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[发明专利]一种道路桥梁施工过程防护设备-CN202210658441.5在审
发明人：李兰勋;范京龙;于伟泽;陈炜;张晓聪;贾阔 -专利权人：李兰勋
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： E04G1/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种安全施工设备，具体是一种道路桥梁施工过程防护设备，包括支撑板机构、防护机构以及调节机构，所述支撑板机构包括第一支撑板和第二支撑板，第一支撑板滑动连接在第二支撑板内，两组防护机构安装在支撑板机构的两侧，调节机构包括活动板以及多组传动杆，所述活动板滑动连接在第一支撑板底部的支撑柱上，并通过安装在支撑柱上的驱动结构带动升降，所述传动杆转动一端转动连接在第二支撑板的底部，另一端转动连接在活动板上，本实用装置通过驱动结构带动活动板升降，带动第一支撑板与第二支撑杆相对滑动，调整支撑板机构的长度，避免了目前活动架上支撑板的规格常为固定尺寸，使得活动架对于不同大小的操作空间适应性较差的问题。
一种道路桥梁施工过程防护设备

[发明专利]一种道路桥梁养护用修复胶定量充填装置-CN202210707728.2在审
发明人：贾阔;陈炜;张晓聪;于伟泽;范京龙;李兰勋 -专利权人：贾阔
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： E01D19/10 文献下载
摘要：本发明属于施工设备技术领域，且公开了一种道路桥梁养护用修复胶定量充填装置，包括底座，所述底座的顶部固定安装有储存箱，底座两侧的前后方均活动安装有滚轮。本发明通过设置容纳槽、双轴气压缸、挤压块、竖筒和通液口，当双轴气压缸运行时，将会使得活动块带动挤压块、竖筒和喷头向下运动，当挤压块的底端位于容纳槽顶部的时候，此时通液口内腔的顶端也会位于容纳槽的顶部，伴随着挤压块继续向下运动，此时挤压块将会挤压容纳槽内部的修复胶通过通液口和竖筒从喷头喷出，由于容纳槽内部的容积一定，且内部存放的修复胶量也一定，因此可以实现了定量排出修复胶的优点，方便了工作人员在道路桥梁作业中的修复使用。
一种道路桥梁养护修复定量充填装置

[发明专利]一种桥梁支座调节机构-CN202111591321.X在审
发明人：宋瑞利;苌永涛;成龙;布洋;张泽军;尹杰;于伟泽;马飞;范敬光;底晓慧 -专利权人：石家庄市公路桥梁建设集团有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： E01D19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种桥梁支座调节机构，包括固定设置在桥墩和桥梁本体之间的固定壳以及设置在固定壳内的调节装置，所述调节装置包括设置在固定壳内侧壁上的支撑环、设置在支撑环上中间位置的通孔、设置在固定壳内侧并且套装在通孔内的调节柱、固定设置在调节柱外表面上的调节环、设置在固定壳外侧壁并且与固定壳内侧连通的液压管以及与液压管连通的液压泵，所述液压管位于支撑环与调节环之间，固定壳可对调节装置进行支撑，调节装置可对桥梁本体和桥墩之间进行可调节的支撑，防止产生支座脱空的现象。
一种桥梁支座调节机构

[发明专利]一种公路沥青材料软化点的试验仪-CN202111322135.6在审
发明人：李志明;刘立斌;刘汉东;李兰勋;李丽莎;于伟泽;吴晓倩;范京龙;李硕飞;李阳;李元森;王飞燕;贾亚楠;张继军;布洋;王旭 -专利权人：李志明
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种公路沥青材料软化点的试验仪，包括底座和烧杯，所述底座上端固定连接有U型架，所述U型架上安装有对烧杯内壁进行清洗的清洗机构，所述清洗结构包括开设在U型架内壁的滑槽，所述滑槽内壁滑动连接有滑块，所述滑块侧壁固定连接有横杆，所述横杆侧壁开设有横槽，所述横槽内壁滑动连接有伸缩杆，所述伸缩杆下端固定连接有清洁块，所述清洁块侧壁固定连接有多个刷毛，所述清洁块内开设有水槽。本发明中通过通过驱动电机反向转动，带动滑塞和清洁圆盘移动，在滑塞的作用下，将溶液箱内的四氯化碳溶液泵入到水槽中，然后再由出水孔流出，配合刷毛对烧杯进行清洗，避免人工对烧杯进行清理，提高效率，更加省时省力。
一种公路沥青材料软化试验

