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[发明专利]量子纠缠生成装置、量子纠缠生成方法以及量子计算机-CN202280018943.X在审
发明人： 中村泰信;砂田佳希 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：量子纠缠生成装置(10)具备：在设n为2以上的整数时分别具有三个电极的两个超导量子比特元件(20a)和(20b)；配置在相邻的超导量子比特元件(20a)与(20b)之间的耦合谐振器(30)；以及与超导量子比特元件(20a)和(20b)分别相互电容耦合的波导(50a)和(50b)。耦合谐振器(30)通过使双量子比特门作用于相邻的超导量子比特元件(20a)与(20b)之间，在该相邻的超导量子比特元件(20a)与(20b)之间生成量子纠缠。超导量子比特元件(20a)和(20b)通过将量子纠缠作为传播微波光子释放到波导(50a)和(50b)，从而生成二维簇态。
量子纠缠生成装置方法以及计算机

[发明专利]微波光子控制装置、微波光子发射器、微波光子接收器、微波光子中继器及量子计算机-CN202080090969.6在审
发明人：河野信吾;中村泰信 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H04B10/27 文献下载
摘要：微波光子控制装置具备并列地与供微波光子传播的波导分别连接的第一量子比特和第二量子比特、以及所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的直接耦合。第一量子比特与第二量子比特的间隔为微波光子的波长的(1/4+n/2)倍(n为0以上的整数)。在第一量子比特与第二量子比特之间形成量子纠缠状态。直接耦合消除第一量子比特与第二量子比特之间的经由波导进行的耦合。微波光子控制装置通过对第一量子比特及第二量子比特的弛豫速率以及量子纠缠状态的相位进行控制，由此切换第一动作模式、第二动作模式、第三动作模式地进行动作。
微波光子控制装置发射器接收器中继量子计算机

[发明专利]量子门装置-CN202080054500.7在审
发明人：野口笃史;中村泰信 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明的量子门装置10包括以第一共振频率共振的第一超导电路11、以第二共振频率共振的第二超导电路12、以及将第一超导电路11和第二超导电路12连接的连接部13。第一超导电路11包括一个第一约瑟夫森元件111、第二约瑟夫森元件组112、以及第一电容器114。第二约瑟夫森元件组112是将n个约瑟夫森元件利用由超导体所构成的配线串联地连接而形成的，该n个约瑟夫森元件的各个所具有的约瑟夫森能量比第一约瑟夫森元件111的约瑟夫森能量的n倍大。第一配线115通过将第一约瑟夫森元件111与第二约瑟夫森元件组112呈环状连接而形成局部超导电路113，进而将局部超导电路113与第一电容器114并联地连接。量子门装置10进而具有对局部超导电路113内施加静磁场的磁场施加部14、以及将具有第一共振频率与第二共振频率的差即差频的电磁波照射至第一超导电路11和/或第二超导电路12的电磁波照射部(第一电磁波照射部151)。
量子装置

[发明专利]非线性微波滤波器-CN201980076395.4有效
发明人： 中村泰信;河野信吾;越野和树 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01P7/08 文献下载
摘要：非线性微波滤波器包括量子比特，量子比特形成于形成有目标量子比特的电路基板，并且与目标量子比特所耦合的控制用波导耦合，目标量子比特是在超导量子电路中受到控制的量子比特，量子比特与控制用波导的波导端部的距离处于从共振波长的半整数倍起算的规定范围内，量子比特具有与目标量子比特的共振频率的差处于规定范围内的共振频率，量子比特与控制用波导的耦合仅比目标量子比特与控制用波导的耦合大规定值。
非线性微波滤波器

[发明专利]超导复合量子计算电路-CN201980062983.2在审
发明人： 中村泰信;田渊豊;玉手修平 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：超导复合量子计算电路包括：电路基板，其在基板表面形成有电路元件的布线图案和作为接地电位的接地图案，并且具有贯通电极，其中，布线图案包含量子位和观测量子位的状态的观测电极，贯通电极在基板内部连接形成于基板表面中的第一面的接地图案和形成于第一面的背面即第二面的接地图案；第一接地电极，其具有第一接触部和第一非接触部，第一接触部与形成于电路基板的第一面的接地图案相接，第一非接触部的形状与形成于第一面的布线图案的形状对应；第二接地电极，其具有与形成于电路基板的第二面的接地图案相接的第二接触部；控制信号线，其在前端设置有接触弹簧销，该接触弹簧销与对应于量子位的位置接触，并将电路基板的第一面按压于第一接地电极，或者将电路基板的第二面按压于第二接地电极；以及施力部件，其将第一接地电极按压于电路基板的第一面，或者将第二接地电极按压于电路基板的第二面，第一接地电极经由第一延展部与接地图案相接，第一延展部由具有比接地图案的延展性高的延展性的超导体形成，第二接地电极经由第二延展部与接地图案相接，第二延展部由具有比接地图案的延展性高的延展性的超导体形成。
超导复合量子计算电路

[发明专利]热电转换元件和热电转换方法-CN201280021590.5无效
发明人：桐原明宏;中村泰信;万伸一;内田健一;齐藤英治 -专利权人：日本电气株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种热电转换元件，该热电转换元件能够将沿平面内的方向的温度梯度和沿与平面垂直的方向的温度梯度同时转换为电能。该热电转换元件具有基片（4）、磁性膜（2）和电极(3、3a、3b)，该磁性膜被设置在基片（4）上并且由多晶磁性绝缘材料构成，多晶磁性绝缘材料具有与膜平面平行的分量并且能够沿预定方向被磁化，该电极被设置在磁性膜（2）上并且具有一种具有自旋轨道互作用的材料，其中，与磁性膜（2）的表面垂直的温度梯度能够作为电极中的一个电极的平面内的电位差被输出，并且与磁性膜（2）的表面平行的温度梯度能够作为电极之间的电位差被输出。
热电转换元件方法

[发明专利]热电转换元件、热电转换元件的制造方法及热电转换方法-CN201280008369.6有效
发明人：桐原明宏;中村泰信;万伸一;内田健一;齐藤英治 -专利权人：日本电气株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明的课题是提供低成本、生产性高、转换效率良好的热电转换元件。本发明的热电转换元件构成为具有：基板（4）；磁性体膜（2），设于基板（4）上，由多晶体的磁性绝缘体材料构成，并具有固定的磁化方向（A）；以及电极（3），设于磁性体膜（2）上，具有具备自旋-轨道相互作用的材料，如果在磁性体膜（2）形成温度梯度，则生成从磁性体膜（2）朝向电极（3）流动的自旋流，借助电极（3）的逆自旋霍尔效应使在与磁性体膜（2）的磁化方向（A）垂直的方向上产生电流（I）。
热电转换元件制造方法

[发明专利]不易失存储器-CN00802054.X无效
发明人：大塚洋一;曾根纯一;蔡兆申;中村泰信;安井孝成 -专利权人：科学技术振兴事业团;日本电气株式会社
申请日： 2000-09-08 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：实现器件的提高可靠性、降低消耗电力、高速动作。如果在源极(1)·漏极(2)间给出某个偏置电压并使栅极电压变化，则按照在岛电极(3)内量化的静电能级，在源极(1)·漏极(2)间离散地流过电流。此时的源极(1)·漏极(2)间电流的通·断可以通过在栅极上施加1/2单元电荷来进行。如果靠栅极电压在铁电层(6)上引发极化，则其电场加在岛电极(3)上。可以高灵敏度地测定此时的源极(1)·漏极(2)间的电流。电荷的保持靠铁电层6内的极化来进行，即使去除电源也能够保持储存内容。
不易存储器

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