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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件以及半导体装置-CN202180082891.8在审
发明人： 东克典;正木克明;藤田高吉;林雄一郎;平山知央;泽田达郎;葛西骏 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。
半导体元件制造方法以及装置

[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体装置-CN202180029879.0在审
发明人： 东克典;泽田达郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法包含如下工序：在基板(11)的表面(11a)上具有开口(22)，在开口(22)的周围上表面区域留下高低差(23)地设置掩模(21)；使半导体从自开口(22)露出的表面(11a)外延生长到周围上表面区域上，制作具有半导体层(31)的半导体元件，该半导体层(31)具有转印有高低差(23)的第一面；和对与掩模(21)相接的半导体层(31)的第一面进行干式蚀刻，来转印高低差(23)。掩模(21)包含成为半导体层(31)中的供体或受体的元素。
半导体元件制造方法以及装置

[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体装置-CN202080086808.X在审
发明人： 东克典;平山知央 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法包含：形成覆盖基体基板(11)的表面且一部分开口的掩模(21)的工序；和从自开口(22)露出的基体基板(11)的表面，使其沿着掩模(21)外延生长，来形成包含给定的半导体材料的半导体层(31)的工序。掩模(21)中的靠近半导体层(31)一侧的表面(21a)包含非晶质的第一材料，所述非晶质的第一材料不含成为给定的半导体材料中的施体或受体的元素。
半导体元件制造方法以及装置

[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体装置-CN202080059243.6在审
发明人： 东克典;小松直佳;泽田达郎;中里佑介;平山知央 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法：在基板(11)的表面上设置具有开口(12a)并对该开口的周围上表面区域实施了设置给定的构造的加工的掩模(12)，使半导体从自开口露出的基板的表面外延生长到周围上表面区域上为止，制作具有转印了所述给定的构造的半导体层(13)的半导体元件。一个给定的构造为基于具有台阶的形状的构造。另一个给定的构造为基于选择性地配置的元素的构造，被转印的元素向半导体层移动。
半导体元件制造方法装置

[发明专利]半导体功率模块-CN201210240778.0有效
发明人：绀野哲丰;东克典;安藤拓司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体功率模块。在以集电极电极端子面（111t）一侧为上侧、发射极电极端子面（112t）一侧为下侧的情况下，半导体安装基板（104）上的集电极配线（105）与集电极电极（111）的接合部即集电极电极接合部以及发射极配线与发射极电极的接合部即发射极电极接合部，在上下方向的位置相同，以2mm以上4mm以下的间隔左右邻接，并且上侧配置的第一半导体安装基板（104a）上的集电极电极接合部与下侧配置的第二半导体安装基板（104b）的集电极电极接合部、以及第一半导体安装基板（104a）上的发射极电极接合部与第二半导体安装基板（104b）的发射极电极接合部，分别配置为左右方向上的位置相同。
半导体功率模块

[发明专利]功率半导体模块-CN201210219367.3有效
发明人： 东克典;安田健太郎;藤田孝博;斋藤克明;小池义彦;日吉道明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体模块，其能够减少成为电磁故障等的原因的电压振动的产生。在多个绝缘基板（20、20’）中的各个绝缘基板上搭载的IGBT等半导体开关元件（50、50’）的各主电极（52、52’）通过导体部件（45）电连接。由此，可以抑制由于半导体开关元件的接合电容和寄生电感而导致的共振电压的产生。
功率半导体模块

[发明专利]电力变换装置-CN201010583756.5有效
发明人： 东克典;森睦宏;中津欣也 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：功率模块，其具有将直流电流变换为交流电流的功率半导体元件；电容器模块，其具有对直流电流进行平滑化的电容器元件；导体，其将功率模块和电容器模块电连接；和水路形成体，其形成致冷剂流动用的流路；功率模块配置在水路形成体的第一面，电容器模块按照与第一面夹持流路的方式配置在相反侧的水路形成体的第二面，导体具有在正极导体与负极导体之间夹持了绝缘薄板的层叠构造，并且，导体配置成从电容器元件与水路形成体的第二面之间的空间经由水路形成体的侧部到达功率模块。
电力变换装置

[发明专利]电力变换装置-CN200710137063.1有效
发明人： 东克典;森睦宏;中津欣也 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：具有直流端子的电容器模块；将直流电流变换为交流电流的逆变器；和用于冷却逆变器的散热片，逆变器具有具备多个功率半导体元件的功率模块，功率模块具备金属基底、设置于金属基底的一个面的绝缘基板；固定于绝缘基板的功率半导体元件和直流端子，在金属基底的另一个面设置有散热片，功率模块的直流端子和电容器模块的直流端子分别构成为隔着绝缘物层叠平板导体，并且构成为使正负的直流端子的前端部在彼此相反方向上弯曲，将该弯曲的面作为功率模块和电容器模块的连接面，在该连接面中使各个绝缘彼此重叠。
电力变换装置

[发明专利]半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置-CN200610110998.6有效
发明人： 东克典;守田俊章;宝藏寺裕之;铃木和弘;佐藤俊也;大塚修 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。
半导体装置使用电力变换

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