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[发明专利]一种Eu掺杂的多晶氧化物材料及其制备方法和应用-CN202210116439.5有效
发明人：刘慧;熊燕飞;边健;丰远;谢瑜 -专利权人：合肥学院
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明属于磁性电介质技术领域，公开了一种Eu掺杂的多晶氧化物材料及其制备方法和应用，多晶氧化物材料的化学式为Sr2‑xEuxIrO4，x表示元素摩尔百分比且0≤x≤0.06；且多晶氧化物材料的制备方法包括：按照化学式Sr2‑xEuxIrO4中的化学计量比，称取含氧的Sr源、Eu源和Ir源，备用；将含氧的Sr源、Eu源和Ir源混匀，于700～900℃的温度下进行第一次煅烧，然后于950～1050℃的温度下进行第二次煅烧，然后于1200～1300℃下进行第三次煅烧，即获得多晶氧化物材料。本发明制备的材料在107Hz高频下，损耗仅为0.739，在电容器储能方面具有潜在的应用价值。
一种 eu 掺杂多晶氧化物材料及其制备方法应用

[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法-CN202211299298.1在审
发明人：祖昊;王传丰;段惠敏;张胜;黄慧;何晓娟;刘慧;边健;丰远;严亮 -专利权人：合肥学院
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及新型电子陶瓷材料领域，公开了一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原‑再氧化制备方法，在组份设计上，针对Cu位、Ti位，采用单掺杂或双掺杂的成份设计方法。成份组成为：CaCu3‑xAxTi4‑yByO12+zBN，其中，A代表Sr、Mg、Ni中的一种，B代表Zr、Sn、Ge中的一种，0.00≤x≤0.30，0.05≤y≤0.20，0.00≤z≤0.10。还原的CCTO陶瓷经低温再氧化处理后，介电损耗显著降低，同时，维持巨介电特性。本发明利用流延工艺制备生坯，采用还原‑再氧化工艺烧结，与基于贱金属内电极的多层片式元件制备工艺相兼容。采用本发明的制备工艺与材料组份设计方法，可制备出能够满足实际应用要求的基于贱金属内电极的多层片式CCTO陶瓷元件。
一种巨介电损耗 ccto 陶瓷还原氧化制备方法

[发明专利]一种巨介电CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法-CN202210813020.5在审
发明人：祖昊;何晓娟;张胜;黄慧;王传丰;刘慧;边健;丰远;严亮 -专利权人：合肥学院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷元器件领域，公开了一种巨介电CCTO陶瓷的还原‑再氧化制备方法，配方中添加少量BN液相烧结助剂以降低烧结温度，同时，配方中可额外添加包含Al、Mg、Ni等元素中的一种或多种元素，以调节介电常数与介电损耗；本发明首先采用惰性气体或惰性气体与氢气的混合气体烧结，同时，结合埋粉或密封烧结，以阻止CCTO陶瓷材料分解并成瓷；然后，结合低温再氧化处理，获得的CCTO陶瓷具备巨介电、低损耗的良好电学性能；本发明所采用的还原‑再氧化法制备工艺，可推进基于CCTO陶瓷材料的多层片式元件采用贱金属Ni/Cu替代贵金属Pd/Ag作为内电极，有利于降低多层片式元件的制作成本，适于大规模生产。
一种巨介电 ccto 陶瓷还原氧化制备方法

[发明专利]一种镱掺杂铱酸铋烧绿石多晶材料的制备方法-CN202010301233.0有效
发明人：丰远;边健;刘慧;高先和;程玮;方保龙;王梦雅 -专利权人：合肥学院
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及烧绿石多晶材料的制备技术领域，公开了一种Yb3+掺杂铱酸铋烧绿石多晶材料的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将Yb2O3粉末、Bi2O3粉末和IrO2粉末混合后进行第一次煅烧；(2)将步骤(1)中第一次煅烧后的混合物研磨后压成圆片，进行第二次煅烧；(3)将步骤(2)中第二次煅烧后的混合物研磨后压成圆片，进行第三次煅烧，得到Bi2‑xYbxIr2O7晶体，其中，0≤x≤1.5。该方法制备过程简单，但是制备效率高。同时，本发明通过用研磨棒研磨，解决了研磨过程中物料溢出或带出，造成化学计量比失配，导致化合物产生杂相，以及原料浪费的问题。
一种掺杂铱酸铋烧绿石多晶材料制备方法

