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[发明专利]一种温度敏感的准硫化亚铜发光二维半导体及其制备方法与应用-CN202011221740.X有效
发明人：高明远;宁浩然;荆莉红 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度敏感的准硫化亚铜发光二维半导体及其制备方法与应用。利用铜‑烷基硫醇配合物的自组装得到了单层准硫化亚铜二维半导体，该准硫化亚铜二维半导体具有温度敏感的光致发光现象。本发明采用的制备方法具有工艺简单、操作简便、成本低廉、方法灵活的特点。本发明制备的准硫化亚铜二维半导体结构上为包含饱和长碳链和铜‑铜键的有机‑无机杂化层状结构，但光学性质由无机铜硫层决定，其发光光谱随温度变化显著，具有作为低温区比率型温度传感材料的潜力。
一种温度敏感硫化发光二维半导体及其制备方法应用

[发明专利]量子点、量子点复合物及含其的发光装置-CN202110059429.8有效
发明人：余世荣;赵飞;康永印;罗飞 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点、量子点复合物及含其的发光装置。该量子点包括至少一种量子点配体，量子点配体包括至少两个结合基团，结合基团用于与量子点表面配位，各结合基团独立地选自羧基或者巯基，量子点配体还包括碳碳双键，结合基团的数量为m，碳碳双键的数量为n，m为2～10，n为1～10。
量子复合物发光装置

[发明专利]闪烁体结构体及其制造方法-CN202310907185.3在审
发明人：延本要介;寺泽慎祐;盐田谕 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：降低制造成本并抑制发光输出降低，或者，降低制造成本并抑制余辉特性变差。其解决技术方案在于：闪烁体结构体包括多个单元和包覆多个单元的反射材料，多个单元中的各个单元含有树脂和荧光体，荧光体含有硫氧化钆，硫氧化钆含有铽和铈，多个单元中的各个单元的密度为4.4g/cm3以上且低于5.0g/cm3，多个单元中的各个单元的厚度为0.5mm以上1.8mm以下。或者，硫氧化钆含有镨和铈，多个单元中的各个单元的密度为4.4g/cm3以上5.0g/cm3以下，多个单元中的各个单元的厚度为0.3mm以上2.5mm以下。
闪烁结构及其制造方法

[发明专利]量子点、制造量子点的方法、光学构件和电子设备-CN202310382312.2在审
发明人：朴昇元;朴家原;张胜熙;李栋熙;李宅焌;郑濬赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：提供了量子点、制造量子点的方法、光学构件和电子设备。量子点可以包括核和覆盖核的至少一部分的壳，其中核可以包括铟(In)、镓(Ga)和磷(P)，壳可以包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物、第III‑VI族半导体化合物或它们的组合，在核和壳中，Ga的摩尔数相对于In的摩尔数和Ga的摩尔数的总和之比(MGa/(MIn+MGa))可以在约0.02至约0.18的范围内，并且在核和壳中，In的摩尔数和Ga的摩尔数的总和相对于P的摩尔数之比((MIn+MGa)/MP)可以在约1至约1.2的范围内。
量子制造方法光学构件电子设备

[发明专利]一种CdSe量子点发光性能调控的方法-CN202210251444.7有效
发明人：王锋;刘京;邵思远 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于胶体量子点发光材料领域，公开了一种CdSe量子点发光性能调控的方法，该方法是将CdSe量子点分散在溶剂中，同时向其中加入季胺化的吡啶类高分子和/或季胺化的吡啶类小分子，反应后即可得到表面钝化后的CdSe量子点；该方法能够中和CdSe量子点的表面悬空键，使荧光发射中辐射跃迁的比例增加，同时通过形成金属复合物来提升量子点的荧光量子产率，从而调控量子点发光性能。本发明通过向CdSe量子点表面引入吡啶类化合物、实现表面钝化，通过调节高分子的季胺化程度或小分子的浓度及体系的pH可以实现CdSe量子点的光致发光颜色改变，能够有效解决具有蓝光发射的CdSe量子点所需材料繁琐复杂，荧光量子产率较低等问题。
一种 cdse 量子发光性能调控方法

