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[发明专利]一种优化深沟槽低电容TVS的制备方法-CN202310675499.5在审
发明人：周倩 -专利权人： 上海菱芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种优化深沟槽低电容TVS的制备方法，涉及半导体技术领域。本发明采用高电阻N型FZ（区熔）衬底来替代在高掺杂的P型衬底上生长高电阻率N型外延层。在现在越来越成熟的薄片加工能力的基础上，通过晶圆减薄工艺，同时结合背面高能硼注入工艺来实现背面P型层替代高掺杂的P型衬底。由于直接采用高电阻N型FZ衬底来加工TVS器件，没有了高掺杂的P型衬底的影响，因此，从根本上解决和避免了P型衬底自扩散效应，确保了高电阻N型层的电阻率稳定性，提升了TVS器件参数和良品率的稳定性。同时，可以通过选择更低掺杂浓度的N型衬底来进一步优化TVS器件的低电容性能，通过调整背面P型层的掺杂浓度来优化雪崩二极管的耐压性能，使得器件参数和应用表现整体得以提升。
一种优化深沟电容 tvs 制备方法

[发明专利]一种形成IGBT场截止埋层的制备方法-CN202111022267.7在审
发明人：周倩 -专利权人： 上海菱芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种形成IGBT场截止埋层的制备方法。包括以下步骤：选用FZ硅片作为N型衬底；去除N型衬底表面氧化层，在所述N型衬底的正面注入N型杂质并高温推结外延生长形成N型场截止埋层；在所述N型衬底的背面进行减薄处理；在所述N型场截止埋层上进行外延层生长；翻转所述N型衬底，在其背面进行后续常规正面工艺，栅极的生长与刻蚀，P型井和重掺杂的N型区的注入和激活，层间隔离层形成与刻蚀，以及发射极金属层的形成；将所述外延层全部去除；在所述N型场截止埋层上进行P型收集极的注入、激活和背面金属化。本发明工艺简单，实现方便。
一种形成 igbt 截止制备方法

[发明专利]一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202011164047.3在审
发明人：周倩 -专利权人： 上海菱芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。提供了一种制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。本发明具有制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。
一种平面 igbt 器件米勒电容绝缘栅双极型晶体管及其制备方法