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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子处理方法-CN202180009904.9在审
发明人： 中谷侑亮;园田靖;田中基裕 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：将HfO2向侧方且相对于SiGe选择性地进行蚀刻。为了GAA等下一代三维构造器件制造，在使用能进行自由基蚀刻的真空处理装置将HfO2向侧方蚀刻的等离子处理方法中，特征在于，在BCl3气体中添加SiCl4气体，通过使得这时的SiCl4气体的流量比例比BCl3气体的流量比例低，并设为与HfO2相比而沉积于SiGe上的SiClx沉积物更多的流量比例，能将HfO2相对于SiGe选择性地进行蚀刻。
等离子处理方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202180011601.0在审
发明人：园田靖;田中基裕;中谷侑亮 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能控制离子与自由基的密度比的等离子处理装置以及等离子处理方法所涉及的技术。提供如下技术，具备：处理室，其对样品进行等离子处理；高频电源，其供给用于在处理室内生成等离子的微波的高频电力；磁场形成机构，其在处理室内形成磁场；样品台，其设于处理室内，且载置样品；和遮蔽板，其遮蔽离子对样品台的入射，且配置于所述样品台的上方，磁场形成机构包含：设于处理室的外周部的线圈；和与线圈连接的电源，通过磁场形成机构的电源或高频电源相对于遮蔽板控制使等离子生成的位置，使生成等离子的位置在遮蔽板的上下周期性地改变的同时使等离子生成。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理装置-CN201980048827.0在审
发明人：岩濑拓;小藤直行;园田靖;中谷侑亮;田中基裕 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供等离子处理装置，能够在同一腔室内进行减少了离子向样品的流出的各向同性蚀刻和将离子向样品入射的各向异性蚀刻中的任一者。因此，本发明具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，经由配置在所述处理室的上方的电介质的第一构件供给用于生成等离子的高频电力；磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场；样品台，载置所述样品；以及第二构件，配置在所述第一构件与所述样品台之间且形成有贯通孔，所述贯通孔形成在距所述第二构件的中心为给定的距离以上的位置，从所述第一构件至所述第二构件的距离是使得在所述第一构件与所述第二构件之间生成的等离子的密度为截止密度以上的距离。
等离子处理装置

[外观设计]等离子处理装置用离子屏蔽板-CN202130700777.X有效
发明人： 中谷侑亮;田中一海;山冈正作;园田靖;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：等离子处理装置用离子屏蔽板。2.本外观设计产品的用途：本产品为一种等离子处理装置用离子屏蔽板，其应用在半导体制造中用于等离子处理装置中，并安装在真空室的气体流路中，用于屏蔽等离子体中的离子并允许自由基（中性活性物种）通过。3.本外观设计产品的设计要点：在于如立体图所示内容最能体现本外观设计产品的设计要点。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.在使用状态及标示出各部名称参考图中，C‑石英顶板，D‑真空室，E‑石英环，F‑本外观设计产品，G‑带小孔的淋浴板（气体喷射板），H‑晶圆侧。
等离子处理装置离子屏蔽

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共 4 条

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