[发明专利]一种新型磁性材料及其制备方法-CN202110095124.2在审
发明人：刘慧;熊燕飞;边健;丰远;谢瑜 -专利权人：合肥学院
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型磁性材料，属于磁性材料技术领域。所述磁性材料的化学通式为：LiInCr4‑xMxO8，其中，M为选自Mn或Cu；x表示元素摩尔百分比，0.2≤x≤0.5；所述LiInCr4‑xMxO8属立方晶系，空间群F‑43m；Li和In占据4a和4d位，Cr，M均占据16e位，其中，M在16e位所占的比例为5～12.5％。本发明还提供了一种新型磁性材料制备方法。本发明通过用磁性离子Mn或Cu对母体材料LiInCr4O8的Cr位进行掺杂，制备出一种新的掺杂的呼吸烧绿石材料，可以实现了通过调控呼吸因子Bf来调控材料中的新颖有趣的磁性行为。
一种新型磁性材料及其制备方法

[实用新型]一种光通信演示装置-CN202021160613.9有效
发明人：刘慧;边健;谢瑜;丰远;曾贵平 -专利权人：合肥学院
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通信领域，具体是涉及一种光通信演示装置。演示装置包括底座，设置在底座上的第一支架结构和第二支架结构，与第一支架结构相连接的第一固件，与第二支架结构相连接的第二固件；两个固件分别用于放置通讯实验仪的发射端和接收端，通讯实验仪通过发射端向接收端发送光信号，两个固件的相对位置可调。通讯实验仪通过发射端向接收端发送光信号，当发射端和接收端处于对准状态时，接收端能够接收到光信号；当发射端和接收端处于偏移状态时，接收端接收不到光信号。通过上述对比实验，本实用新型的演示装置能够让学生获知光信号在空气中是沿直线传播的。
一种光通信演示装置

[实用新型]一种材料物理制备取样分析装置-CN202020540958.0有效
发明人：丰远;刘慧;边健 -专利权人：合肥学院
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本实用新型属于材料分析技术领域，具体公开了一种材料物理制备取样分析装置，包括分析装置主体、支撑连接板、外壳和支撑柱，分析装置主体的顶部后端固定连接有支撑连接板，分析装置主体的中间固定连接有外壳，外壳的内部顶部两侧固定连接有连接杆，外壳的内部中间固定连接有第一液泵，第一液泵的两侧活动连接有伸缩杆，外壳的内部顶部固定连接有滚轮，滚轮可以更好的帮助第一液泵移动四个卡块的位置，从而使得第一液泵可以更加轻松的带动卡块进行移动，固定机构可以更好的帮助弹性测试柱对固定好的材料进行弹性测试，进而使得弹性测试的数据更加精准，体现了该装置的固定性，可以在未来具有广泛的发展前景。
一种材料物理制备取样分析装置

[实用新型]一种电工电子分支接线装置-CN201821965887.8有效
发明人：丰远 -专利权人：合肥学院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H02G3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电工电子分支接线装置，包括主体、滑槽、进线管、进线口和出线口，所述主体的内部下方固定有螺纹柱，且螺纹柱的外壁螺纹连接有橡胶棒，所述滑槽开设于主体的左右两侧的壁体内部，且滑槽的上方内部安装有凸块，可通过橡胶棒进行排布，使得导线能够整齐有序的排列，从而进行导线排查时，能够快速分辨该导线的来源；通过进线口和出线口处的挡板，能够解决以往挡板易断裂而导致主体内堵塞或进水的问题，从而对主体内的导线起到一种保护；通过进线管和出线管内的橡胶圈，使得进线管与出线管不会直接与导线接触，从而降低导线与进线管和出线管磨损的机率。
进线管出线管滑槽分支接线装置挡板电工电子出线口进线口螺纹柱橡胶棒本实用新型导线接触内部安装外壁螺纹左右两侧体内部橡胶圈进水排布排查凸块磨损分辨断裂整齐堵塞

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