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[发明专利]组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置-CN201811189402.5有效
发明人：金龙郁;张银珠;金泰坤;朴相铉;章效淑;郑煐树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：公开了组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置。所述组合物包括：多个量子点；多个发光碳纳米颗粒；包含羧酸基团的粘结剂；包括碳‑碳双键的能聚合的单体；和引发剂，其中所述多个量子点包括II‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、或其组合，所述多个发光碳纳米颗粒具有小于或等于约10nm的尺寸，并且在其拉曼光谱中呈现出D带和G带两者，和所述多个发光碳纳米颗粒的至少一部分吸收具有大于或等于约400nm的波长的光且其最大发光峰波长大于或等于约480nm。
组合量子聚合物复合物以及包括层状结构电子装置

[发明专利]一种无镉量子点结构及其制备方法-CN202310286492.4在审
发明人：曹璠 -专利权人：浙江臻纳科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种无镉量子点结构及其制备方法，包括内核、第一壳层、第二壳层，所述内核位于内部，所述第一壳层位于所述内核外部包覆于所述内核，所述第二壳层位于所述第一壳层外部包覆于所述第一壳层。本发明通过在无镉量子点的ZnS或ZnSeS内壳层外延生长窄带隙的外壳层，能够有效缓解ZnS或ZnSeS壳层表面应力，减少量子点表面缺陷，抑制俄歇复合，从而更适应发光二极管管件性能。
一种量子结构及其制备方法

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202111670612.8在审
发明人：闫晓林;周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，所述量子点中至少存在一第x层壳层，当x＝1时，壳层1的导带底能级小于与其相邻的量子点核的导带底能级及壳层2的导带底能级，当2≤xn时，壳层x的导带底能级小于与其相邻的壳层x‑1的导带底能级及壳层x+1的导带底能级；和/或所述量子点中至少存在一第y层壳层，当y＝1时，壳层1的价带顶能级大于与其相邻的量子点核的价带顶能级及壳层2的价带顶能级，当2≤yn时，壳层y的价带顶能级大于与其相邻的壳层y‑1的价带顶能级及壳层y+1的价带顶能级。所述量子点可以延缓至少一种载流子注入量子点核内，而降低所述至少一种载流子的注入效率。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]一种量子点的纯化方法和量子点-CN202111648680.4在审
发明人：黄子健;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点的纯化方法和量子点，包括提供初始量子点溶液；以及提供金属螯合剂；将金属螯合剂加入初始量子点溶液中进行络合反应，分离，得到纯化后的量子点溶液；其中，金属螯合剂包括第一复合物，以及包覆第一复合物外表面的双硫腙；第一复合物为非离子聚合物与阴离子表面活性剂的复合物。金属螯合剂中的第一复合物带有负电荷，能够快速吸附溶液中的具有正电荷的金属离子到金属螯合剂周围，金属螯合剂外层包覆的双硫腙则与周围的金属离子络合反应，从而可快速且大量除去量子点溶液中的金属离子，从而极大程度减小甚至彻底避免量子点溶液中的金属离子的微量残留，纯化程度高，提高了纯化后的量子点的荧光量子点产率。
一种量子纯化方法

[发明专利]一种量子点及其制备方法、发光器件-CN202111651458.X在审
发明人：王元 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点及其制备方法、发光器件。量子点的制备方法包括将前驱体溶液注入微流控反应器的反应通道，在预设的反应温度下反应，生成量子点；其中，前驱体溶液包括第一溶剂和第二溶剂，第一溶剂的沸点高于反应温度，第二溶剂的沸点低于反应温度。通过此制备方法可以实现连续且大量的合成制备量子点及微米量级精确控制。通过使用混合溶剂，在反应温度时第二溶剂会气化，微通道中反应体系通过气液混合提高反应通道中的反应物质的混合效果，从而提高反应速率和生成的量子点尺寸分布均匀性。
一种量子及其制备方法发光器件

