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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于晶圆电镀设备的屏蔽装置及晶圆电镀设备-CN202020927517.6有效
发明人：王振荣;刘红兵 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种屏蔽装置及晶圆电镀设备。该屏蔽装置包括：第一驱动装置；和可转动的外屏蔽件，所述外屏蔽件设置有中空部，用于容纳电镀液并屏蔽电镀液中的电流线；其中，所述第一驱动装置与所述外屏蔽件传动连接。本实用新型提供的用于晶圆电镀设备的屏蔽装置及晶圆电镀设备中，第一驱动装置可驱动外屏蔽件旋转，外屏蔽件可屏蔽电镀液中的边缘电流线，使电镀更加均匀，电镀效果更佳。
用于电镀设备屏蔽装置

[实用新型]用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备-CN202020929023.1有效
发明人：王振荣;刘红兵 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备。该盖子包括：晶圆夹持件，用于固定晶圆；和第二驱动机构，所述第二驱动机构与所述晶圆夹持件传动连接，用于驱动所述晶圆夹持件沿轴向移动。本实用新型提供的用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备中，第二驱动机构可带动阴极晶圆沿轴向移动，可实现调节阴极晶圆的位置，可根据需要调节阳极与阴极晶圆之间的距离，从而调节阳极与阴极晶圆之间的电势差，可获得较佳的电镀效果，电镀精度高。
用于电镀设备盖子

[发明专利]一种KrF厚膜光刻胶添加剂及含其的光刻胶组合物-CN202011360612.3在审
发明人：王溯;方书农;耿志月;崔中越;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;张君;霍静静 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种KrF厚膜光刻胶添加剂及含其的光刻胶组合物。具体地，本发明提供了一种光刻胶组合物，其由下述原料制得，所述原料包括：等离子体光吸收剂、光致生酸剂、光敏聚合物和有机溶剂；其中，所述等离子体光吸收剂为式(I)所示的酰基膦氧化合物。本发明提供的光刻胶组合物中酰基膦氧类光吸收剂和常规光致生酸剂协同配合产生了更好的光透过率，从而使本发明提供的光刻胶组合物在与深紫外光一起使用时，能够形成具有大厚度且可以实现下层的高质量刻蚀的光刻胶图案。
一种 krf 光刻添加剂组合

[发明专利]一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及其应用-CN201711065374.1有效
发明人：王溯;蒋闯;冯强强 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及应用。低碱度环保电解去除溢料的溶液，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：1％‑10％的无机碱、1％‑5％的有机胺、5％‑12％的缓冲剂、1％‑5％的有机溶剂、0.1％‑1％的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去除溢料的溶液的pH值为7‑8。本发明的去除溢料的溶液碱度低，pH为7‑8，碱度小于20g/L，有机物组分含量低，含水量高大于80％，能有效去除溢料，且能有效避免塑封体和金属框架或基体的损伤，以及产品内部分层的问题。此外，本发明的电解去除溢料的溶液具有环保性。
一种碱度环保电解去除溶液制备方法及其应用

[发明专利]一种退镀液、其制备方法和应用-CN201910181553.4有效
发明人：王溯;孙红旗 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种退镀液、其制备方法和应用。本发明的退镀液，其包括下列质量分数的组分：5％‑10％的氧化剂、1％‑5％的缓蚀剂、1％‑2％的光亮剂、1％‑5％的促溶剂、10％‑15％的加速剂、1％‑5％的活化剂、和水；氧化剂为硝酸；缓蚀剂为苯酚类化合物；光亮剂为K值小于20的聚乙烯吡咯烷酮；促溶剂为含氯化合物；加速剂为氨基磺酸和/或柠檬酸。本发明的退镀液适用范围广、退镀速度快、对基材腐蚀率低、无沉淀、稳定性好、黄烟产生量少、硝酸使用量少且损失率低，且具有非常广阔的市场应用前景。
一种退镀液制备方法应用

[实用新型]晶圆湿制程设备用烘干槽装置-CN201922317686.8有效
发明人：王振荣;刘红兵;朱雄;卢鹏 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆湿制程设备用烘干槽装置，包括槽壳体，所述槽壳体的内部设有供放置晶圆的内腔，所述槽壳体上安装有喷气管路，所述喷气管路伸入所述内腔以供向所述晶圆吹气，所述内腔的底部设有烘热底层，所述晶圆设置于所述烘热底层的上方。本实用新型所提供的晶圆湿制程设备用烘干槽装置，其结构简明，方便操作，烘干效果好，通过在槽壳体上安装喷气管路，并在槽壳体的内部设置烘热底层，将晶圆统一放在槽壳体的内腔后，便可围绕晶圆的四周及底面产生立体式的烘干效果。
晶圆湿制程设备用烘干装置

[发明专利]一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用-CN201710548066.8有效
发明人：王溯;蔡进;于仙仙;马伟 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C11D1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的去胶剂的制备方法，其包括下列步骤：其包括下列步骤：将下述去胶剂的原料混合，即可；所述的原料包括下列质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5。本发明的制备方法制得的去胶剂寿命长，可在3个月内循环重复使用；可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的锡毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。
一种用于毛刺去胶剂制备方法应用

[发明专利]一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用-CN201710548063.4有效
发明人：王溯;蔡进;于仙仙;马伟 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C11D1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的应用中，所述的去胶剂由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5。本发明的去胶剂可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。
一种用于毛刺去胶剂制备方法应用

