专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]并行计算机及其控制方法-CN201310606714.2有效
  • 井原宣孝 - 富士通株式会社
  • 2013-11-25 - 2014-06-04 - G06F9/38
  • 公开了一种并行计算机及其控制方法。该并行计算机包括多个节点,并且当检测到在多个节点的每个中停止了用于作业的程序的执行时,多个节点中的一个节点从多个节点中的每个收集与障碍同步的进展状态有关的信息。而且,并行计算机中的多个节点中的一个节点基于在该一个节点中用于作业的程序的停止位置和从多个节点中的每个所收集的信息来确定在该一个节点中用于作业的程序的重新启动位置。
  • 并行计算机及其控制方法
  • [发明专利]垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置-CN200510060172.9无效
  • 井原宣孝;児玉宏喜;渦卷拓也 - 富士通株式会社
  • 2003-04-14 - 2005-11-02 - G11B5/84
  • 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置,其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16),所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上,其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间,该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小,超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间,并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面,以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
  • 垂直存储媒体制造方法装置
  • [发明专利]垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置-CN03110162.3无效
  • 井原宣孝;児玉宏喜;渦卷拓也 - 富士通株式会社
  • 2003-04-14 - 2004-01-14 - G11B5/66
  • 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置,其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16),所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上,其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间,该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小,超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间,并且记录层14的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面,以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
  • 垂直存储媒体制造方法装置

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