[发明专利]钙钛矿量子点MOF复合发光材料的制备及应用-CN202110965062.6有效
发明人：王育华;任杰鋆 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点MOF复合发光材料的制备及应用，硝酸铈铵、对苯二甲酸、Pluronic®F‑127、高氯酸钠和冰醋酸在去离子水中反应，制得介孔Ce‑MOF，加入卤化铅的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，真空搅拌，离心分散于甲苯溶液中，注入卤化铯的甲醇溶液，离心分散于甲苯溶液，再加入四甲氧基硅烷，离心洗涤，真空干燥，得钙钛矿量子点CsPbX3@Ce‑MOF@SiO2复合发光材料。该制备方法制得材料中介孔Ce‑MOF的有序孔洞结构具有波导效应，提高发光效率；封闭孔腔结构稳定CsPbX3钙钛矿量子点，提高量子点稳定性，增强在LED领域的应用潜力。
钙钛矿量子 mof 复合发光材料制备应用

[发明专利]具有较长激发态寿命的包含铽的超亮发光镧系纳米粒子-CN201980043591.1有效
发明人：黄嘉良;若昂·格茨;L·沙博尼埃;尼科·希尔德布兰特;阿琳·诺纳;西里尔·沙尔庞捷;马塞利娜·卡尔多索多斯桑托斯;V·奇利库 -专利权人：斯特拉斯堡大学;国家科学研究中心;巴黎萨克雷大学;香港浸会大学
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供发光镧系纳米粒子，其同时具有改善的亮度和延长的激发态寿命。这些纳米粒子包含铽离子和第二镧系的离子，所述第二镧系优先地为铕，并且所述纳米粒子涂布有键合到所述纳米粒子的表面的发色团配体分子。所述配体为式(I)或式(II)包含至少一个发色团基团的有机分子：#imgabs0#其中R选自H、CN基团或COOH基团。磷光激发态寿命是通过从表面铽离子到所述第二镧系的核心离子的能量转移来改善。所述纳米粒子可以进一步包含共价附接到至少一个配体分子的受到分析关注的载体分子。
具有激发态寿命包含发光纳米粒子

[发明专利]量子点、组合物与使用其的固化层、包含固化层的滤色器与显示装置以及制造固化层的方法-CN202310851912.9在审
发明人：金钟基;姜龙熙;金东俊;金美善;朴民志;李范珍;林知泫;崔美贞 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：发明公开一种用特定化合物表面修饰的量子点、非溶剂型可固化组合物、溶剂型可固化组合物、使用组合物的固化层、包含固化层的滤色器、包含固化层的显示装置以及制造固化层的方法。本发明的用特定化合物表面修饰的量子点可容易地应用于所有可光固化组合物、溶剂型热固性组合物以及非溶剂型热固性组合物，且因此可具有改良的粘度和光学特征以及可加工性。
量子组合使用固化包含滤色器显示装置以及制造方法

[发明专利]量子点的制备方法-CN202310380955.3在审
发明人：韩昌烈;高崙赫;郑然九 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：提供一种量子点的制备方法，所述方法包括如下步骤；由包括包含碲(Te)元素的前体、包含II族元素的前体以及包含VI族元素的前体的量子点组合物形成包括核和保护壳的第一粒子；纯化所述第一粒子；以及将包括包含所述II族元素的前体及包含所述VI族元素的前体的第一壳体形成组合物与所述第一粒子混合，并由所述保护壳形成第一壳体来形成包含所述第一壳体的第二粒子。
量子制备方法

[发明专利]一种具有多刺激响应特性的透明防伪薄膜及其制备方法-CN202310851241.6在审
发明人：王婷;刘昊哲;余雪;朱轩宇;聂林 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多刺激响应特性的透明防伪薄膜及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明将高纯的CaF2、ErF3和M的氟化物进行研磨混匀得到混合粉料A，其中M是Ba、Sr、Na、K、Li、La中的至少一种；混合粉料A置于温度为1000～1100℃、氮气气氛中高温烧结4～6h，研磨得到CaF2:Er3+,M荧光粉；CaF2:Er3+,M荧光粉与聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氨酯树脂(PU)、硅酸凝胶(SG)胶体中的至少一种混合均匀得到混合胶状液体，再将混合胶状液体置于模具中，在温度为40～60℃下加热处理6～8h，得到具有多刺激响应特性的透明防伪薄膜。本发明透明防伪薄膜具有对UV、980nm激光及机械刺激的响应能力，能够通过可视化的发光反应防伪信息。
一种具有刺激响应特性透明防伪薄膜及其制备方法

