专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻用清洗液-CN200680018671.4无效
  • 中山一彦;秀坂慎一 - 东京应化工业株式会社
  • 2006-07-14 - 2008-05-21 - G03F7/42
  • 本发明涉及一种光刻用清洗液,其用于通过光刻技术制造抗蚀图案时,将设置于基板上的抗蚀膜的不需要部分或残留于光致抗蚀剂供应装置中的光致抗蚀剂洗净并去除。作为该清洗液,要求其使用可将不需要的抗蚀剂完全溶解去除后能够迅速干燥的溶剂,并对处理后的抗蚀膜不会产生不良影响,故其成分取决于所使用的抗蚀剂的种类。但是,目前为止尚未知晓对于以丙烯酸系聚合物作为成分的ArF准分子激光用光致抗蚀剂有效的清洗液。本发明提供一种光刻用清洗液,其包含单独的烷氧基羧酸烷基酯,或其与烷氧基苯的混合溶剂,该清洗液可有效去除ArF准分子激光用光致抗蚀剂。
  • 光刻清洗
  • [发明专利]抗蚀图案的剥离方法-CN200410098395.X无效
  • 大西启之;中山一彦;高木勇 - 东京应化工业株式会社
  • 2004-12-09 - 2005-06-15 - G03F7/42
  • 一种抗蚀图案的剥离方法,具有使用化学放大型正型抗蚀剂组合物在基板上形成抗蚀图案的抗蚀图案形成工序、和使用溶剂将上述抗蚀图案从基板上剥离的剥离工序,其中,作为上述化学放大型正型抗蚀剂组合物,使用将(A)侧链具有羟基的碱可溶性树脂、(B)光酸发生剂、(C)下述通式(I)所示化合物溶解于有机溶剂而形成的组合物,并且,在上述抗蚀图案形成工序和上述剥离工序之间具有在150~400℃的温度下对形成了该抗蚀图案的基板进行加热处理的加热处理工序,H2C=CH-O-R1-O-CH=CH2 (I),式中,R1表示可以具有取代基的C1~10的亚烷基等。
  • 图案剥离方法
  • [发明专利]正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法-CN03154301.4无效
  • 馆俊聪;中山一彦;土井宏介 - 东京应化工业株式会社
  • 2003-08-14 - 2004-03-24 - G03F7/039
  • 一种正型光致抗蚀剂组合物,是用于制造在1个基板上形成有集成电路和液晶显示部分的LCD的正型光致抗蚀剂组合物,其特征在于,含有从由(A)碱溶性树脂、(B)萘醌二迭氮酯化物、(C)用上述通式(I)表示的化合物组成的组中选择的至少1种含酚性羟基化合物;及(D)有机溶剂[式中,R1-R6分别独立表示氢原子、卤原子、碳数1-6的烷基、或碳数1-6的烷氧基,R7表示氢原子或碳数1-6的烷基,a和b分别独立表示1-3的整数]。根据本发明,可以提供在NA为0.2以下的适于制造系统LCD的低NA条件下也可以形成2.0微米以下的微细抗蚀图案且具有良好线性的抗蚀材料。
  • 正型光致抗蚀剂组合图案形成方法

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