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[发明专利]集成磁场传感器控制开关器件-CN201210378146.0有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;让-玛丽·勒加尔;塞巴斯蒂安·梅尔滋 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H03K17/90 文献下载
摘要：实施方式涉及集成磁场传感器控制开关器件，其中包括，例如晶体管、电流源以及功率开关。在实施方式中，磁开关和负载开关集成在单个集成电路器件内。在实施方式中，该器件还可以包括集成负载保护和负载诊断。实施方式可以提供负载切换以及用于例如更新微控制器或电子控制单元（ECU）的可选的同步逻辑信号通知，同时减少空间和复杂性以及由此降低成本。
集成磁场传感器控制开关器件

[实用新型]垂直霍尔效应器件以及垂直霍尔效应传感器-CN201320376729.X有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;马里奥·莫茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种垂直霍尔效应传感器以及垂直霍尔效应器件。所述垂直霍尔效应器件包括：至少两个电源端子，被布置为向第一霍尔效应区域供应电能；以及至少一个霍尔信号端子，被布置为提供来自所述第一霍尔效应区域的第一霍尔信号。所述第一霍尔信号指示与半导体基板的表面平行并且作用在所述第一霍尔效应区域上的磁场。所述至少两个电源端子中的一个或多个或所述至少一个霍尔信号端子中的一个或多个包括施加触点和感测触点。
垂直霍尔效应器件以及传感器

[发明专利]传感器中的偏移误差补偿系统和方法-CN201310190623.5有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;马里奥·莫茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01D3/032 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及传感器中的偏移误差补偿系统和方法，特别是涉及减小传感器系统中的偏移误差。在实施方式中，传感器的灵敏度和偏移分别不同地取决于某些参数（例如，电压）以使在参数的两个不同值下对传感器进行的操作能够消除偏移误差。实施方式适用于应力传感器、霍尔板、垂直霍尔器件、磁阻传感器等。
传感器中的偏移误差补偿系统方法

[发明专利]在多次旋转时也能确定绝对旋转角度的旋转角度传感器-CN201310052896.3有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：用于在相对于旋转轴的单次或多次旋转时检测绝对旋转角度的旋转角度传感器包括磁场传感器（30）和发送器装置（20）。磁场传感器（30）适用于检测磁场的至少两个正交的量值。发送器装置（20）能够取决于绝对旋转角度相对于磁场传感器围绕旋转轴旋转，使得由磁场传感器检测的磁场取决于发送器装置与磁场传感器的相对角位置。此外，发送器装置（20）可相对于磁场传感器推移。从至少两个由磁场传感器检测的磁场的正交的量中能够确定出发送器装置（20）与磁场传感器（30）的相对角位置和相对平移位置。借助相对角位置和相对平移位置能够确定绝对旋转角度。根据一种替代的实施方式，发送器装置包括多级轮。同样还提出了一种用于确定绝对旋转角度的方法。
多次旋转时也能确定绝对角度传感器

[实用新型]集成磁场传感器控制开关器件以及集成电路-CN201220512638.X有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;让-玛丽·勒加尔;塞巴斯蒂安·梅尔滋 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H03K17/90 文献下载
摘要：实施方式涉及集成磁场传感器控制开关器件以及集成电路，其中磁场传感器控制开关器件包括，例如晶体管、电流源以及功率开关。在实施方式中，磁开关和负载开关集成在单个集成电路器件内。在实施方式中，该器件还可以包括集成负载保护和负载诊断。实施方式可以提供负载切换以及用于例如更新微控制器或电子控制单元(ECU)的可选的同步逻辑信号通知，同时减少空间和复杂性以及由此降低成本。
集成磁场传感器控制开关器件以及集成电路

[发明专利]半导体封装件以及用于制造该半导体封装件的方法-CN201310012291.1有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;卡斯滕·冯科布林斯基;西格丽德·瓦布尼格;罗伯特·格伦贝格;福尔克尔·斯特鲁特兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装件以及用于制造该半导体封装件的方法。在一种实施方式中，半导体封装件包括具有凹槽的隔离容器，该凹槽形成了内薄膜部和外边缘部。边缘部比薄膜部厚。封装件包括设置在凹槽中的半导体芯片和设置在隔离容器的薄膜部下方的底板。
半导体封装以及用于制造方法

[发明专利]半导体芯片封装和方法-CN201210317192.X有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳;斯特凡·兰道;福尔克尔·斯特鲁特兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装件和制造半导体芯片封装件的方法。本发明的实施方式包括：基板和设置在基板上并由封装材料横向地包围的半导体芯片。该封装件还包括在半导体芯片附近的电流轨道，电流轨道通过隔离层与半导体芯片隔离；第一外部焊垫以及使电流轨道与第一外部焊垫接触的通路接点。
半导体芯片封装方法

[发明专利]具有成环连接的霍尔效应区的电子器件-CN201210257072.5有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有成环连接的霍尔效应区的电子器件。该电子器件包括n个霍尔效应区，其中n>1，其中，这n个霍尔效应区彼此隔离。该电子器件还包括在n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触，其中，这些接触包括：各个霍尔效应区的第一接触和第二接触。对于k=1至n-1，第（k+1）个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触，且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触。这至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触。各个霍尔效应区包括至少两个供电接触中的至多一个和至少两个检测接触中的至多一个。
有成连接霍尔效应电子器件

[发明专利]电流传感器、系统及方法-CN201210107492.5有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流传感器、系统及方法。实施方式涉及磁电流传感器。在各种实施方式中，电流传感器可包括具有诸如圆形、方形或矩形等恒定截面形状的且通常没有任何凹槽或沟槽转移电流，从而具有更简单的制造工艺、低电阻和较高机械强度的简单导体。在实施方式中，该导体可由诸如铝或铜等的非磁性导电材料形成。
电流传感器系统方法

[发明专利]低偏移自旋电流霍尔板及其操作方法-CN201210027685.X有效
发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种低偏移自旋电流霍尔板及其操作方法。本发明的一个实施方式涉及用于去除接触电阻对霍尔效应器件触点的影响的方法和设备。在一个实施方式中，该设备包括霍尔效应器件，其包括多个施加和感测触点对。施加和感测触点对包括施加触点以及分离的不同的感测触点。施加触点被配置为用作接收输入信号的供应端子，而感测触点被配置为用作提供指示测量磁场值的输出信号的输出端子。通过为输入信号(例如，施加电流)和读出信号(例如，感应电压)使用分离的触点，可以去除由接触电阻生成的非线性，从而使测量磁场的零点偏移电压最小化。
偏移自旋电流霍尔及其操作方法

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