[发明专利]用于PTC热敏电阻的复合材料和陶瓷及其制造方法有效
申请号: | 99110672.5 | 申请日: | 1999-07-23 |
公开(公告)号: | CN1093102C | 公开(公告)日: | 2002-10-23 |
发明(设计)人: | 並河康训;冈本哲和;広田俊春;山元敬之 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/472;H01C7/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 白益华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 ptc 热敏电阻 复合材料 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于PTC热敏电阻的复合材料,它含有:
30-97摩尔%BaTiO3;
1-50摩尔%PbTiO3;
1-30摩尔%SrTiO3;和
1-25摩尔%CaTiO3作为主要成分,该主要成分的总量为100摩尔%,相对于100摩尔主要成分所述复合材料还含有:
以含钐化合物中Sm元素计0.1-0.3摩尔Sm;
以含锰化合物中Mn元素计0.01-0.03摩尔Mn;和
以含硅化合物中Si元素计0-2.0摩尔Si作为添加剂。
2.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它含有:
30-97摩尔%BaTiO3;
1-50摩尔%PbTiO3;
1-30摩尔%SrTiO3;和
1-25摩尔%CaTiO3作为主要成分,该主要成分的总量为100摩尔%,相对于100摩尔主要成分所述陶瓷还含有:
以氧化钐中Sm元素计0.1-0.3摩尔Sm;
以氧化锰中Mn元素计0.01-0.03摩尔Mn;和
以氧化硅中Si元素计0-2.0摩尔Si作为添加剂。
3.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它是将权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在中性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理制得的,热处理的温度为1300-1400℃。
4.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它是将权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在还原性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理制得的,热处理的温度为1300-1400℃。
5.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷的制造方法,它包括将如权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在中性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理的步骤,热处理的温度为1300-1400℃。
6.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷的制造方法,它包括将如权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在还原性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理的步骤,热处理的温度为1300-1400℃。
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