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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066366.X有效
发明人： 乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066338.8有效
发明人： 乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发光亮度的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发光亮度变化之比处于设定范围内，多个发光亮度测量部各自以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度，针对多个发光亮度测量部各自测量的钢板表面的各发光亮度，通过使用与该发光亮度测量部相对应的膜厚转换信息，求出与该测量的发光亮度相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

[发明专利]氧化物半导体评价装置和该方法-CN201580013083.0有效
发明人： 乾昌广 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在本发明的氧化物半导体评价装置和该方法中，对于评价对象的氧化物半导体，照射规定波长的光和规定的测量波，测量由所述氧化物半导体反射的所述测量波的反射波。另外，测量所述氧化物半导体的厚度。然后，基于该测量到的所述氧化物半导体的厚度，校正所述反射波的强度。因此，氧化物半导体评价装置和该方法，通过进一步考虑所述氧化物半导体的厚度而评价所述氧化物半导体的迁移率，因此能够更高精度地评价所述氧化物半导体的迁移率。
氧化物半导体评价装置方法

[发明专利]半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法-CN201310068740.4有效
发明人：迫田尚和;高松弘行;乾昌广;尾岛太 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
半导体结晶评价装置方法

[发明专利]利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置-CN201180043985.0有效
发明人：迫田尚和;高松弘行;乾昌广;尾岛太 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
利用 pcd 薄膜半导体结晶评价装置

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