[发明专利]陶瓷电子部件无效
| 申请号： | 97103473.7 | 申请日： | 1997-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1092835C | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 山名毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/005 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子 部件 | ||
1.一种陶瓷电子部件，其特征在于包含陶瓷元件和至少一个位于所述陶瓷元件表面并包含导电粉末和玻璃料的烧固厚膜电极，所述厚膜电极包括包含导电粉末的导电层和包含所述玻璃料并与所述陶瓷元件接壤的玻璃层，所述玻璃层的平均厚度介于0.1-1.5微米之间。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述玻璃层包含其玻璃料未与陶瓷起反应并且平均厚度为0.1-1.0微米的第一层。
3.如权利要求2所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述第一层的平均厚度为0.1-0.5微米。
4.如权利要求3所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述玻璃层包含其玻璃料与陶瓷起反应并且平均厚度为0.5微米或以下的第二层。
5.如权利要求4所述的陶瓷电子部件，其特征在于每个用下式表示的所述厚膜电极的百分比金属密度介于86-98％之间：
((A-B-C)/A)×100(％)
其中A为所述厚膜电极总的横截面积，B为所述玻璃层的横截面积，C为孔隙的横截面积。
6.如权利要求5所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述百分比金属密度介于90-98％之间。
7.如权利要求6所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述导电粉末为铜。
8.如权利要求2所述的陶瓷电子部件，其特征在于每个用下式表示的所述厚膜电极的百分比金属密度介于86-98％之间：
((A-B-C)/A)×100(％)
其中A为所述厚膜电极总的横截面积，B为所述玻璃层的横截面积，C为孔隙的横截面积。
9.如权利要求8所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述百分比金属密度介于90-98％之间。
10.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于每个用下式表示的所述厚膜电极的百分比金属密度介于86-98％之间：
((A-B-C)/A)×100(％)
其中A为所述厚膜电极总的横截面积，B为所述玻璃层的横截面积，C为孔隙的横截面积。
11.如权利要求10所述的陶瓷电子部件，其特征在于所述百分比金属密度介于90-98％之间。
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