[发明专利]量子点溶液的提纯方法-CN202111672215.4在审
发明人：黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点溶液的提纯方法，包括提供一种量子点溶液；向所述量子点溶液中加入多巴胺，得到提纯后的量子点溶液。本申请的量子点溶液的提纯方法，通过在量子点溶液中加入多巴胺，能够很好地吸附残余的镉离子以及锌离子等金属离子，还可以吸收前驱体释放出来的氧气来进行氧化自聚合反应，形成聚多巴胺的团聚沉淀，最后去除团聚沉淀，就可以得到纯度更高的量子点溶液。
量子溶液提纯方法

[发明专利]核壳量子点及其制备方法、组合物及含其的电致发光器件-CN201910907465.8有效
发明人：叶荣琴;陈小朋 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种核壳量子点及其制备方法、及含其的电致发光器件。该制备方法通过先将CdSe核与第一VI族元素前体混合，之后通过匀速添加第一镉前体的方式来调控Cdx‑Zn1‑x‑VI层中每一单壳层的Cd与VI族元素的比例，实现掺杂不同Cd含量的壳层的绿色量子点的合成，最终合成得到CdSe/Cdx‑Zn1‑x‑VI/Cdy‑Zn1‑y‑VI量子点。由于包覆过程中每一单壳层都均匀地掺杂了Cd，从而能够有效地调控量子点的价带能级，降低了量子点在电致发光器件工作时电子和空穴的注入能垒，进而提升了电致发光器件的性能。
量子及其制备方法组合电致发光器件

[发明专利]一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置-CN202011094724.9有效
发明人：李敬群;杨涵妮;曹佳佳;曹越峰;单玉亮;张思源 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置，量子点包括核体以及包覆于所述核体表面的第一壳层，所述核体为ZnS1‑xSex，其中，0≤x＜1；所述第一壳层包含III‑V族化合物；本申请的量子点不仅可以有效增强蓝光吸光度，还能使量子点获得较高的量子效率、较低的半峰宽。
一种量子及其制备方法显示装置

[发明专利]纳米晶的制备方法-CN202010332062.8有效
发明人：周健海 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1，准备含掺杂金属前体的溶液；S2，将含第一VI族元素前体的分散系与掺杂金属前体的溶液混合并反应第一时间，形成包含掺杂金属‑VI粒子的第一产物体系，其中，第一VI族元素前体的物质的量大于掺杂金属前体的物质的量，含第一VI族元素前体的分散系包括非配位溶剂，第一时间小于1分钟；S3，将三烷基膦与第一产物体系混合并反应一定时间，形成第二产物体系；S4，将第二产物体系与第一II族元素前体混合反应一定时间，形成含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶的第三产物体系，其中，第一II族元素前体与第一VI族元素前体的物质的量比例为1：1～5：1。本发明得到的含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶半峰宽窄、荧光效率高。
纳米制备方法

[发明专利]一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法-CN202210447717.5有效
发明人：张军;刘勇 -专利权人：南京贝迪新材料科技股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：在本发明涉及一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法，具体是，通过使用油酸、油胺和十八碳烯三元溶剂体系，可有效降低ZnCdSe合金核QDs的半峰宽，提升量子效率，降低/减少反应温度/时间等；并通过调整锌源的量实现了量子点在红光(610‑630nm)和绿光(510‑530nm)精准发光；具有半峰宽窄、粒径可控、发光纯度高、量子效率高、能耗低、操作方便等优势。
一种用于显示器件 zncdse 合金 qds 制备方法

