[发明专利]激光照排薄片结构和采用这种结构的印版无效
| 申请号: | 97192197.0 | 申请日: | 1997-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN1072073C | 公开(公告)日: | 2001-10-03 |
| 发明(设计)人: | 谢里·P·费希尔;罗杰·W·菲力普;格雷戈里·F·戴维斯;夏洛特·勒加利 | 申请(专利权)人: | 福来克斯产品公司 |
| 主分类号: | B22D25/00 | 分类号: | B22D25/00;B22D27/00;B32B3/00;B32B7/00;B32B9/04;B32B15/04;B41N1/00;B41N3/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 朱登河 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光照排 薄片 结构 采用 这种 | ||
1.一种平版激光照排薄膜结构,包括:一个具有第一和第二表面的基层、一个由基层的第一表面承载的真空沉积金属层、一个附着在所述金属层并覆盖该金属层的半导体材料层,所述半导体材料层的厚度范围为100至1000埃。
2.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述基层为一个硫化钡填充的多聚体片。
3.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述金属层的厚度范围为100至1000埃。
4.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述金属层从钛、铬、镍、铪或铝中选出。
5.如权利要求4所述的结构,其特征为,所述金属层为厚度500-700埃的钛层。
6.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述半导体材料由硅或锗中选出。
7.如权利要求6所述的结构,其特征为,所述半导体材料为硅。
8.如权利要求1所述的结构,其特征为,有一个有机物层覆盖所述半导体材料层。
9.如权利要求8所述的结构,其特征为,所述有机物层由疏油材料制成。
10.如权利要求9所述的结构,其特征为,所述疏油材料为硅有机材料。
11.如权利要求8所述的结构,其特征为,所述有机层由疏水材料制成。
12.如权利要求11所述的结构,其特征为,所述疏水材料为聚乙烯醇。
13.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述基层厚度范围为0.2-10密耳。
14.如权利要求13所述的结构,其特征为,带有一个支持件,支持件有一个表面和一层把基层的第二表面固定在该支持件的该表面上的胶,而形成一个印版。
15.如权利要求1所述的结构,其特征为,所述基层厚度超过6密耳。
16.一种印版,包括:一个有一个表面的支持件、一个具有第一和第二表面的可变形基层,一层把基层的第二表面固着在支持件的该表面上的胶、一个由基层的第一表面承载的真空沉积金属层和一个贴附在所述金属层上并覆盖该金属层的半导体材料层,所述半导体材料层的厚度范围为100至1000埃。
17.如权利要求16所述的印版,其特征在于,它还有一个遮盖着该半导体层的表层涂层。
18.一种印版,它包括:一个具有一表面的可变形金属基层,一个在所述表面上形成的多聚体层,一个敷在该多聚体层上的真空沉积金属层,和一个粘着在所述金属层上并遮盖着所述金属层的半导体材料层,所述半导体材料层的厚度范围为100-1000埃。
19.如权利要求18所述的印版,其特征在于,它还有一个遮盖所述半导体层的表层涂层。
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