[发明专利]参考电压生成电路无效
| 申请号: | 98103177.3 | 申请日: | 1998-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN1085438C | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
| 发明(设计)人: | 黑田秀彦 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王忠忠,张志醒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 参考 电压 生成 电路 | ||
1、一种参考电压生成电路,其特征在于包括:
一个恒流电路(20),用于生成与热电动势成正比的恒流;
一个第一电流镜象电路,它把由恒流电路生成的恒定流作为参考电流;和
一个负载电阻(RL),用于把电流镜象电路的输出电流转换成电压;
所述的电流镜象电路包括:
一个其集电极与所述的恒流电路连接的第一晶体管(QN1);
一个其一端与所述的第一晶体管的发射极连接的第一电阻(R1);
一个其基极与所述的第一晶体管的基极连接,其集电极与负载电阻连接的第二晶体管(QN2);
一个其一端与所述的第二晶体管的发射极连接的第二电阻(R2);
一个其基极与所述的第一晶体管的集电极连接,其发射极与所述的第一和第二晶体管的基极连接的第三晶体管(QN3);和一个连接所述的第一晶体管的基极和发射极的第三电阻(R3)。
2、根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述的第一、第二、第三晶体管是NPN晶体管;
所述的第一和第二晶体管的发射极分别经所述的第一和第二电阻接地;
所述的第二晶体管的集电极经所述的负载电阻接外电源端,和
所述的第三晶体管的集电极接所述的外电源端。
3、根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述的第一、第二、第三晶体管是PNP晶体管;
所述的第一和第二晶体管的发射极分别经所述的第一和第二电阻接外电源端;
所述的第二晶体管的集电极经所述的负载电阻接地,和
所述的第三晶体管的集电极接地。
4、根据权利要求1所述的电路,其特征在于包括:
一个第二电流镜象电路,它把所述第一电流镜象电路的输出电流作为参考电流;
所述的第二电流镜象电路包括:
一个第一PNP晶体管(QP1),其集电极连接所述的第一电流镜象电路的所述第二NPN晶体管的集电极,其基极连接所述的第一PNP晶体管的集电极;
一个第四电阻(R4),其一端连接所述第一NPN晶体管的发射极,其另一端连接外电源端子;
一个第二PNP晶体管(QP2),其基极连接所述的第一PNP晶体管的基极,其集电极经所述的负载电阻接地;和一个第五电阻(R5),其一端连接所述的第二PNP晶体管的发射极,其另一端连接外电源端子。
5、根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述的恒流电路包括一个由下述电路构成的Widlar恒流电路:
一个第四晶体管(QN4),其发射极接地,其集电极和基极相互连接;
一个第五晶体管(QN5),具有与所述的第四晶体管不同的发射极区域,其基极连接所述的第四晶体管的基极;和
一个第六电阻,其一端连接所述的第五晶体管发射极,其另一端接地。
6、根据权利要求5所述的电路,其特征在于所述的恒流电路是自偏置反馈电路,它包括:
所述的Widlar恒流电路;
一个第六晶体管(QP1),其集电极连接所述的Widlar恒流电路的所述的第四晶体管的集电极;和
一个第七晶体管(QP2),其集电极连接所述的Widlar恒流电路的所述的第五晶体管的集电极,其基极连接所述的第六晶体管的集电极和基极,其发射极区域与所述的第六晶体管的发射极区域相等。
7、根据权利要求5所述的电路,其特征在于构成所述的恒流电路的所述的第四晶体管的集电极和基极经基极电流补偿晶体管连接。
8、根据权利要求6所述的电路,其特征在于构成所述的恒流电路的所述的第四晶体管的集电极和基极分别连接其集电极接外电源端子的第一基极电流补偿晶体管的基极和发射极;和
所述的第七晶体管的集电极和基极分别连接其集电极接地的第二基极电流补偿晶体管的基极和发射极。
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