专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]液晶显示装置-CN201480012350.8有效
  • 喜夛裕一;中谷喜纪;今奥崇夫;青山伊织;吉冈孝兼 - 夏普株式会社
  • 2014-02-21 - 2017-06-16 - G02F1/1343
  • 液晶显示装置(100)具备具有第1基板(10)、第2基板(20)以及液晶层(30)的液晶显示面板(1)。第1基板具有设置于各像素的第1电极(11);以及与第1电极一起在液晶层中形成横电场的第2电极(12),第2基板具有与第1电极和第2电极一起在液晶层中形成纵电场的第3电极(21)。各像素能轮换地呈现在液晶层中形成纵电场的状态下进行黑显示的黑显示状态、在液晶层中形成横电场的状态下进行白显示的白显示状态、在不对液晶层施加电压的状态下能透视到液晶显示面板的背面侧的透明显示状态。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶显示装置-CN201580028441.5在审
  • 青山伊织;喜多裕一;佐佐木贵启;中谷喜纪;花冈一孝 - 夏普株式会社
  • 2015-05-29 - 2017-02-22 - G02F1/1343
  • 液晶显示装置(100)具备包括第一基板(10)、第二基板(20)和液晶层(30)的液晶显示面板(1)。第一基板具有:在各像素设置的第一电极(11);和与第一电极一起在液晶层生成横向电场的第二电极(12)。第二基板具有与第一电极和第二电极一起在液晶层生成纵向电场的第三电极(21)。各像素能够切换呈现:在液晶层生成纵向电场的黑显示状态;在液晶层生成横向电场的白显示状态;和以没有对液晶层施加电压的状态透视液晶显示面板的背面侧的透明显示状态。第一电极具有多个直线部分(11a),多个直线部分以其延伸方向和其间距中的至少一者存在多个的方式配置。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶驱动方法和液晶显示装置-CN201380026726.6有效
  • 喜多裕一;吉冈孝兼;中谷喜纪 - 夏普株式会社
  • 2013-04-22 - 2016-10-26 - G02F1/133
  • 本发明提供使闪烁和DC影像残留充分地减少的液晶驱动方法、和使用液晶驱动方法驱动的液晶显示装置。本发明的液晶驱动方法是使设置在上下基板中的一个基板上的一对电极产生电位差来驱动液晶的方法,上述一对电极各自的施加电压的极性被反转,在该上下基板中的一个基板和/或另一个基板上设置有面状电极,上述液晶驱动方法执行以下的驱动操作:在将对该一对电极中的一个电极施加的正极性的电压与负极性的电压的平均值减去对该面状电极施加的电压而得到的差设为第一偏置电压,将对该一对电极中的另一个电极施加的正极性的电压与负极性的电压的平均值减去对该面状电极施加的电压而得到的差设为第二偏置电压时,使该第一偏置电压的值与该第二偏置的值相互调换。
  • 液晶驱动方法显示装置
  • [其他]薄膜晶体管-CN201090001016.X有效
  • 中谷喜纪;守口正生;神崎庸辅;高西雄大 - 夏普株式会社
  • 2010-04-21 - 2013-03-27 - H01L29/786
  • 本实用新型的目的在于维持薄膜晶体管的导通电流,并且降低截止电流。在TFT(100)中,在玻璃基板(101)上形成源极电极(110)和漏极电极(112),在它们的上表面分别形成有包括微晶硅的n型硅层(120、121)。在n型硅层(120、121)上形成微晶硅区域(135、136),在玻璃基板(101)上形成有非晶硅区域(130)。以覆盖它们的方式形成有微晶硅层(145)。因此,导通电流从漏极电极(112)按顺序通过微晶硅区域(135)、微晶硅层(145)、微晶硅区域(136),向源极电极(110)流动。另外,截止电流被非晶硅区域(130)限制。
  • 薄膜晶体管
  • [发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示面板-CN201180034015.4有效