[发明专利]发光半导体材料与其应用-CN202211545271.6在审
发明人：赖俊峰 -专利权人：逢甲大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：一种发光半导体材料，其自内而外包含一球核、包覆于该球核外部同样呈现球型的一第一球壳及最外层包覆于该第一球壳外部呈现杆型的一第二杆壳；该球核包含磷化铟粒子，呈现实质球体或球型状态；该第一球壳包含硒化镉，为顺应该球核外型包覆于其外的球壳；该第二杆壳包含硫化镉，以上下长度方向延伸大于左右宽度方向的延伸成为长形杆状结构；本发明所开发的发光半导体材料通过第一球壳使用的硒化镉形成Type II结构为近红外发光外，通过特殊的合成方法得到具有规则形状和窄杆直径与长度分布的磷化铟核/壳量子柱结构，能够产生自可见光到近红外光超宽带荧光效能。
发光半导体材料与其应用

[发明专利]一种表面修饰的量子点及其制备方法、发光二极管及显示装置-CN202011328311.2有效
发明人：曹佳佳;乔登清;单玉亮;温明月;杨涵妮;曹越峰;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面修饰的量子点，包括量子点本体、与量子点本体相结合的配体，配体的一端为包含至少一个巯基的金属配位基团、另一端为酯基或酰胺基的衍生物。本发明无需纯化步骤，将配体直接加入到油相的量子点溶液中进行一锅法反应，简化了实验步骤；配体与量子点本体的结合能力强，配体极性大、用量少且分子量低，使得量子点本体在经修饰后，经修饰的量子点上不导电配体的占比低、导电量子点本体的占比高，从而使得经表面修饰的量子点导电性好；通过本发明表面修饰的量子点所制备得到的器件，外量子效率高。
一种表面修饰量子及其制备方法发光二极管显示装置

[发明专利]一种荧光复合材料及其制备方法与应用-CN202210147412.2有效
发明人：汪宏;龚芮;王锋 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种荧光复合材料及其制备方法与应用。通过FAPbX3钙钛矿量子点前驱体溶液与聚合物基材混合得到胶液，除去胶液中的溶剂，从而使所述FAPbX3钙钛矿量子点原位生长于所述聚合物基材内，得到所述荧光复合材料，其中，所述FAPbX3钙钛矿量子点前驱体溶液中包括极性溶剂Ⅰ和极性溶剂Ⅱ，所述极性溶剂Ⅱ包括甲醇或乙醇中的至少一种，X为卤素。本发明中制备得到的荧光复合材料环境友好且在具有直接的荧光防伪性能的同时，还具有高温荧光减弱或淬灭、补充FAX的乙醇溶液荧光恢复的特点，具有多重荧光响应，极大增加了其防伪隐蔽性，防伪隐蔽性好。
一种荧光复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种量子点材料及其制备方法和应用-CN202011528467.5有效
发明人：孙小卫;张文达;王恺 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点材料及其制备方法和应用，所述量子点材料为核壳结构，所述核壳结构依次包括核心、过渡层和壳层；所述过渡层的材料包括稀土元素硫化物、MnS、MgS、Al2S3中的任意一种，所述壳层的材料包括ZnS；或所述过渡层的材料包括ZnSe，所述壳层的材料包括稀土元素硫化物、稀土元素硒化物、稀土元素碲化物、MnS、MgS、Al2S3中的任意一种，所述量子点材料通过对所述过渡层和壳层材料进行选择，找到了与所述核心材料失配度较低且禁带宽的过渡层和壳层材料，使得所述量子点材料各层材料之间匹配度高，具有发光效率高、合成工艺简单、成本低等优点，适合工业化批量化生产。
一种量子材料及其制备方法应用

[发明专利]一种双等激元诱导上转换增强的复合薄膜及其制备方法与在防伪领域中的应用-CN202310646662.5在审
发明人：杨扬;谢宗灼;史玉立;王东星;赛门索夫·尤里 -专利权人：宁波中乌新材料产业技术研究院有限公司;宁波工程学院
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于稀土掺杂上转换材料技术领域，涉及一种双等激元诱导上转换增强的复合薄膜及其制备方法与在防伪领域中的应用。本发明公开了一种双等激元诱导上转换增强的复合薄膜的制备方法，所述制备方法包括：S1、MoO3‑x纳米片的制备；S2、W18O49纳米线/MoO3‑x纳米片的制备；S3、稀土掺杂核壳结构NaYF4纳米粒子/W18O49纳米线/MoO3‑x纳米片的制备；将稀土掺杂核壳结构NaYF4纳米粒子分散在环己烷溶液中，混匀后，放入W18O49纳米线/MoO3‑x纳米片，加热保温后即得。本发明还公开了一种双等激元诱导上转换增强的复合薄膜在防伪领域中的应用，在980nm二极管激发下的不同激发功率下，双等激元诱导上转换增强的复合薄膜发出不同颜色的光。
一种诱导转换增强复合薄膜及其制备方法防伪领域中的应用