[发明专利]变换器电路，双平衡混频器

权利要求书

1.一种变换器电路，用于将一非对称输入信号(A1)转换成一对基本对称的输出信号电流(SO1，SO2)，该变换器电路包括第一支路(101，111，120；101，103，111，113)和第二支路(102，112)，第一支路耦合成接收所述非对称输入信号(A1)并提供所述两输出信号电流之一(SO1)，而第二支路则包括一个按共发射极连接的晶体管(102)，该晶体管耦合成接收来自第一支路(101，111)的一个信号并提供所述另一个输出信号电流(SO2)，其特征在于，所述第一支路(101，111，120；101，103，111，113)包括一个按共基极连接的晶体管(101)，和用于引导所述非对称输入信号(A1)使之基本上流向所述按共基极连接的晶体管(101)的发射极的电路装置(120；103，113)，而所述按共发射极连接的晶体管(102)的基极则与所述按共基极连接的晶体管(101)的发射极耦合。

2.如权利要求1所述的变换器电路，其特征在于，所述按共基极连接的晶体管(101)的发射极和所述按共发射极连接的晶体管(102)的发射极上分别串联有阻抗(111，112)。

3.如权利要求2所述的变换器电路，其特征在于，所述电路装置(103，113)还包括一个晶体管(103)，用以将所述非对称输入信号(A1)传递给所述按共基极连接的晶体管(101)。

4.如权利要求1所述的变换器电路，其特征在于，所述第二支路(102，104，112，114)还包括一个按共基极连接的晶体管(104)，其发射极与所述共发射极晶体管(102)的集电极相耦合。

5.如权利要求1所述的变换电路，其特征在于，在所述第一支路中的共基极晶体管(101)的发射极与所述第二支路中的共发射极晶体管(102)的基极之间，接有一个隔直电容器(130)。

6.如权利要求1所述的变换电路，其特征在于，还包括一个偏置控制回路，该回路包括耦合到所述按共基极连接的晶体管(101)的第一电流敏感电路(201，211)、耦合到所述按共发射极连接的晶体管(102)的第二电流敏感电路(202，212)、一个其第一和第二输入端分别耦合到第一和第二电流敏感电路输出端的差值检测电路(221，222)，该差值检测电路的输出通过至少一个回路电容器耦合到所述共基极晶体管(101)的基极。

7.如权利要求6所述的变换电路，其特征在于，将一个回路晶体管(240)插在所述差值检测电路(221，222)的输出端和所述按共基极连接的晶体管(101)的基极之间，该回路晶体管(240)的基极-发射极结构成所述回路电容器。

8.一种双平衡混频器电路，包括第一和第二晶体管(T1，T2)的第一差分对，这些晶体管的发射极耦合到一公共第一发射极端(3)，还包括其发射极耦合到一公共第二发射极端(4)的第三和第四晶体管的第二差分对，第一和第四晶体管的基极以及第二和第三晶体管的基极分别耦合到一公共第一和公共第二基极端(1，2)，在该公共第一和公共第二基极端之间可施加一混合信号，其特征在于，所述第一公共发射极端(3)和第二公共发射极端(4)耦合成接收从按上述权利要求之一的变换器电路来的对称输出信号电流(SO1，SO2)。

9.一种双平衡混频器电路，包括其发射极耦合到一第一公共发射极端(3)的第一和第二晶体管(T1，T2)的第一差分对，还包括其发射极耦合到一第二发射极端(4)的第三和第四晶体管(T3，T4)的第二差分对，所述第一和第四晶体管的基极以及所述第二和第三晶体管的基极分别耦合到一第一公共和一第二公共基极端(1，2)，在该基极端之间可施加一混合信号，其特征在于，所述第一公共发射极端(3)耦合到一电路装置(103，113)，用于引导一非对称输入信号(A1)使之基本上流向所述第一公共发射极端(3)，所述第二公共发射极端(4)耦合到一个按共发射极连接的晶体管(102)的集电极，该晶体管的基极则耦合到所述第一公共发射极端(3)。