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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶-CN201610230364.8有效
发明人：田内裕基;志田阳子;三木刚;曾根康宏 -专利权人：株式会社神户制钢所;索尼株式会社
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
信息记录介质溅射

[发明专利]光学记录介质-CN201180043515.4有效
发明人： 三木刚;田内裕基 -专利权人：索尼公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：提供了一种可以控制每个记录层的反射率和透射率且在每个记录层中可以获得满意的记录特性的光学记录介质。[技术方案]一种光学记录介质（10），包括：基板（11）；和两个或更多个记录层（121、122、123），所述记录层包含Pd、O、和M（其中M是选自Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素），并且O的含量大于M被完全氧化（被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2）时的化学计量组成。当从与记录光入射的侧相对的侧计数时，第n个记录层的Pd含量小于第n-1个记录层中的Pd含量，其中所述第n个记录层是所述两个或更多个记录层（121、122、123）中的任意一个。
光学记录介质

[发明专利]光学记录介质-CN201180018935.7有效
发明人： 三木刚;宫胁真奈美;田内裕基 -专利权人：索尼公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。
光学记录介质

[发明专利]光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶-CN201080040683.3无效
发明人：田内裕基;志田阳子;三木刚;曾根康宏 -专利权人：株式会社神户制钢所;索尼株式会社
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
信息记录介质溅射

[发明专利]光学信息记录介质-CN201210018103.1无效
发明人：田畑浩;三木刚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：一种光学信息记录介质，包括：基板；两个以上信息信号层，设置在基板上；覆盖层，设置在信息信号层上。两个以上信息信号层中的至少一层设置有包含氧化钯的无机记录层、设置在无机记录层的第一主表面上的第一保护层以及设置在无机记录层的第二主表面上的第二保护层。第一保护层和第二保护层中的至少一层包含作为主要成分的氧化硅、氧化铟和氧化锆的复合氧化物。
光学信息记录介质

[发明专利]光学记录介质及其制造方法-CN201080011889.3有效
发明人： 三木刚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本申请公开了光学记录介质及其制造方法，能够以低成本来制造。具体地公开了一种光学记录介质(10)，其包括基板(1)；记录层(2)，其形成在基板(1)上并且含有In、Sn、Pd和氧，其中，所含有的氧原子的量比在In和Sn被完全氧化时获得的理想配比成分更大；形成在记录层(2)上的光透射层(3)。
光学记录介质及其制造方法

[发明专利]用于光学记录介质的制造方法和光学记录介质-CN201010281754.0无效
发明人： 三木刚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光学记录介质的制造方法和光学记录介质，所述光学记录介质包括衬底、信息记录层、光透射层，所述制造方法包括：模制衬底；在衬底上形成信息记录层，使得信息记录层具有多层结构，所述多层结构包括使用相同成分的靶材在第一沉积条件下所溅射的层和在第二沉积条件下所溅射的层；和在信息记录层上形成光透射层。
用于光学记录介质制造方法

[发明专利]制造光学记录介质的方法以及光学记录介质-CN201080001553.9无效
发明人： 三木刚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造光学记录介质的方法，其能够降低光学记录介质的制造成本。具体而言，提供了一种制造光学记录介质的方法，所述光学记录介质包括基板(1)、形成在基板(1)上的记录层(2)以及形成在记录层(2)上的透光层(3)，记录层包含In和/或Sn、并包含Pd和氧，所述方法包括：在使得氧气和氮气流过的情况下，通过使用In2O3靶和/或SnO2靶、并使用Pd靶，利用溅射法来形成所述记录层的步骤。
制造光学记录介质方法以及

[发明专利]光学记录介质-CN201010254835.1无效
发明人： 三木刚;田内裕基 -专利权人：索尼公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学记录介质，其包括：衬底；信息记录层，其形成于衬底上，并且具有记录膜，记录膜包含锌或铝、钯和氧，在记录膜中，氧的量大于当锌或铝完全氧化成ZnO或Al2O3时的化学计量成分中的量；和光透射层，其形成于信息记录层上。
光学记录介质