[实用新型]自动生产线用引线框架翻转上料装置-CN201922317677.9有效
发明人：王振荣;戴志文 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-22 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B65H20/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动生产线用引线框架翻转上料装置，包括框架料运送机构、框架料翻转机构以及钢带料夹持架，框架料运送机构设有可升降且可往复滑移的升降送料板以供向框架料翻转机构的位置运送框架料，框架料翻转机构设有可开合的框架料夹口以供夹持框架料，钢带料夹持架的上部设有可开合的钢带料夹口以供夹持钢带料，框架料夹口可向钢带料夹口翻转并可向外滑移。本实用新型所提供的自动生产线用引线框架翻转上料装置，其送料机构通过可往复升降的送料栓实现高效定位送料，其翻转机构在实现翻转料的同时，还能调节翻转半径，确保框架料在翻转后到大钢带料的下边缘，其钢带料的夹装机构能确保整条钢带料始终保持平稳。
自动生产线引线框架翻转装置

[实用新型]晶圆湿制程设备中晶圆清洗用挂篮抖动装置-CN201922317682.X有效
发明人：王振荣;刘红兵;朱雄;方琴剑 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-22 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆湿制程设备中晶圆清洗用挂篮抖动装置，包括抖动驱动机构，所述抖动驱动机构上安装有抓手机构，通过所述抖动驱动机构驱动所述抓手机构上下往复运动，所述抓手机构上设有挂架机构，通过所述挂架机构提挂放置晶圆用的挂篮。本实用新型所提供的晶圆湿制程设备中晶圆清洗用挂篮抖动装置，其结构简明，实用性强，通过抖动驱动机构驱动抓手机构往复抖动，带动挂架机构及挂篮先行去除粉末和水滴；通过在抓手机构下设置挂架机构，使抓手机构不直接接触挂篮，由于挂篮在清洗过程中处于于处理槽内，以此，抓手机构也就远离于挂篮，进而避免与处理槽内药水接触。
晶圆湿制程设备中晶圆清洗挂篮抖动装置

[实用新型]划片刀清洗冷却液回用装置-CN201922329170.5有效
发明人：方书农;戴志文;罗巍 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种划片刀清洗冷却液回用装置，包括废液收集单元、微滤单元、第一储水单元、废液纯化单元和第二储水单元，其中，废液收集单元、微滤单元、第一储水单元、废液纯化单元和第二储水单元依次通过管路连通；废液纯化单元包括具有进水口和出水口的电去离子装置，电去离子装置的出水口包括浓水出口和纯水出口，通过管路从纯水出口连通到第二储水单元，通过管路从浓水出口分别连通到废液收集单元和第一储水单元。本实用新型提供的划片刀清洗冷却液回用装置可对划片工艺产生的清洗冷却液进行回收处理，满足再次应用于划片工艺中的纯水要求，达到了节能、减排以及降低生产成本的目的。
划片清洗冷却液装置

[实用新型]高压喷淋水回用装置-CN201922330682.3有效
发明人：方书农;戴志文;罗巍 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压喷淋水回用装置，其包括第一水箱、水泵、第一级过滤单元、换热器、第二级过滤单元和第二水箱，其中，所述第一水箱、水泵、第一级过滤单元、换热器、第二级过滤单元和第二水箱依次通过管路连通。本实用新型提供的高压喷淋水回用装置可以将高压喷淋水中存在的毛刺颗粒在该回用装置中的一次处理后即可达到再次使用的要求，达到水资源重复利用的目的。
高压喷淋水回用装置

[发明专利]用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备-CN202010462164.1在审
发明人：王振荣;刘红兵 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备。该盖子包括：晶圆夹持件，用于固定晶圆；和第二驱动机构，所述第二驱动机构与所述晶圆夹持件传动连接，用于驱动所述晶圆夹持件沿轴向移动。本发明提供的用于晶圆电镀设备的盖子及晶圆电镀设备中，第二驱动机构可带动阴极晶圆沿轴向移动，可实现调节阴极晶圆的位置，可根据需要调节阳极与阴极晶圆之间的距离，从而调节阳极与阴极晶圆之间的电势差，可获得较佳的电镀效果，电镀精度高。
用于电镀设备盖子

[发明专利]一种刻蚀液及其制备方法和应用-CN201711449853.3有效
发明人：王溯;季峥 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀液及其制备方法和应用。所述刻蚀液由下述原料制得，所述原料包含下列组分：过氧化氢、无机酸、不饱和有机物、金属螯合剂、过氧化氢稳定剂和水；所述的不饱和有机物包括不饱和有机酸和/或不饱和醇；其中，所述不饱和有机物的质量百分含量为0.3‑2.5％。所述刻蚀液的制备方法为将所述原料混合，即可。本发明所述的刻蚀液可用于半导体设备、印刷基板和IC卡的图案加工。本发明的刻蚀液其各组分具有各向异性，其能使得底部铜的刻蚀速率大于上部铜的刻蚀速率，有效地避免了过渡刻蚀的现象产生，因而解决了底切问题，具有较好的工业应用价值。
一种刻蚀及其制备方法应用

[实用新型]晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置-CN201922317679.8有效
发明人：王振荣;刘红兵;卢鹏;方琴剑 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-12-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体，所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部，所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧，所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面显露口的多阶导流面。本实用新型所提供的晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，整体结构布置紧凑、内部结构精巧且功能全面，通过晶圆挂具部，可同时电镀多块晶圆，每块晶圆只镀一侧表面，通过电镀扩散与屏蔽部的多阶导流面可使得电镀液充分扩散，以保证电镀液均匀地电镀到晶圆上，达到厚度均匀的要求。
晶圆湿制程设备用电镀装置

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