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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580052304.1有效
发明人： 中川进一;三宫逸郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种具有闪存单元且能够提高成品率的半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括：使用具有遮光图案102的曝光用掩模105对光致抗蚀剂进行曝光的工序，所述遮光图案102具有二个以上的宽度狭窄部104；对光致抗蚀剂进行显影，形成多个带状的抗蚀图案68的工序；将抗蚀图案68用作掩模，选择性地对第一导电膜67进行蚀刻的工序；在第一导电膜67上形成中间绝缘膜69的工序；在中间绝缘膜69上形成第二导电膜74的工序；对第一导电膜67、中间绝缘膜69以及第二导电膜74进行图案成形，从而形成闪存单元FL，并形成结构体98的工序，所述结构体98由依次形成下部导体图案、中间绝缘膜的切片以及虚设栅电极而成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置组及其制造方法、半导体装置及其制造方法-CN200410086177.4有效
发明人：江间泰示;儿屿秀之;姊崎彻;中川进一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种半导体装置组及其制造方法，能优先开发不混装非易失性存储器工艺技术，同时在不混装非易失性存储器的半导体装置和混装非易失性存储器的半导体装置间可使用公共设计宏。半导体装置组包括：包含第一设计宏和非易失性存储器的第一半导体装置；包含与第一设计宏有相同性的第二设计宏、不包含非易失性存储器的第二半导体装置，第一设计宏有在第一半导体基板形成的第一活性区域和第一元件分离区域，第二设计宏有在第二半导体基板形成的第二活性区域和第二元件分离区域，第一活性区域截面上端部的曲率半径大于第二活性区域截面上端部的曲率半径，第一活性区域表面与第一元件分离区域表面的高差大于第二活性区域表面与第二元件分离区域表面的高差。
半导体装置及其制造方法