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[发明专利]图像传感器的制作方法-CN202310317415.0在审
发明人：邢家明;高喜峰;施喆天;于惟玮 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的制作方法，包括：提供衬底，刻蚀衬底形成若干深沟槽；形成底部抗反射涂层，底部抗反射涂层从深沟槽的底部填充预设深度的深沟槽；湿法刻蚀衬底的第一表面以及深沟槽顶部的底部抗反射涂层暴露出的侧壁表面；去除底部抗反射涂层。本发明在刻蚀形成深沟槽之后，采用底部抗反射涂层从深沟槽的底部填充预设深度的深沟槽，底部抗反射涂层保护了深沟槽预设深度范围内(顶部以下)的衬底，使该范围内的深沟槽的侧壁衬底不被湿法刻蚀，该范围内衬底不减少，从而保住了满阱容量，亦即使满阱容量不减少。湿法刻蚀去除了衬底在刻蚀形成深沟槽过程造成的等离子体损伤区域，从而降低了图像传感器的白噪声，提高了产品性能。
图像传感器制作方法

[发明专利]堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法-CN202310226577.3在审
发明人：施喆天;高喜峰;邢家明;于惟玮 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法，包括：键合的逻辑晶圆和像素晶圆，逻辑晶圆包括第一衬底和第一金属层；像素晶圆包括第二衬底和第二金属层；第二衬底中侧形成有接地孔和接地焊垫；第三金属层填充硅通孔且与第一金属层电连接，第三金属层还通过第二金属层与接地焊垫电连接；互连层遮光部填充接地孔并延伸覆盖部分第二衬底且与第三金属层电连接。工艺制程中产生的电荷可经第二衬底导入到接地孔，经互连层遮光部导入到硅通孔中的第三金属层，再经第二金属层导入到接地焊垫和/或经第一金属层导入到第一衬底，使电荷有释放路径导走。还可防止堆叠式CMOS图像传感器的静电干扰以及其他电磁干扰等，提高信号稳定性。
堆叠 cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]图像传感器的制作方法-CN202211369054.6在审
发明人：施喆天;肖海波;高喜峰;邢家明;于惟玮 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的制作方法，包括：提供衬底；形成硬掩膜层，硬掩膜层位于衬底表面；形成深沟槽，深沟槽设置在相邻的图像感测部之间；深沟槽包括相互交叉的第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽中交叉区域以外的区域为线性区域；深沟槽由同步刻蚀线性区域的衬底以及交叉区域的硬掩膜层和衬底形成；形成隔离层，隔离层填充深沟槽。通过预先在衬底表面对应深沟槽交叉区域的位置形成硬掩膜层，同一刻蚀工艺中，交叉区域需要刻蚀硬掩膜层和衬底厚度，抵消了线性区域与交叉区域由于特征尺寸不同负载效应导致的刻蚀深度的差异，使线性区域的沟槽深度与交叉区域的沟槽深度之差小于等于预设值，避免损伤交叉区域下方的图像传感器结构。
图像传感器制作方法

[发明专利]改善深沟槽隔离关键尺寸的方法-CN202210776948.0在审
发明人：赵春山;于惟玮;赵庆贺;张武志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种改善深沟槽隔离关键尺寸的方法，所述方法包括：提供一掩蔽层版图，所述掩蔽层版图包括至少1个第一深沟槽及至少1个第二深沟槽，所述第一深沟槽沿第一方向延伸，所述第二深沟槽沿第二方向延伸，其中，所述第一深沟槽与所述第二深沟槽交叉设置以形成交叉区；于所述交叉区处形成空白区；利用所述掩蔽层版图对晶圆进行刻蚀以在所述晶圆内形成所述第一深沟槽及所述第二深沟槽。通过本发明改善形成栅网结构的深沟槽在交叉区处关键尺寸过大的问题。
改善深沟隔离关键尺寸方法