[发明专利]采用离轴照明用来光刻布线图案的掩模版

权利要求书

1.一种改进的掩模版，用在使一掩模版上对应于一集成电路的光刻图案用光学方法转印到一半导体基版上的设备中，所述图案包括一第一种类型的特征图形，它至少有一条相对于所述图案中其它边缘是孤立的边缘，和一第二种类型的特征图形，它的所有边缘相对很接近所述图案中的所述其它边缘，所述设备采用离轴照明方式，其中所述离轴照明使所述第二类型特征图形的焦深范围大于所述第一类型特征图形的焦深范围，所述改进的掩模版包括：

一组与所述第一种类型的特征图形具有相同透光度的散射条，其中每条所述附加线对应于所述孤立边缘并离所述孤立边缘以一预定间距设置于掩模版上，其特征是：所述散射条的所述宽度的选定应按下述：增大所述第一类型特征图形的所述焦深范围，从而使所述焦深范围接近所述第二类型特征图形的所述焦深范围，其中所述一组散射条具有的宽度是设备不可分辨的。

2.权利要求1的改进的掩模版，其特征在于：所述第一和第二类型的特征图形具有临界尺寸，所述散射条的所述宽度大约为所述临界尺寸的三分之一。

3.权利要求2的改进的掩模版，其特征在于：所述预先确定的距离大约为所述临界尺寸的90％.

4.权利要求3的改进的掩模版，其特征在于：所述离轴照明是一四极式照明。

5.权利要求3的改进的掩模版，其特征在于：所述离轴照明是一环形式照明。

6.一种优化掩模版的方法，用来使一掩模版上对应于一集成电路的图案转印到一半导体基版上的采用离轴照明方式的光刻设备中，其中所述掩模版包含邻近于孤立特征图形的孤立边缘的一些散射条，用以降低所述掩模版上所述孤立特征图形与密集特征图形之间的邻近效应，所述散射条具有与所述孤立特征图形相同的透光度，所述用于离轴照明方式下的光刻设备能减小所述孤立与密集特征图形之间的焦深差异和所述的邻近效应，所述方法包括以下步骤：

所述散射条设置在离所述孤立边缘一预先确定的距离处，使得所述孤立边缘的边缘梯度实质上与所述密集特征图形的边缘梯度相匹配；

随后调节所述散射条的宽度，使得所述宽度引起的所述孤立特征图形的焦深范围接近所述密集特征图形的焦深范围，其中所述散射条的宽度是所述设备不可分辨的。

7.权利要求6的所述的方法，其特征在于，所述孤立的和所述密集的特征图形具有临界尺寸，和所述散射条的所述宽度大约为所述临界尺寸的三分之一。

8.权利要求7的所述的方法，其特征在于：所述预先确定的距离大约为上述临界尺寸的90％。

9.权利要求8的所述的方法，其特征在于：所述离轴照明是一四极式的照明。

10.权利要求8的所述的方法，特征在于：所述离轴照明是一环形式的照明。

11.一种改进的掩模版，用来使一掩模版上对应于一集成电路的光刻图案用光学方法转印到一半导体基版上的设备中，所述设备采用四极式照明，所述图案包含一第一类型特征图形和一第二类型特征图形，其中所述第一和第二类型特征图形各自具有相应的焦深范围和相应的强度级，其中所述第一类型特征图形的所述焦深范围和所述强度级分别大于所述第二类型特征图形的所述焦深和所述强度级范围，所述改进的掩模版包括：

一邻近并离所述第二特征图形的所有边缘有一预定距离围绕所述掩模版上的所述第二特征图形设置的一抗散射条，所述抗散射条具有与所述第二特征图形相同的透光度并且具有所述设备不可分辨的宽度，和所述抗散射条的尺寸的选定应能使所述第二特征图形的上述焦深增大到接近所述第一特征图形的上述焦深的程度。

12.权利要求11的所述的方法，其特征在于：所述第一类型特征图和第二类型特征图具有一临界尺寸，所述宽度大约等于该临界尺寸的30％～50％。

13.权利要求12的改进的掩模版，其特征在于：上述预定距离大约等于所述临界尺寸的90％。

14.权利要求13的改进的掩模版，其特征在于：所述第一类型特征图形相对地大于所述第二类型特征图形。

15.权利要求14的改进的掩模版，其特征在于：所述第一类型特征图形是一狭长形接触部特征图形和所述第二类型特征图形是一方形接触部特征图形。