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[发明专利]顺序型ICP发光分光分析装置和测定波长校正方法-CN201610181794.5有效
发明人： 一宫丰 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：提供顺序型ICP发光分光分析装置和测定波长校正方法，不需要分光器的温度校正机构和机械地移动检测器的机构等。该顺序型ICP发光分光分析装置将波长不同的多个氩发光线作为基准波长而持续进行测定的结果取得基准波长的伴随时间经过的波长峰值位置的位移量(时间依存性)和基准波长的每个波长的位移量(波长依存性)。进而，控制部(40)计算测定对象元素的检量线生成时设定的各测定波长的波长峰值位置的位移量作为衍射光栅(22a)相对于初始位置的移动位置的校正量，进行相对于初始位置校正与测定波长的波长峰值位置对应的衍射光栅(22a)的移动位置的测定波长校正。
顺序 icp 发光分光分析装置测定波长校正方法

[发明专利]电感耦合等离子体发生装置和电感耦合等离子体分析装置-CN201610135085.3有效
发明人：中川良知;一宫丰 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：本发明涉及电感耦合等离子体发生装置和电感耦合等离子体分析装置。提供能够不使用冷却水而以高的冷却能力冷却高频感应线圈的电感耦合等离子体发生装置和使用其的电感耦合等离子体分析。电感耦合等离子体发生装置（10）由等离子体焰炬（13）、高频感应线圈（14）和高频电源（16）概略构成。此外，在电感耦合等离子体发生装置（10）设置有第一端（18a）连接于高频感应线圈（14）而第二端（18b）连接于冷却块（17）的传热构件（18）。使传热构件（18）的第二端（18b）为与第一端（18a）相比上方的位置，由此，凝结后的工作液由于重力的作用而向第一端（18a）落下移动，因此，工作液的循环、移动性提高，能够发挥高的冷却能力。
电感耦合等离子体发生装置分析

[发明专利]ICP发光分光分析装置-CN201410119634.9有效
发明人：松泽修;赤松宪一;一宫丰 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明提供ICP发光分光分析装置，其利用光纤将原子发光线引导到分光器内且光学特性优异。ICP分析装置（1）由感应耦合等离子体装置（10）、光纤（20）、分光器（30）、安装部件（40）和光出射孔（41）构成。光纤（20）配置在感应耦合等离子体（18）与分光器（30）之间，通过安装部件（40）与分光器（30）连结。原子发光线经由光纤（20）通过光出射孔（41）而入射到分光器（30）内。安装部件（40）安装于分光器（30），将光纤（20）的露出的光透射部（21）插入并固定于帽（45），使光透射部（21）的端面（23）与设置于帽（45）的光出射孔（41）相邻。
icp 发光分光分析装置

[发明专利]感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置-CN201310261620.6有效
发明人：松泽修;赤松宪一;中野信男;一宫丰;田边英规;夏井克己 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：提供感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置。感应耦合等离子体装置大幅降低等离子气体的消耗量。作为解决手段，该感应耦合等离子体装置具有圆筒形状的罩，其与等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成等离子体火焰的前端部的高度，该罩外嵌地配置在等离子体炬上；以及校正气体导入机构，其将用于校正等离子气体的流路的校正气体导入到在罩的内表面和等离子体炬的外管的外表面之间形成的间隙部。
感应耦合等离子体装置分光分析以及质量

[发明专利]ICP发光分光分析装置-CN201510120573.2在审
发明人： 一宫丰;田边英规 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：公开了一种ICP发光分光分析装置。提供一种能够通过多个聚光部来除去存在于原子发光线周围的背景以谋求S/B比的提高的ICP发光分光分析装置。ICP发光分光分析装置(1)由感应耦合等离子体发生部(10)、聚光部(20)、分光器(30)以及控制部(50)大致构成。聚光部(20)被配置在感应耦合等离子体发生部(10)与分光器(30)之间，具备第一聚光部(21)、第二聚光部(22)、在聚光部(20)与分光器(30)的边界部处的狭缝型入射窗(23)以及在第一聚光部(21)与第二聚光部(22)之间的入射狭缝(24)。通过设置至少两个聚光部(21、22)和入射狭缝（24），从而能够除去存在于原子发光线周围的背景以提高原子发光线的信号对背景之比(S/B)。
icp 发光分光分析装置