[发明专利]一种公路桥梁用再生混凝土破碎装置-CN202010950895.0在审
发明人：李兰勋;范京龙;于伟泽;陈炜;张晓聪;贾阔 -专利权人：李兰勋
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B02C13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种公路桥梁用再生混凝土破碎装置，包括行走装置、与所述行走装置固定连接的筛分装置、给所述筛分装置送料的传送装置以及设置在所述行走装置上的破碎装置；所述破碎装置包括设置在所述行走装置上的破碎箱体、与所述破碎箱体转动连接的破碎轴总成以及设置在所述破碎箱体上的破碎电机；所述破碎电机的输出轴与所述破碎轴总成固定连接；破碎箱体与所述破碎轴总成之间设有轴承；所述破碎箱体下部设有倾斜的出料板；所述传送装置低的一端与所述出料板相适配，传送装置高的一端与所述筛分装置相适配。本文发明的有益效果是，通过破碎装置对再生混凝土原料进行破碎，并进行筛分以供后续工序使用，减少了浪费，达到了再生混凝土原料变废为宝的目的。
一种公路桥梁再生混凝土破碎装置

[发明专利]一种用于道路桥梁施工的安全警示装置以及使用方法-CN202011130527.8在审
发明人：贾阔;陈炜;张晓聪;于伟泽;范京龙;李兰勋 -专利权人：贾阔
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： E01F9/608 文献下载
摘要：本发明提供一种用于道路桥梁施工的安全警示装置以及使用方法，涉及安全警示装置技术领域，包括上框体和下框体，上框体与下框体铰接连接，上框体内通过对称设置的阻尼锁紧件装有显示屏，显示屏下方的上框体上设置有控制器，控制器两侧的上框体上设置有警报灯，警报灯外侧的上框体内设置有锁紧机构；下框体上通过阻尼锁紧件和安装架装有蓄电池；蓄电池外侧的下框体上对称设置有凹槽，凹槽内通过阻尼锁紧件装有支撑脚，支撑脚与下框体之间通过折叠撑杆连接。该安全警示装置通过上框体、下框体和锁紧机构、支撑脚和折叠撑杆相互配合方便折叠收纳；通过显示屏能随意更换安全警示语，解决了现有的安全警示牌使用局限性的问题。
一种用于道路桥梁施工安全警示装置以及使用方法

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN201110351250.6无效
发明人：尹海洲;于伟泽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底(100)；b)在该衬底(100)之上形成伪栅堆叠，该伪栅堆叠包括栅极介质层(203)以及所述栅极介质层(203)上的伪栅(201)，所述伪栅(201)的材料是非晶硅；c)对所述伪栅(201)两侧的所述衬底(100)上暴露的区域进行离子注入，以形成源/漏区(110)；d)形成覆盖所述源/漏区(110)以及所述伪栅堆叠的层间介质层(400)；e)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅(201)，并移除所述伪栅(201)；f)执行源漏注入退火工艺。本发明提供的半导体结构的制造方法改变传统的替代栅工艺的流程，因此容易控制刻蚀时间，以及降低刻蚀难度，从而保证刻蚀工艺的稳定性。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110306885.4有效
发明人：尹海洲;于伟泽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层；在空腔的其余空间形成第二氧吸收层，第一氧吸收层的氧吸收能力小于第二氧吸收层；进行退火以使得所述衬底的表面形成界面层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在沟道区形成对称的界面层，在有效控制短沟道效应并保证载流子迁移率不下降的情况下，降低了工艺复杂度。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201110104317.6无效
发明人：蒋葳;于伟泽;张亚楼;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成非晶态的伪栅极；使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。通过将传统多晶硅的伪栅极替换为非晶态的伪栅极，使得TMAH在湿法刻蚀时不再因为晶向不同而刻蚀速率不等，TMAH湿法刻蚀非晶硅得到的沟槽表面是平整的，各个区域刻蚀速率相同，避免了伪栅极过刻蚀或刻蚀不完全而使得器件可靠性降低甚至是器件失效，最终提高了器件的可靠性。
半导体器件制造方法

[发明专利]MOS晶体管及其制作方法-CN201010606316.7有效
发明人： 于伟泽;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。所述MOS晶体管的沟道漏端具有异质区，异质区为介电常数比沟道其他区域大的半导体材料，由于异质区位于漏端，使得漏端电场相对降低，源端电场相对增强，相对于传统的非对称沟道MOS晶体管进一步增加了源端的载流子迁移率，从而能够提高器件的驱动电流，而且漏端较低的横向电场能够进一步防止漏端击穿现象发生。
mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]MOS晶体管及其制作方法-CN201010606342.X有效
发明人： 于伟泽;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。本发明提供的MOS晶体管及其制作方法中，所述栅极为非对称的结构，即仅位于栅沟槽内靠近源区一侧，在制作过程中，利用非对称的栅极作为掩膜，可以形成非对称的LDD区，省去了一道光刻工艺，能够降低制作成本，而且也可以缩小器件所占面积，有利于提高晶体管的集成度。
mos 晶体管及其制作方法

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