[发明专利]一种微细加工的红外线法布里－珀罗滤色器及其制造方法

权利要求书

1.一种微细加工的能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器，其构成包括一个硅衬底，一个硅膜，二个反射镜，其特征在于：

一空腔处于所说硅衬底上部表面体内，

所说硅膜横跨所说空腔，其两端固定于所说硅衬底，

一个压阻电阻器处于所说硅膜固定边缘部分，

另一个压阻电阻器处于所说硅膜中央部分，

所说第一个反射镜附着于所说硅膜的下部表面，

所说第二个反射镜附着于所说空腔的底部表面，

两组电致伸缩薄膜分处于所说硅膜两相对固定边缘部分的上部表面，

一防反射薄膜附着于所说硅膜上部表面暴露部分。

2.一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征在于，制造步骤包括：

准备一轻掺杂的N-型硅衬底，

在所说硅衬底上部表面形成平底矩形凹坑，

在所说硅衬底表面选择外延生长重掺杂N-型硅填充所说凹坑，

在所说硅衬底表面普遍外延生长轻掺杂N-型硅层，覆盖硅衬底表面，包括所说选择处延N-型硅，

在所说外延层内处于所说选择外延N-型硅埋层边缘区域上方形成P-型压阻电阻器，

在所说外延层表面处于所说选择外延N-型硅埋层边缘区域上方形成电致薄膜伸缩执行器，

在所说外延层表面处于所说选择外延N-型硅埋层中心区域上方形成防红外线反射薄膜，

在所说硅衬底顶层表面形成阳极氧化保护薄膜，

光刻腐蚀形成阳极氧化窗口，

阳极氧化将所说选择外延重掺杂N-型硅埋层转变成多孔硅，

腐蚀去掉所说多孔硅形成空腔和空腔上部硅膜，

在空腔内形成多层介质红外线反射薄膜，

腐蚀去掉所说硅衬底顶部表面的阳极氧化保持薄膜。

3.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的轻掺杂N-型硅衬底的载流子浓度在10¹²/cm³至10¹⁶/cm³范围内。

4.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的选择生长的重掺杂N-型硅的载流子浓度在10¹⁸/cm³至10²⁰/cm³范围内。

5.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的普遍生长的轻掺杂N-型硅的载流子浓度在10²⁰/cm³至10¹⁶/cm³范围内。

6.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的压阻电阻器金属化材料为铂。

7.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的电致伸缩薄膜为PbTiO₃薄膜。

8.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的电致伸缩薄膜电极材料为珀。

9.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的阳极氧化保护薄膜为等离子体增强化学气相淀积的本征SiC。

10.如权利要求2所述的一种制造能调谐的红外线法布里-珀罗滤色器的方法，其特征是所说的多层介质反射薄膜为多组SiO₂/Poly-Si复合层。