[发明专利]记录设备、记录方法、盘制造方法和光盘记录介质-CN200680018231.9无效
发明人：藤田五郎;三木刚;下马隆司;芦崎浩二;中仓雅人 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G11B7/0045 文献下载
摘要：通过利用具有预定激光功率的激光来照射而将基片变形成凸起形状。由于基片被变形成凸起形状，叠压在基片上的反射膜也变形成凸起形状，并且通过凸起变形的实施例，可在凹坑部分处获得与岸台部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。在岸台处可获得与凹坑部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。此时，由于凸起变形实施例可由施加的激光束的功率来控制，因此通过设置激光功率可以使凹坑成为岸台和使岸台成为凹坑。从而，可在其中通过形成在基片上的凹坑和岸台的组合来记录数据的光盘记录介质中重写记录数据。
记录设备方法制造光盘介质

[发明专利]磁光信息记录介质的热处理判定方法和热处理判定装置-CN200480031145.2无效
发明人：田中靖人;三木刚;坂本哲洋;藤田五郎;藤家和彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：用来自LD(11)的预定功率的激光束辐照磁光盘(33)，以用于热处理。在热处理之后，用功率小于用于热处理的功率的激光束辐照执行过热处理的区域。较小功率激光束的反射光入射到光学传感器(24、26)上，并检测P波和S波的反射光强度。利用P波和S波的反射光强度，差动检测电路(27)检测与执行过热处理的区域对应的磁光信号的电平。控制器(28)判断由检测电路(28)检测到的磁光信号电平是否处于许可范围之内。如果在该范围之外，则调节用于热处理的激光束功率，停止磁光盘处理，或者显示代表测量结果的信息。
信息记录介质热处理判定方法装置

[发明专利]退火设备和退火方法-CN200480000523.0无效
发明人：藤田五郎;三木刚;田中靖人;坂本哲洋;藤家和彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种适合于对磁光记录介质进行退火处理的退火设备，它包括把从激光光源(1)发出的光束光学分离成作为0阶衍射光束的第一光束，和作为1阶衍射光束的第二及第三光束的衍射光学单元(3)，会聚第一光束，把这样会聚的第一光束照射到引导凹槽或在引导凹槽两侧形成的凸台部分的磁性层上，以及会聚第二和第三光束，把这样会聚的第二和第三光束照射到引导凹槽和凸台部分之间的边界部分附近的磁性层上的物镜(5)，和根据基于第一光束的返回光线的光通量的强度分布产生的第一跟踪误差信号的线形特性，控制物镜(5)，从而第一光束沿引导凹槽或凸台部分而行的双轴促动器单元(6)。
退火设备方法

[发明专利]畴壁位移检测系统磁光记录介质及其制造方法-CN200410062015.7无效
发明人： 三木刚;藤田五郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质将平台3和凹槽4形成为信号记录区。通过在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上照射退火光La改变畴壁位移改进时，通过在沿着边界壁表面5的记录磁道长度方向延伸的部分上形成的退火光扫描位置位移检测摆动部分7检测该退火光的位置。该退火光扫描该摆动部分7，因而产生了对应于摆动部分7周期的周期的振幅从而高灵敏度地检测和监测退火光扫描位置的微小变化。因此，在该DWDD系统磁光记录介质中，可以以高灵敏度检测平台3和凹槽4之间边界壁表面处退火光的扫描位置。
位移检测系统记录介质及其制造方法

[发明专利]记录/重放装置和记录/重放方法-CN200410063147.1无效
发明人：田中靖人;藤家和彦;藤田五郎;坂本哲洋;三木刚 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：用光头将信息记录到磁光存储介质和从磁光存储介质重放信息，该介质具有置换层、分离层和记录层，并以此顺序层叠。该置换层由横向磁膜来定义，与记录层相比，该横向磁膜的畴壁矫顽力相对较小而畴壁迁移率较大，分离层由磁层来定义，该磁层的居里温度低于置换层和记录层。设置最佳补偿值，用于使光头跟踪磁光存储介质上提供的记录轨迹。
记录重放装置方法

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