[发明专利]凸超微粒子的表面结构

权利要求书

1.一种凸超微粒子面结构，由压模复制而成，该压模具有凹超微粒子面作为复制面，可复制出为减弱光反射和/或提高采光效率，由SiO₂等形成的折射率连续变化的凸超微粒子面。

2.以权利要求1所述面结构为采光面的太阳电池。

3.具有权利要求1所述面结构的记录载体。

4.具有权利要求1所述面结构的胶片、板件等一类片状材料。

5.具有权利要求1所述面结构在表面、背面或界面上的透镜。

6.具有权利要求1所述面结构的感光胶片、印相纸等感光体。

7.利用权利要求1所述面结构设于从光源到保护层的光路中多个受光面的至少一个面上或是前述保护层的表面上的装置所制造出的集成电路。

8.在树脂透镜的表面、背面或界面的至少一种面上形成有曲率半径为15～150nm的微细凹面和/或凸面的眼镜片。

9.用权利要求1所述的由压模复制形成有微细凹面和/或凸面的眼镜片的制造方法。

10.将用于减弱光反射和/或提高采光效率的由SiO₂等形成的折射率连续变化的超微粒子面作为第一母模的复制面，设置于采光机构的至少一部分之中的太阳电池。

11.将折射率连续变化的超微粒子面为母模的复制面用作第二个之后的母模的复制面，设置于采光机构的至少一部分之中的太阳电池。

12.将光电变换元器件固定到采用前述第一母模或第二个以后的母模的复制面上的太阳电池。

13.在具有能由激光的入射光和/或其反射光读出的记录的载体上，将可用来提高相当于上述激光的入射光和/或其反射光的波长的激光照射到记录面上的到达效率和从此记录面上所反射的光的到达效率的使折射率连续变化的超微粒子层，至少设置于其一部分中所成的记录载体。

14.如权利要求13所术的记录载体，特征在于：所述超微粒子是SiO₂。

15.具有由复制权利要求13的记录载体的超微粒子层所成的层的记录载体。

16.在复制权利要求15中所述记录载体的超微粒子层而得到的微细凹部中，充填的折射率较构成此凹部的物质的折射率为低的物质所构成的记录载体。

17.以复制权利要求13所述超微粒子层所得的复制面为母模，由设有半球形的纤细的凸部组成的记录载体。

18.以复制权利要求13所述超微粒子层所得的复制面为母模，由设有半球形的纤细的凸部组成的透明树脂膜或板。

19.把用于减弱反射，提高采光效率的由SiO₂组成的折射率连续变化的超微粒子面作为第一母模的复制面。形成于光所透过的各物质层的界面中至少一个界面上的感光材料。

20.把折射率连续变化的超微粒子面为母模的复制面用作第二个以后的母模的复制面，形成于光所透过的各物质层的界面中至少一个界面上的感光材料。

21.在由光学方法形成集成电路时，对于由构成衬底表面的薄膜和保护膜等组成的叠层面和/或由照射源到此叠层面的光路内所设置的光掩模、透镜等光透过体的至少一个面上，用复制方式形成能使折射率连续变化的具有15～150nm深度的微细凹凸面，以减少在上述叠层和和上述光透过体上的照射光与透射光的反射率的方法。

22.以投影曝光法为手段形成使折射率连续变化的15～150nm深度的微细凹凸面的方法。

23.应用权利要求21或22所述的方法来制作IC或LSI等集成电路的曝光装置。

24.根据权利要求21或22所述的方法制作的IC或LSI等集成电路。

25.应用权利要求24所述集成电路的芯片。