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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]摄像装置-CN202180061810.6在审
发明人：金原旭成;佐藤好弘;山田隆善;仲顺秋男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04N25/57 文献下载
摘要：摄像装置具备：对置电极；光电转换层，将光转换为信号电荷；多个像素电极，各自收集信号电荷，所述多个像素电极具有多个组，该多个组的各个组包括高灵敏度像素所包括的第1像素电极、以及低灵敏度像素所包括的第2像素电极；以及辅助电极，在平面图中位于多个组的各个组中的第1像素电极与第2像素电极之间，被共通地包括在高灵敏度像素和低灵敏度像素中。在多个组的各个组中，第1像素电极与辅助电极之间的距离不同于第2像素电极与辅助电极之间的距离。
摄像装置

[发明专利]拍摄装置-CN201980078665.5在审
发明人： 仲顺秋男;小田原秀幸;角田学 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的拍摄装置，具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。
拍摄装置

[发明专利]摄像装置-CN201811611505.6在审
发明人：矶野俊介;仲顺秋男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种摄像装置，减少膜剥离等不良情况的发生。具备：半导体基板，具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域；绝缘层，覆盖半导体基板的像素区域及周边区域；第一电极，在像素区域中位于绝缘层上；光电转换层，覆盖第一电极；第二电极，覆盖光电转换层；第一层，覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上，周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度，周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。
像素区域周边区域第一层绝缘层第二电极半导体基板光电转换层第一电极摄像装置覆盖上表面膜剥离像素

[发明专利]摄像装置-CN201811132204.5在审
发明人： 仲顺秋男;山田翔太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：目的是提供一种对于入射光的灵敏度更高的摄像装置。一种摄像装置，具备：半导体基板，具有第1面；微透镜，位于上述半导体基板的上述第1面的上方；以及至少一个光电变换部，位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间，分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层；上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。
电极半导体基板微透镜光电变换部摄像装置光电变换层电荷灵敏度入射光焦点

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