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[发明专利]电子系统、与宽带隙半导体器件集成的可编程电阻存储器及其操作方法-CN202210073024.4在审
发明人：庄建祥 -专利权人： 上峰科技股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：可编程电阻存储器可以与宽带隙半导体、硅或绝缘体基体上的宽带隙半导体器件集成。宽带隙半导体可以是IV族、IV‑IV族、III‑V族或II‑VI族化合物半导体，例如碳化硅或氮化镓。可编程电阻存储器可以是PCRAM、RRAM、MRAM或OTP。OTP组件可以是金属、硅、多晶硅、硅化多晶硅或隔热宽带隙半导体。可编程电阻存储器中的选择器可以是由宽带隙半导体制成的MOS或二极管。
电子系统宽带半导体器件集成可编程电阻存储器及其操作方法

[发明专利]可程式化电阻式装置存储器及用于该存储器的方法-CN202010905251.X在审
发明人：庄建祥 -专利权人： 上峰科技股份有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可程式化电阻式装置存储器及用于该存储器的方法，为基于时间的感测电路，将一个一次性可程式化(OTP)元件的电阻转换为逻辑状态。一个一次性可程式化(OTP)存储器具有多个OTP装置。该些OTP装置的至少一个可以具有至少一OTP元件，该OTP元件为通过一字元线和一位元线可选择地存取的。该位元线可以耦合到一电容，并且该电容可以被预充电和放电。通过比较该电容的放电率与在一参考单元(例如，参考胞、参考电阻、参考选择器等等)中的一参考电容的放电率，可以判断OTP电阻是大于或小于参考电阻，然后将该OTP元件电阻转换为逻辑状态。
程式化电阻装置存储器用于方法

[发明专利]单次可编程记忆体、电子系统、操作单次可编程记忆体方法及编程单次可编程记忆体方法-CN201480051949.2有效
发明人：庄建祥 -专利权人： 上峰科技股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。
可编程记忆体电子系统操作方法编程

[发明专利]单次可编程记忆体及其操作方法和编程方法以及电子系统-CN201410486754.2有效
发明人：庄建祥 -专利权人： 上峰科技股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种单次可编程记忆体及其操作方法和编程方法以及电子系统，该单次可编程记忆体包含：多个单次可编程单元，至少一单次可编程单元包含至少：一单次可编程元素包含至少一电性熔丝，该电性熔丝耦接至一第一电压源线；及一编程选择器耦接至该单次可编程元素及一第二电压源线，其中该电性熔丝至少有一部分具有至少一扩展区，该扩展区有减量电流或是没有电流流过；以及其中该单次可编程元素可藉由施加电压至该第一及第二电压源线及导通该编程选择器而编程，藉此将该单次可编程元素改变至不同逻辑状态。本发明的可编程电阻元件单元将使用接面二极管作为编程选择器的范例说明实施例。此可编程电阻元件单元可使用CMOS逻辑工艺以降低单元尺寸及成本。
可编程记忆体及其操作方法编程方法以及电子系统