[发明专利]用于半导体器件中的曝光掩模无效
| 申请号： | 95120485.8 | 申请日： | 1995-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1045665C | 公开（公告）日： | 1999-10-13 |
| 发明（设计）人： | 文承灿 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 中的 曝光 | ||
【权利要求书】：
1．一种用于半导体器件的曝光掩模，它包括一个透明衬底、重复图形、不一致图形以及独立图形，重复图形中的每一个被形成到透明衬底的对应于半导体器件存储区域的位置上，不一致图形的每一个和独立图形被形成到透明衬底的对应于半导体器件外围电路区域的位置上，其特征在于：
在掩模的中间部分的重复图形具有最小线/间距宽度，在掩模的外围部分的重复图形具有比上述最小线/间距宽度更大的线/间距宽度；
不一致图形的间距宽度比上述最小间距宽度要大；以及
独立图形的线宽比上述最小线宽大。
2．根据权利要求1的一种用于半导体器件的曝光掩模，其特征在于当所述重复图形设置于掩模中间部分时，其具有的线/间距宽度范围为0.2到0.7μm，所述线/间距宽度范围的可变范围为0.02到0.2μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95120485.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
