)Se₂薄膜太阳电池缓冲层制备方法-CN201210054340.3无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种新的Cu(InGa)Se2(简称CIGS)薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，此制备方法采用先对CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，再沉积缓冲层，其中缓冲层由In2S3和CdS构成，In2S3由化学溅射热解(CSP)法沉积，CdS层由化学水浴法沉积(CBD)制备，在CBD法沉积CdS时，溶液中加入了阳离子体系消泡剂。这种方法制备的缓冲层不但对CIGS吸收层的覆盖度高，晶粒致密，无针孔，而且缓冲层表面呈镜面状。用它制备的CIGS薄膜太阳电池具有高的开路电压，高的填充因子和短路电流密度，高的光电转换效率和高的器件可靠性。
一种 cu inga se sub 薄膜太阳电池缓冲制备方法

[发明专利]对柔性衬底的扩散阻挡层修饰-CN201210054338.6无效
发明人：孙玉娣;张建柱;彭博;马格林 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性CIGS薄膜太阳电池中，对柔性衬底添加阻挡层的修饰方法。不锈钢是柔性CIGS薄膜太阳电池衬底的首选材料。但是衬底中的元素如Fe、Cu元素的扩散，会降低电池的质量。因此，探寻合适的扩散阻挡层材料及其低成本制备工艺，对于提高器件效率和降低生产成本有重要意义。在不锈钢衬底上采用直流磁控溅射工艺沉积一层1-2μm的铬扩散阻挡层，能显著提高衬底上生长的背电极层及CIGS吸收层薄膜的结晶质量。
柔性衬底扩散阻挡修饰

[发明专利]一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层制备方法-CN201210035817.3无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性不锈钢衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积和处理方法，该沉积和处理方法为采用改进的三步共蒸发和Na掺杂处理CIGS吸收层的方法。改进的三步共蒸发法为先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相CuxSe，最后在刻蚀后的样品表面上蒸发沉积In2Se3膜层，并对其进行退火处理。Na掺杂处理CIGS吸收层的方法为在In2Se3膜层表面沉积Na预制层Na2S，并对其进行高温快速退货处理。该方法得到的CIGS吸收层，具有既产生了Ga的后偏析，Mo/CIGS界面处形成CuGaSe2和MoSe2，又形成大的柱状晶粒和表面贫铜富铟的镜面结构。从而保证了CIGS太阳电池具有较大的开路电压VOC、填充因子FF、短路电流JSC和良好的外量子效率EQE，从而确保了CIGS薄膜太阳电池的高光电转换率。
一种柔性不锈钢衬底 cigs 吸收制备方法

[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池吸收层制备工艺-CN201210035806.5无效
发明人：张建柱 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备工艺，利用卷对卷的生产工艺，以25～100μm厚的不锈钢为衬底。首先在衬底上沉积背电极钼层，然后利用三步法共蒸发的方法沉积CIGS吸收层，第一步在衬底温度300～400℃时，共蒸发In、Ga和Se元素；第二步，在衬底温度550～580℃时，共蒸发Cu和Se元素，直到薄膜富铜时结束；第三步，在衬底温度550～580℃时，共蒸发In、Ga和Se元素，最终得到满足化学计量比的CIGS薄膜。通过卷对卷的生产工艺，实现了CIGS太阳电池的工业化大批量生产。利用该发明，制备了具有良好转换效率的柔性CIGS太阳电池。
柔性 cigs 薄膜太阳电池吸收制备工艺

[发明专利]一种钠钙玻璃衬底上CIGS吸收层的制备方法-CN201210035816.9无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种钠钙玻璃衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积方法，该沉积方法采用改进的三步共蒸发法，先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相CuxSe，最后在刻蚀后的样品表面上蒸发沉积In2Se3膜层，并对其进行退火处理。用这种方法沉积的CIGS吸收层，既增强了CIGS在Mo层上的粘附性，改善了Mo背接触的欧姆特性，获得了Ga的后偏析，又形成贯穿整个膜层的柱状大晶粒，镜面状贫铜富铟表面。保证了CIGS太阳电池具有较大的开路电压VOC、填充因子FF、短路电流JSC和良好的外量子效率EQE，从而确保了CIGS薄膜太阳电池的高光电转换率。
一种玻璃衬底 cigs 吸收制备方法

[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池中无镉缓冲层的制备方法-CN201210035807.X无效
发明人：孙玉娣 -专利权人： 任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种关于柔性CIGS薄膜太阳电池中无镉缓冲层的制备方法，此方法是化学水浴沉积法，制备的无镉缓冲层为硫化锌薄膜。该法的优势在于工艺简单、制备面积大、成本低、设备简单、不要求真空系统、沉积温度较低，可生长出稳定性好、质量高的多晶或非晶半导体薄膜。更重要的是制备硫化锌的过程不存在环境污染。化学水浴法沉积硫化锌薄膜包括以下步骤：步骤一，在柔性衬底依次沉积阻挡层、背电极层和CIGS吸收层，形成样品；步骤二，配制好含有锌源、硫源、络合剂和缓冲剂的反应溶液；步骤三，将样品置于反应溶液中，搅拌加热开始进行制膜；步骤四，将样品干燥处理备用。
柔性 cigs 薄膜太阳电池中无镉缓冲制备方法

1
共 10 条