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[发明专利]半导体装置及半导体模块-CN202180090268.7在审
发明人： 中野诚也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够对由来自上方的加压引起的特性变动进行抑制的半导体装置及半导体模块。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有设置有半导体元件的元件部、在俯视观察时设置于元件部的周围的末端部；第1电极，其设置于半导体基板之上；第2电极，其设置于第1电极之上的与元件部相当的位置；层间膜，其设置于第1电极之上的与元件部及末端部相当的位置；以及保护膜，其设置于层间膜之上的与元件部及末端部相当的位置。
半导体装置模块

[发明专利]柱状蜂窝结构过滤器-CN202210156712.7有效
发明人：佐藤祥弘;植田修司;仙藤皓一;石井丰;田岛裕一;中野诚也;板津研 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F01N3/022 文献下载
摘要：本发明提供一种柱状蜂窝结构过滤器，能够在废气的流速较大的情况下有助于提高PM捕集性能。柱状蜂窝结构过滤器具备：从入口侧底面延伸至出口侧底面且入口侧底面开口而在出口侧底面具有封孔部的多个第一隔室；以及从入口侧底面延伸至出口侧底面且在入口侧底面具有封孔部而出口侧底面开口的多个第二隔室，多个第一隔室和多个第二隔室隔着多孔质间隔壁而交替地相邻配置，其中，在各第一隔室的表面形成有气孔率高于所述间隔壁的气孔率的多孔质膜，在柱状蜂窝结构过滤器的与第一隔室延伸的方向正交的截面中，中心部的多孔质膜的平均厚度大于外周部的多孔质膜的平均厚度。
柱状蜂窝结构过滤器

[发明专利]粒子附着装置、过滤器的制造方法及柱状蜂窝结构过滤器-CN202280002888.5在审
发明人： 中野诚也;田岛裕一 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：粒子附着装置(100)具备保持器(10)、腔室(20)、喷嘴(30)、取入口(40)以及流动控制部件(50)。保持器(10)保持具有第一端面(71a)和第二端面(71b)的过滤器基材(70)。腔室(20)与保持器(10)连通，以过滤器基材(70)的第一端面(71a)面向腔室(20)内的空间的方式配置。喷嘴(30)配置在与过滤器基材(70)的第一端面(71a)对置的腔室(20)的对置面(21)上，能够向过滤器基材(70)的第一端面(71a)喷射含有粒子的气溶胶。取入口(40)设置于腔室(20)的对置面(21)，能够取入周围气体。流动控制部件(50)配置在设置有取入口(40)的对置面(21)上，能够控制周围气体的流动。
粒子附着装置过滤器制造方法柱状蜂窝结构

[发明专利]半导体装置-CN201680090598.5有效
发明人： 中野诚也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。
半导体装置

[发明专利]柱状蜂窝结构过滤器的制造方法及颗粒附着装置-CN202111324580.6在审
发明人：佐藤祥弘;植田修司;田岛裕一;中野诚也;板津研;仙藤皓一;石井丰 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F01N3/022 文献下载
摘要：本发明提供包括将抑制了凝聚的颗粒供给到柱状蜂窝结构体的入口侧底面并使颗粒附着于第一孔格的表面的工序的柱状蜂窝结构过滤器的制造方法，包括如下工序：一边从与柱状蜂窝结构体的入口侧底面垂直的方向朝向入口侧底面喷射含有陶瓷颗粒的气溶胶，一边对出口侧底面施加吸引力，从入口侧底面吸引所喷射的气溶胶，使陶瓷颗粒附着于第一孔格的表面，气溶胶的喷射使用气溶胶发生器实施，该气溶胶发生器具备：驱动气体流路，用于使加压后的驱动气体流动；供给口，设置于该驱动气体流路的中途，并能够从该驱动气体流路的外周侧朝向该驱动气体流路内吸引陶瓷颗粒；以及喷嘴，安装于该驱动气体流路的前端而能够喷射气溶胶。
柱状蜂窝结构过滤器制造方法颗粒附着装置

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080092316.1在审
发明人： 中野诚也;友松佳史;阿多保夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的肖特基势垒二极管具有：n型的半导体基板；至少1个p型的保护环，其设置于半导体基板的上表面侧；阳极电极，其设置于半导体基板的上表面；阴极电极，其设置于半导体基板的背面；以及绝缘膜，其设置于至少1个保护环中的最内侧的内侧保护环之上，阳极电极搭至绝缘膜之上，阳极电极的端部设置于内侧保护环的正上方，阳极电极与内侧保护环分离地设置，绝缘膜的厚度大于或等于1.0μm。
肖特基势垒二极管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201580085210.8有效
发明人：浜口卓也;中田洋辅;中野诚也;多留谷政良 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：在半导体衬底(1)之上形成有铝电极(2)。焊料连接用的金属膜(3)形成于铝电极(2)之上。有机保护膜(4)在铝电极(2)之上与金属膜(3)分离地形成。有机保护膜(4)与金属膜(3)的间隔大于或等于有机保护膜(4)的厚度的一半。由此，即使在烧结接合时有机保护膜(4)发生变形，其应力也不会传递至金属膜(3)。因此，能够防止焊料连接用的金属膜(3)破裂。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201380074382.6在审
发明人：中田洋辅;中野诚也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-04 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201210172592.6有效
发明人： 中野诚也;友松佳史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够防止紧邻金属膜的端部下方的表面电极由于金属膜的端部的应力而受到损伤。本发明的半导体装置的特征在于，具备：衬底（24）；表面电极（26），在该衬底（24）之上用包含铝的材料形成；金属膜（28），在该表面电极（26）之上用能够进行焊接的材料形成；端部固定膜（30），该表面电极（26）之上的部分和与该金属膜（28）的端部重叠的重叠部分（30a）一体地形成，固定该金属膜（28）的端部。
半导体装置

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