[发明专利]荧光X射线分析装置和荧光X射线分析方法-CN201110270780.8有效
发明人：长谷川清;一宫丰;泷口英树 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明提供作业效率高且安全地进行试样测定的荧光X射线分析装置和荧光X射线分析方法。荧光X射线分析装置(100)包括：放射线源(2)，对试样(S)上的照射点(P1)照射放射线；X射线检测器(3)；移动机构(8)，能将试样相对于放射线源和X射线检测器移动；壳体(10)；门(20)，开关试样进出壳体内外的开口(10a)；高度测定机构(7)，能测定照射点的高度；移动机构控制部(9)，基于测定的照射点高度调整试样到放射线源及X射线检测器的距离；激光部(7)，对照射点照射可见光激光；激光部工作控制部(9)，门为开状态时，使激光部工作以照射可见光激光，且门为关状态时，停止激光部；以及高度测定机构工作控制部(9)，门为开状态时，使高度测定机构工作以测定照射点高度。
荧光射线分析装置方法

[发明专利]X射线管和X射线分析设备-CN200810145530.X有效
发明人：的场吉毅;一宫丰 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01J35/00 文献下载
摘要：本发明公开能进一步减小尺寸与重量且能更有效检测荧光X射线等以增加灵敏度的X射线管和X射线分析设备。X射线管包含：具有处于真空状态的内部与由透射X射线的X射线透射膜构成的窗部件(1)的真空壳(2)；设于真空壳(2)中以发射电子束(e)的电子束源(3)；设于真空壳(2)中被电子束(e)照射以产生主X射线且能发射所产生的主X射线穿过窗部件(1)到外部样品(S)的目标件；设于真空壳(2)中、能检测从样品(S)发射而穿过所述窗部件入射的荧光X射线和散射X射线来输出含有该光X射线和散射X射线的能量信息的X射线检测件(4)；以及设于X射线检测件(4)与目标件(T)的电子束(e)照射区之间的金属防护构件(10)。
射线分析设备

[发明专利]X射线管和X射线分析设备-CN200810145529.7有效
发明人：的场吉毅;一宫丰 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01J35/00 文献下载
摘要：本发明公开了X射线管和X射线分析设备，其比目前的更小更轻，且以增强的灵敏度更有效地检测荧光X射线。X射线管包括真空封闭件，设置在该封闭件中并发射电子束的电子束源，被电子束照射并产生主X射线的目标件，X射线检测器装置，以及设置在窗口一部分的上方并从目标件延伸到上述封闭件的金属热电导体单元。上述封闭件具有真空内部和由透射X射线的X射线透射膜构成的窗口。上述目标件的外直径比所述窗口小，且被设置在该窗口的中央以使主X射线能够穿过该窗口射到外部样品。检测器装置置于封闭件中使其能检测荧光的和从样品释放后从窗口进入的散射X射线。检测器装置输出携带有与荧光的和散射的X射线的能量有关信息的信号。
射线分析设备

[发明专利]薄膜样品测量方法和设备及薄膜样品制备方法和设备-CN200580049003.3有效
发明人： 一宫丰;麻畑达也;铃木秀和 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：在将电子束照射到薄膜样品、探测所产生的二次电子并通过利用二次电子来测量薄膜样品膜厚的薄膜样品测量方法中，实现了精确地在短时间内容易地测量该膜厚，即使当该照射的电子束电流量变化时。照射电子束(2b)，并由二次电子探测器(6)探测所产生的二次电子(4)。由第一计算装置(11)计算由在膜厚测量区域探测到的二次电子数量和在参考区域探测到的二次电子数量构成的计算值。基于标准薄膜样品的校准数据和从样品(5)获得的计算值，可以计算该膜厚测量区域的膜厚。
薄膜样品测量方法设备制备方法

[发明专利]聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法-CN200710141723.3有效
发明人：田代纯一;一宫丰;藤井利昭 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供了聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法。在通过扫描照射聚焦离子束刻蚀样品断面及其周边的同时，检测由照射聚焦离子束产生的二次电子。根据检测到的二次电子信号变化量，端点检测机构检测端点，由此停止刻蚀，从而即使使用没有SEM观察功能的FIB装置也可以有效检测缺陷或接触孔的中心位置。
聚焦离子束装置样品断面形成薄片制备方法

[发明专利]荧光X射线分析装置-CN200580037929.0有效
发明人：的场吉毅;深井隆行;高桥正则;一宫丰 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2005-10-26 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：试样封入容器(8)具有由透射X射线的材质构成的多个壁面，X射线源(1)配置成对壁面(11)照射一次X射线，并且与被照射一次X射线的面不同的面(12)与X射线检测器(10)对置，而且，来自X射线源(1)的一次X射线能够照射与X射线检测器(10)对置的试样封入容器的壁面(12)。
荧光射线分析装置

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