专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于切伦科夫辐射机制的超材料慢波结构单元及慢波结构-CN202011585137.X有效
  • 贺军涛;孔祥天;令钧溥;皮明瑶;何宇放 - 中国人民解放军国防科技大学
  • 2020-12-23 - 2022-05-27 - H01Q1/36
  • 本发明属于超材料与微波源技术的交叉领域,具体涉及一种基于切伦科夫辐射机制的超构材料慢波结构单元及超构材料慢波结构,包括空心金属圆波导、第一超材料谐振单元和第二超材料谐振单元。本发明具有以下技术效果:能在相同尺寸空心圆波导的截止频率之下工作,具有小型化的优势;具有较高的耦合阻抗,可以提高效束波互作用;具有均匀准TM01模式场分布的优势,均匀场分布能够提升束波互作用效率;能够让电子束在行进过程中感受到更多的导体结构,降低电子束的势能,从而使其有更大的动能,提升空间极限电流;可有效减少厚度太薄而导致的结构边缘场集中问题,减少器件的击穿风险;同时也增加了电子束感受到的导体部分,可以提升空间极限电流。
  • 基于切伦科夫辐射机制材料结构单元
  • [发明专利]梯形结构的Ka波段同轴渡越时间振荡器-CN202010935241.0有效
  • 宋莉莉;陈煜青;赵立山;周扬;令钧溥;张自成;贺军涛;张强;葛行军 - 中国人民解放军国防科技大学
  • 2020-09-08 - 2022-04-15 - H01J23/04
  • 本发明公开了一种梯形结构的Ka波段同轴渡越时间振荡器。本发明由外导体、内导体、阴极组成,阴极右端悬空,内导体同轴嵌套于外导体内;内导体是外侧面刻有凹槽的圆柱体,分别刻有1个内矩形凹槽、7个内梯形凹槽,最右侧是一段矩形突起。外导体为内侧壁刻有凹槽和斜面的圆筒,外导体内壁凹槽分别与内导体外壁凹槽对应,外导体内壁斜面与内导体梯形凹槽对应;外导体矩形凹槽和内导体矩形凹槽组成反射器,外导体的第一~第四外梯形凹槽和内导体的第一~第四内梯形凹槽组成群聚腔;外导体的第五、第六外梯形凹槽和斜面与内导体的第五、第六、第七内梯形凹槽组成提取腔;本发明可解决振荡器强场击穿的问题,实现高功率、高效率、长脉冲的微波输出。
  • 梯形结构ka波段同轴时间振荡器
  • [发明专利]一种基于超材料的低频段慢波结构-CN202110141421.6有效
  • 令钧溥;何宇放;贺军涛;孔祥天;皮明瑶 - 中国人民解放军国防科技大学
  • 2021-01-29 - 2022-04-08 - H01J23/24
  • 本发明涉及高功率微波领域的微波源器件,是一种基于超材料的低频段慢波结构,包括第一超材料谐振单元、第二超材料谐振单元、圆波导;第一超材料谐振单元与第二超材料谐振单元成45度旋转耦合排列,形成慢波结构的单个周期;本发明具有以下技术优势:采用了基于超材料的慢波结构,可以工作在同尺寸空心金属圆波导截止频率以下,具有横向小型化优势;由于超材料亚波长特性,慢波结构周期较短,轴向具有小型化优势;由于超材料慢波结构的局域场增强效应,慢波结构具有更高耦合阻抗,器件具有更高束波互作用效率的优势;超材料慢波结构间强烈的电磁耦合,对相对论电子束调制较强,使得器件具有更短的起振时间。
  • 一种基于材料频段结构
  • [发明专利]轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件-CN201810267706.2有效
  • 令钧溥;陈浩嘉;钱宝良;贺军涛;宋莉莉 - 中国人民解放军国防科技大学
  • 2018-03-29 - 2020-07-10 - H01J25/22
  • 本发明涉及轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件。加载聚焦阴极E的阴极A在外加高电压条件下发生爆炸电子发射,在经过级联双谐振反射腔时获得初步的速度预调制,速度调制充分转化为密度调制,提取腔内的高频电场与传入其中的群聚电子发生充分相互作用,产生的Ku波段HPM经同轴输出波导向外耦合输出,最后内导体B的轴向凹槽将剩余能量的电子束吸收。产生的磁场强度为0.3T,且永磁体的重量为63.5kg,在该导引磁场下,实现了电子束有效发射与传输。引入级联双谐振反射腔,减小调制腔中的电磁场向二极管区域耦合,降低电子束的径向波动,从而降低所需引导磁场。且该器件的工作模式为TM02模,使得该新型器件在Ku波段还具有较高的功率容量。
  • 小型永磁封装ku波段同轴器件

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