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- [发明专利]相控阵天线-CN202280000230.0在审
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方家;曲峰
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京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
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2022-02-23
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2023-10-24
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H01Q21/00
- 本发明提供一种相控阵天线,包括移相器单元、波导单元和连接单元,移相器单元具有相互背离的两个基板表面,且包括至少一个移相器,每个移相器均具有两个馈电区域;至少一个基板表面所在一侧设置有波导单元,波导单元具有与每个移相器的至少一个馈电区域对应设置的波导腔;与每个波导单元对应设置有连接单元,连接单元包括绝缘主体,绝缘主体分别与同侧的基板表面和波导单元固定连接;绝缘主体中设置有第一镂空部,波导单元通过第一镂空部与基板表面相接触,波导腔的第一端口位于第一镂空部中波导单元的与基板表面接触的接触面上。本发明提供的相控阵天线,既实现了波导单元与移相器单元的对位和组装,又避免了在组装时对基底造成损伤。
- 相控阵天线
- [发明专利]一种双频段多通道SIP模块-CN202311184093.3在审
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崔玉波;曹磊;李贵成;曾智;刘聪
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成都锐芯盛通电子科技有限公司
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2023-09-14
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2023-10-20
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H01Q21/00
- 本发明公开了一种双频段多通道SIP模块,涉及相控阵技术领域,包括:连接子板、SIP下腔体、设置在SIP下腔体上表面的第一频段波导口、第二频段波导口、第一公共端口、第二公共端口、第一频段TR芯片、第二频段TR芯片、第一频段AD控制芯片、第二频段AD控制芯片,连接子板与SIP下腔体内腔嵌合且固设有第一低频电路以及伸至SIP下腔体外部的低频控制供电接口;第一低频电路用于接入低频控制供电接口输入的低频信号,并将低频信号传至第一频段AD控制芯片和第二频段AD控制芯片,经第一频段AD控制芯片和第二频段AD控制芯片AD转换后的低频信号通过第一低频电路传输至第一频段TR芯片和第二频段TR芯片。
- 一种双频通道sip模块
- [发明专利]高频比双波束共口径天线-CN202310995717.3在审
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杨实;倪天楠;施金
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南通至晟微电子技术有限公司
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2023-08-08
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2023-10-20
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H01Q21/00
- 本发明公开一种高频比双波束共口径天线,包括由上至下依次层叠设置的顶层金属结构、第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地、第三介质基片和底层金属结构,还包括第一金属化过孔、第二金属化过孔、第三金属化过孔以及金属探针,第一金属化过孔贯通第一介质基片,第二金属化过孔贯通第二介质基片,第三金属化过孔依次贯通第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地以及第三介质基片,金属探针依次贯通第三介质基片、金属大地、第二介质基片、中间层金属结构以及第一介质基片。该方案使得高频比共口径天线获得双波束辐射,同时天线整体尺寸与剖面相对于低频天线无增加,且各高频天线单元具有独立馈电通道。
- 高频波束口径天线
- [发明专利]一种低旁瓣毫米波间隙波导缝隙阵列天线-CN202211695033.3有效
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李毅响;王秉中
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电子科技大学
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2022-12-28
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2023-10-13
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H01Q21/00
- 本发明公开了一种低旁瓣毫米波间隙波导缝隙阵列天线,属于天线技术领域。该阵列天线包括从下至上依次设置的金属板M1、空气间隙层A1、金属板M2、空气间隙层A2、金属板M3;其中金属板M1及其上方的下层金属柱和金属脊、空气间隙层A1、金属板M2共同构成间隙波导馈电网络;金属板M2及其上方的上层金属柱、空气间隙层A2、金属板M3共同构成间隙波导背腔耦合网络;金属板M2上设置有90°扭波导单元,金属板M3上设置有辐射单元。本发明通过辐射单元改变天线E面和H面方向图的切面,从而获得极低旁瓣;通过合理设计各部分结构,在整个工作频段V‑Band中的S11≤‑15dB,XPD>30.3dB,口径效率高于79.2%,E面和H面主极化方向图满足该频段欧洲电信标准协会EN 302标准的最高包络等级。
- 一种低旁瓣毫米波间隙波导缝隙阵列天线
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