[发明专利]一种制备磁共振/荧光双模成像材料的方法-CN202310213045.6在审
发明人：金丽;白文凤;张建坡 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及定量分析和医学检测领域，具体公开了一种同时具备磁共振和荧光性能的谷胱甘肽‑四氧化三锰‑CdTe量子点复合材料的制备方法。所述方法包括如下步骤：将高锰酸钾滴加到谷胱甘肽和氯化镉溶液后加入碲氢化钠，回流加热后，加入丙酮，沉淀离心分离，真空干燥，得红色粉末。本发明制得的谷胱甘肽‑四氧化三锰‑CdTe量子点复合物为片状结构，同时具有荧光和磁共振性能。
一种制备磁共振荧光双模成像材料方法

[发明专利]一种用于改进量子点在酯类溶剂中溶解性的方法、量子点分散液及其应用-CN202111599038.1在审
发明人：刘东强;马卜;魏玮峣;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开一种用于改进量子点在酯类溶剂中溶解性的方法，包括如下步骤：将疏水性量子点、酯类溶剂和偶联剂混合，经溶剂热反应，获得澄清透明的分散液；其中，所述偶联剂能与所述疏水性量子点相缔合。本发明通过溶剂热法，使具有特定结构的偶联剂与量子点发生反应，使得量子点能够很好溶解于酯类溶剂中，从而获得澄清透明的量子点分散液，扩大量子点的应用。经偶联剂改性的量子点具有热稳定好、光学透明度高的特点，能够大大提升其在量子点墨水、量子点涂料、量子点光刻胶、量子点扩散板或量子点导光板中的适配性及耐候性。
一种用于改进量子溶剂溶解性方法分散及其应用

[发明专利]二价铕硫化物近红外闪烁体及其制备方法-CN202210232044.1有效
发明人：王殳凹;王亚星;杨良伟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种二价铕硫化物近红外闪烁体，所述二价铕硫化物近红外闪烁体为晶体材料，其化学式为Eu3SiS4Te，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，空间群为Cmcm。本发明还提供了所述的二价铕硫化物近红外闪烁体的制备方法，包括以下步骤：将氧化铕、硅粉、硫粉、硼粉、碲粉和过量的助熔剂混合、研磨后，真空下密封，再于850～950℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物Eu3SiS4Te。本发明提供的二价铕硫化物近红外闪烁体，具有优异的抗辐照和湿度稳定性。
二价硫化物红外闪烁及其制备方法

[发明专利]一种金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点材料及其制备方法和应用-CN202310296920.1在审
发明人：童鑫;周楠;李鑫;赵宏洋;蔡孟珂;尤益民;夏莉;支华倩 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将铜源、铝源加入溶剂中，在80‑100℃、惰性气体条件下进行脱气处理，接着阶段升温至140‑160℃，加入硫源，保温再升温，继续加入硫前驱液反应，再加入锌前驱液和硒前驱液，升温至220‑240℃，保温40‑60min后淬灭反应，收集量子点原液；向量子点原液中加入纳米金溶液，超声处理，制得。本发明制得的量子点材料可以有效解决单一铜铝硫晶体质量差、光电转换效率低下、光生激子利用率低等问题。本发明中基于上述金修饰的铜铝硫/硒化锌核壳量子点制得的光电突触器件解决了传统突触器件光电响应差、工艺结构复杂等问题。
一种修饰铜铝硫硒化锌核壳量子材料及其制备方法应用

[发明专利]量子点的后处理方法和一种量子点、量子点发光二极管-CN202111564506.1在审
发明人：聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种量子点的后处理方法、量子点、量子点发光二极管。量子点的后处理方法包括：提供初始量子点材料；将初始量子点材料、非极性溶剂、第一溶剂进行混合处理，以获得第一混合溶液；以及在小于或等于第一溶剂的凝固点的第一温度下，对第一混合溶液进行沉淀处理，以获得目标量子点溶液；第一溶剂的分子结构中含有至少两个分别与初始量子材料中的量子点结合的基团。通过该量子点的后处理方法，可以高效、便捷地去除制备时与配体未络合的量子点或配体交换后配体脱落的量子点，显著提升量子点自身的光电性能。
量子处理方法一种发光二极管