[发明专利]以银一氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺无效
申请号: | 95111070.5 | 申请日: | 1995-06-10 |
公开(公告)号: | CN1037639C | 公开(公告)日: | 1998-03-04 |
发明(设计)人: | 林景兴;章景兴 | 申请(专利权)人: | 江阴市宏发合金材料厂 |
主分类号: | H01H1/02 | 分类号: | H01H1/02;H01R13/03 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 21442*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 基础 接触 材料 及其 生产工艺 | ||
本发明涉及一种电接触材料及其生产工艺,尤其涉及一种以银氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺。
银氧化镉为基础的接触材料是一种重要的触点材料,它在1940年取得工业应用以来,根据电器产品的使用要求,目前已形成一个产品系列,即AgCaO8、AgCaO10和AgCdO12。其产品已广泛应用于额定电流为40~600A的交流接触器和额定电流小于100A的空气开关,以及重负载继电器和过流保护电器等。上述产品的生产方法有两种:即粉末冶金法和合金内氧化法。但上述方法生产的产品均存在各自的缺点:即粉末冶金法抗熔焊性好,但电寿命低;合金内部氧化法电寿命高,但由于其内外结构、性能不一致,因此其抗熔焊性差。因此,前者主要用于线路保护电器,后者主要用于控制电器。
本发明的目的在于提供一种CdO含量更高的银氧化镉电接触材料及其生产工艺。
本发明是这样实现的:一种以银一氧化镉为基础的电接触材料,它在一种银基体中含有氧化镉,其成份范围为:Ag80-88%,CdO12-20%,Ni0.1-0.2%,各组分的总和为100%。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料,该材料中还含有占总量0.01-0.15%的铝及锑。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料,组分中氧化镉的份额为13-19重量百分比(相对于材料的总重量)。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料中,组分中氧化镉的份额为13-19重量百分比(相对于材料的总重量)。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料,组分中氧化镉的份额为14-18重量百分比(相对于材料的总重量)。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料,组分中氧化镉的份额为15-18重量百分比(相对于材料的总重量)。
上述以银一氧化镉为基础的电接触材料,组分中氧化镉的份额为16.2-17.8重量百分比(相对于材料的总重量)。
本发明还可以是这样实现的:一种以银一氧化镉为基础的电接触材料的生产工艺,其工艺方法是:
将银锭、镉锭和镍锭置于熔炼炉中熔炼成铸锭,加工成碎屑,经高温高压氧化得到一种银氧化镉材料,碎屑在钢模中成型,然后在高温中挤压成一定规格的条材,再经过拉拨机拉拨得到线材产品。
上述高温高压氧化的温度为760-820℃,压力为4-6Kg/cm2,保温时间10-15小时,挤压成条材的加热温度为840-900℃。
与现有的以银一氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺相比,本发明由于采用了先氧化后挤压的生产工艺,使线材的内外结构性能一致,将以银一氧化镉为基础的电接触材料中的氧化镉含量由10-12%,提高到12-20%,且工艺流程短,设备投资少,并且与10-12%的银氧化镉具有同等的电气综合性能。因此节约了贵金属用银8%,具有很好的经济效益和社会效益。
线材的物理机械性能为:
规 格:Φ1.12-3.90mm
密 度:≥9.8g/cm3
硬 度:Hv4.9N>700MPa
电 阻 率:≤2.7μΩ.cm
抗拉强度:>220MPa
延 伸 率:>6%
制成的AgCdO/Cu复合铆钉触头完全符合GB11098-89的各项技术要求。
图1为本发明的工艺流程图。
下面结合附图对本发明作一详细描述:
例一:
称取25.10Kg银锭和含镍10%的银镍合金0.62Kg,在中频感应炉在熔炼,随后加入4.756Kg的镉锭及占总量0.01-0.15%的铝及锑,清渣后铸成方锭或园锭,清除表面杂质及切去浇口,用车床或刨床或铣床加工成碎屑,装入高压容器中加热至760-800℃并注入4-5Kg/cm2的氧气,保持13-15小时,碎屑在钢模中压成Φ65mm长250mm的坯块,然后加热至860-880℃挤压成Φ4.0mm的条材,经拉拨机拉成Φ1.12-3.36mm的线材。
例二:
用例一的配料比熔炼铸成方锭,用轧机或挤压机制成片状合金带,用冲床或剪床制成碎片,装入高压容器中加热至800-820℃,并注入6Kg/cm2的氧气,保持10-12小时,再按例一中的成型、挤压条件,经拉拨后亦可制成Φ1.12-3.36mm的线材。
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