[发明专利]用于PTC热敏电阻的复合材料和陶瓷及其制造方法有效

专利信息
申请号: 99110672.5 申请日: 1999-07-23
公开(公告)号: CN1093102C 公开(公告)日: 2002-10-23
发明(设计)人: 並河康训;冈本哲和;広田俊春;山元敬之 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;C04B35/472;H01C7/02
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 白益华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 ptc 热敏电阻 复合材料 陶瓷 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于PTC热敏电阻的复合材料,它含有:

30-97摩尔%BaTiO3

1-50摩尔%PbTiO3

1-30摩尔%SrTiO3;和

1-25摩尔%CaTiO3作为主要成分,该主要成分的总量为100摩尔%,相对于100摩尔主要成分所述复合材料还含有:

以含钐化合物中Sm元素计0.1-0.3摩尔Sm;

以含锰化合物中Mn元素计0.01-0.03摩尔Mn;和

以含硅化合物中Si元素计0-2.0摩尔Si作为添加剂。

2.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它含有:

30-97摩尔%BaTiO3

1-50摩尔%PbTiO3

1-30摩尔%SrTiO3;和

1-25摩尔%CaTiO3作为主要成分,该主要成分的总量为100摩尔%,相对于100摩尔主要成分所述陶瓷还含有:

以氧化钐中Sm元素计0.1-0.3摩尔Sm;

以氧化锰中Mn元素计0.01-0.03摩尔Mn;和

以氧化硅中Si元素计0-2.0摩尔Si作为添加剂。

3.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它是将权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在中性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理制得的,热处理的温度为1300-1400℃。

4.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,它是将权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在还原性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理制得的,热处理的温度为1300-1400℃。

5.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷的制造方法,它包括将如权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在中性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理的步骤,热处理的温度为1300-1400℃。

6.一种用于PTC热敏电阻的陶瓷的制造方法,它包括将如权利要求1所述的用于PTC热敏电阻的复合材料在还原性气氛中烧制,烧制温度为1100-1200℃,随后在氧化性气氛中热处理的步骤,热处理的温度为1300-1400℃。

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