  • 中谷喜纪;齐藤裕一;冈本哲也;神崎庸辅;高西雄大 - 夏普株式会社
  • 2011-07-01 - 2013-03-20 - H01L21/336
  • 各TFT(5a)包括:栅极电极(11aa);以覆盖栅极电极(11aa)的方式设置的栅极绝缘膜(12);在栅极绝缘膜(12)上以与栅极电极(11aa)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(13b);在半导体层(13b)上以使得沟道区域(C)露出并且隔着沟道区域(C)相互分离的方式设置的源极电极(14aa)和漏极电极(14ba),各辅助电容(6a)包括:电容线(11ba);以覆盖电容线(11ba)的方式设置的栅极绝缘膜(12);在栅极绝缘膜(12)上以与电容线(11ba)重叠的方式设置的半导体层(13b);和在半导体层(13b)上设置、与各像素电极(16a)连接的漏极电极(14ba),包含氧化物半导体的半导体层(13b)与包含氧化物导电体的各像素电极(16a)相互接触。
  • 薄膜晶体管及其制造方法液晶显示面板
  • [发明专利]基材处理装置及使用该基材处理装置的基材处理方法-CN200780050402.0有效
  • 波多野晃继;中谷喜纪;越智久雄 - 夏普株式会社
  • 2007-11-13 - 2009-11-25 - B65H21/00
  • 本发明涉及基材处理装置。该基材处理装置包括:从第一生产线接收基材并向第二生产线搬送的基材搬送部;分割基材的第一基材分割部,从分割而形成的基材的始端回收基材的基材回收部;向分割而形成的基材的终端提供基材的基材供给部;将基材的终端和由基材供给部提供的基材的始端连接的第一基材连接部;设置在基材供给部和第一基材连接部之间的第二基材分割部;设置在第一生产线和基材回收部之间的第三基材分割部;将由第三基材分割部分割而产生的基材的始端和由第二基材分割部分割而产生的基材的终端连接的第二基材连接部。
  • 基材处理装置使用方法
  • [发明专利]配线基板和显示装置-CN200780043779.3有效
  • 山下贤一;中谷喜纪;波多野晃继 - 夏普株式会社
  • 2007-07-18 - 2009-09-23 - H05K3/32
  • 本发明提供配线基板和显示装置,该配线基板是在安装基板(20)上安装有具有用于与配线图案(12a)连接的凸点电极(15b)的IC芯片(15)的配线基板(30a),该安装基板(20)包括:具有在玻璃纤维中含浸有树脂的增强件(5)和设置在增强件(5)的表面的有机层(6a)的树脂基板(10);和在树脂基板(10)的表面隔着覆盖层(11a)设置的配线图案(12a),该配线基板(30a)的特征在于:树脂基板(10)具有露出增强件(5)的纤维露出部(5e),IC芯片(15)在连接电极(15b)与配线图案(12a)连接的状态下,通过与纤维露出部(5e)连接的ACF(17)被固定在安装基板(20)上。
  • 配线基板显示装置
  • [发明专利]薄膜二端元件、其制造方法和液晶显示装置-CN98809726.5无效
  • 青森繁;中谷喜纪 - 夏普公司
  • 1998-07-30 - 2000-11-08 - H01L49/02
  • 一种薄膜二端元件,由下述部分构成第1金属膜,起到布线层和第1电极的作用;第1绝缘膜,在该第1金属膜的第1电极上形成,具有非线性电阻特性;第2金属膜,在该第1绝缘膜上形成,起到第2电极的作用;以及第3金属膜,其应力比在上述第1金属膜的布线层部分上形成的第1金属膜的应力小,而且,电阻小。一种薄膜二端元件,在作为绝缘性基板的树脂基板上形成了下述部分第1金属膜,起到布线层和第1电极的作用;第1绝缘膜,在该第1金属膜的第1电极上形成,具有非线性电阻特性;第2金属膜,在该第1绝缘膜上形成,起到第2电极的作用;以及第2绝缘膜,在除了通过上述第1绝缘膜在与第1电极之间起到导电性的功能的部分外的上述第2金属膜的下部形成。
  • 薄膜元件制造方法液晶显示装置

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