[发明专利]平面电子发射器(PEE)

权利要求书

1．一种制品包括：

-一个具有第一与第二表面的元件，其中

-第一表面适于保持一种第一电荷，而其中第二表面适于保持一种第二电荷，第一表面与第二表面基本平行，以及其中

-该元件包括一种材料或材料系统，制备成使得减少在该材料或材料系统内的电子散射，并具有一个预定的垂直于第一或第二表面的晶体取向，

-提供一个横越至少一部分元件的电场的装置，所述装置包括：

-向元件的第一表面提供第一电荷的装置，与

-向元件的第二表面提供第二电荷的装置，第二电荷与第一电荷不同，以便沿基本垂直于第一或第二表面的方向移动电子。

2．根据权利要求1的制品，其中所述材料或材料系统包括半导体材料，例如硅、锗、碳化硅、砷化镓、磷化铟、锑化铟、砷化铟、砷化铝、碲化锌或氮化硅或它们的任何组合。

3．根据权利要求1或2的制品，其中所述材料或材料系统的制备包括用掺杂剂对该材料或材料系统掺杂，以便得到一个预定的掺杂水平。

4．根据权利要求3的制品，其中掺杂剂包括磷、锂、锑、砷、硼、铝、钽、镓、铟、铋、硅、锗、硫、锡、碲、硒、碳、铍、镁、锌或镉或它们的任何组合。

5．根据权利要求3的制品，其中预定的掺杂水平低于1×10¹⁸cm^-3，例如低于1×10¹⁶cm^-3，例如低于1×10¹⁴cm^-3，例如低于1×10¹³cm^-3，例如低于1×10¹²cm^-3。

6．根据权利要求1-5中任一项的制品，其中向第一表面提供第一电荷的装置包括一个至少部分地导电的第一材料或材料系统。

7．根据权利要求1-5中任一项的制品，其中向第二表面提供第二电荷的装置包括一个至少部分地导电的第二材料或材料系统。

8．根据权利要求6的制品，其中至少部分地导电的第一材料或材料系统构成一个具有第一与第二表面的层，其中第二表面与一个电荷贮存器的第一端子有效连接，并且其中第一表面与元件的材料或材料系统的第一表面直接接触。

9．根据权利要求7的制品，其中至少部分地导电的第二材料或材料系统构成一个具有第一与第二表面的层，其中第一表面与电荷贮存器的第二端子有效连接，并且其中第二表面与元件的材料或材料系统的第二表面直接接触。

10．根据权利要求6-9中任一项的制品，其中至少部分地导电的第一与第二材料或材料系统包括金属或掺杂水平高于1×10¹⁷cm^-3的高掺杂半导体材料。

11．根据权利要求10的制品，其中至少部分地导电的第一与第二材料或材料系统包括金、铬、铂、铝、铜、铯、铷、锶、铟、镨、钐、钇、钫或铕或它们的任何组合。

12．根据权利要求1-11中任一项的制品，其中电子包括准弹道电子。

13．一种提供第一类电子的方法，所述方法包括步骤：

-提供一个具有第一与第二表面的元件，其中

-第一表面适于保持一种第一电荷，而其中第二表面适于保持一种第二电荷，第一表面与第二表面基本平行，以及其中

-该元件包括一种材料或材料系统，制备成使得减少在此材料或材料系统内的电子散射，并具有一个预定的垂直于第一或第二表面的晶体取向，

-提供向元件的第一表面提供第一电荷的装置，及

-提供向元件的第二表面提供第二电荷的装置，第二电荷与第一电荷不同，以便沿基本垂直于第一或第二表面的方向移动第二类电子。

14．根据权利要求13的方法，其中所述材料或材料系统包括半导体材料，例如硅、锗、碳化硅、砷化镓、磷化铟、锑化铟、砷化铟、砷化铝、碲化锌或氮化硅或它们的任何组合。

15．根据权利要求13或14的方法，其中所述材料或料系统的植被包括用掺杂剂对该材料或材料系统掺杂以便得到一个预定的掺杂水平。